Atomic-layer-deposited Al_2O_3 and HfO_2 on InAlAs: A comparative study of interfacial and electrical characteristics

Al_2O_3 and HfO_2 thin films are separately deposited on n-type InAlAs epitaxial layers by using atomic layer deposition(ALD).The interfacial properties are revealed by angle-resolved x-ray photoelectron spectroscopy(AR-XPS).It is demonstrated that the Al_2O_3 layer can reduce interfacial oxidation and trap charge formation.The gate leakage current densities are 1.37×10~6 A/cm~2 and 3.22×10~6 A/cm~2 at+1V for the Al_2O_3/InAlAs and HfO_2/InAlAs MOS capacitors respectively.Compared with the HfO_2/InAlAs metal-oxide-semiconductor(MOS) capacitor,the Al_2O_3/InAlAS MOS capacitor exhibits good electrical properties in reducing gate leakage current,narrowing down the hysteresis loop,shrinking stretch-out of the C-V characteristics,and significantly reducing the oxide trapped charge(Q_(ot)) value and the interface state density(D_(it)).     

蓖麻油黏度随温度变化经验公式及验证

根据蓖麻油黏滞系数随温度变化的实验数据,利用Origin软件拟合法建立蓖麻油黏滞系数随温变化的关系式.同时对公式进行了验证,结果表明公式计算值与实验值高度吻合.     

变速落球法测液体黏度的研究

利用小球在液体中的变速运动方程测量液体的黏度.通过测量小球在液体里非匀速运动过程中不同时刻的位置,运用软件的非线性拟合功能拟合数据,计算得到液体黏度.实验结果证明了变速落球法用于测量液体黏度的可行性.     

高灵敏度Sb基量子阱2DEG的霍尔器件

用分子束外延技术将高灵敏度的InAs/AlSb量子阱结构的Hall器件赝配生长在GaAs衬底上。设计了由双δ掺杂构成的Hall器件的新结构,有效地提高了器件的面电子浓度。与传统的没有掺杂的InAs/AlSb量子阱结构的Hall器件相比,室温下器件电子迁移率从15 000 cm²·V^-1·s^-1 提高到16 000 cm²·V^-1·s^-1。AFM测试表明材料有好的表面形态和结晶质量。从77 K 到300 K对Hall器件进行霍尔测试,结果显示器件不同温度范围有不同散射机构。双δ掺杂结构形成高灵敏度、高二维电子气（2DEG）浓度的InAs/AlSb异质结Hall器件具有广阔的应用前景。     

小球垂直速度对测量透明液体黏度影响的研究

在匀速落球法测液体黏度的实验中,研究小球以较大的垂直速度进入待测液体时对测定透明液体的黏滞系数的影响。     

QuEChERS/超高效液相色谱-串联质谱法同时测定柑橘和稻谷中植物生长调节剂残留

建立了一种柑橘和稻谷中8种植物生长调节剂残留同时测定的UHPLC-MS/MS分析方法。采用QuEChERS技术对样品中目标物进行提取净化,用MRM模式监测,基质曲线外标法进行定量。在优化条件下,8种植物生长调节剂(矮壮素、烯效唑、氯吡脲、吲熟酯、胺鲜酯、吲哚-3-丁酸、噻苯隆、2,4-D)在相应的浓度范围内具有良好的线性关系,相关系数均在0.995以上,样品加标回收率在70.1%～105.6%之间,RSD小于10.8%(n=6)。而且样品基质种类和灵敏度优于或相当于现有国家检测标准,同时本方法成功应用于柑橘类水果和稻谷等实际样品中植物生长调节剂残留的检测。本方法准确、灵敏度高,可用于柑橘类水果和稻谷中植物生长调节剂残留的定性和定量分析。     

高灵敏度InAs/AlSb量子阱的霍尔器件(英文)

用分子束外延在Ga As(001)衬底上生长了两个量子阱结构的霍尔器件,一个是没有掺杂的量子阱结构,一个是Si-δ掺杂的量子阱结构。研究了霍尔器件的面电子浓度和电子迁移率与温度的关系。结果表明,在300 K下,Si-δ掺杂的量子阱结构的电子迁移率高达25 000 cm~2·V~(-1)·s~(-1),并且该器件输入电阻和输出电阻较低。同时,Si-δ掺杂的量子阱结构霍尔器件的敏感度好于没有掺杂的量子阱结构霍尔器件。     

高效液相色谱-激光诱导荧光法分析水样中的胺类物质

通过色谱条件和衍生条件的优化,建立了微量胺类物质的高效液相色谱-激光诱导荧光检测分析方法。该方法灵敏度高,在优化的条件下分析亚精胺、腐胺和组胺,检出限达到10^-10 mol/L数量级,且稳定性好。连续进样5次,3种生物胺保留时间的RSD(n=5)小于0.3%,峰面积的RSD(n=5)小于3%,平均加标回收率为94.99%~104.7%。将该方法应用于实际水样中3种生物胺的检测及7种茶叶茶水中胺类物质的分析,取得了良好的结果。该方法灵敏度高,稳定性好,可用于水样中微量胺类物质的分析。     

锌铈混合金属氧化物薄膜电化学沉积的研究

采用自制四电极体系,原位测量锌铈混合氧化物薄膜电沉积过程电极/溶液界面pH的动态变化。电极/溶液界面的pH-时间曲线表明,pH快速上升后达到平衡,且电沉积过电位越大,达到平衡pH值的时间越短,平衡pH值也越高。X射线粉末衍射(XRD)实验证明薄膜沉积物是由ZnO和CeO2组成。电感耦合等离子体(ICP)技术分析了不同电沉积电位、不同电沉积时间下电沉积产物中Ce(Ⅲ)/Zn(Ⅱ)的物质的量比,结果表明Ce(Ⅲ)/Zn(Ⅱ)的物质的量比随着pH值的升高而增加。依据Zn2+离子和Ce3+离子液相和固相中存在形态的热力学数据,计算了2种金属离子的条件溶解度随pH的变化曲线。结合实验测试数据和理论计算结果,讨论了电极表面金属氧化物的电化学沉积机理,并阐明了阴极表面混合金属氧化物的组成取决于液-固两相中金属离子存在形态的热力学性质。