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1.
设γM(G)是连通图G=(V,E)的最大亏格,记EM^-(G)={e∈E(G)|G\e连通,且γM(G\e)=γM(G)}。若EM^-(G)≠0,则称G是γ(G)-可约的;否则称G是γM(G)-不可约的。本文证明了边的剖分不改变图的最大亏格可约性,点的扩张不改变上可嵌入图的最大亏格可约性;并给出了两类满足EM^-(G)=E(G)的非4-边连通图。  相似文献   
2.
引近了一种新的K-泛函,由此建立了积分型Hermite-Feéjr和Lagrange插值逼近的Steckin-M archaud不等式.  相似文献   
3.
定理①:设△ABC的三边长分别为a、b、c,外接圆半径为R,内切圆半径为r,半周长为S,面积为△.  相似文献   
4.
舒兴明 《大学数学》2002,18(3):44-47
本文利用局部比较法 ,在图中定义子图、无效路径、以及可去边 .利用推导的有关定理 ,拆去可去边 ,利用最短路径相同的等价性 ,达到化简图 ,从而求出最短路径  相似文献   
5.
若干图类的邻强边染色   总被引:4,自引:0,他引:4  
研究了若干图类的邻强边染色 .利用在图中添加辅助点和边的方法 ,构造性的证明了对于完全图 Kn和路 Lm 的笛卡尔积图 Kn× Lm,有χ′as(Kn× Lm) =△ (Kn× Lm) +1 ,其中△ (Kn× Lm)和χ′as(Kn× Lm)分别表示图 Kn× Lm的最大度和邻强边色数 .同理验证了 n阶完全图 Kn的广义图 K(n,m)满足邻强边染色猜想 .  相似文献   
6.
FeS2多晶薄膜电子结构的实验研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
用磁控溅射方法制各纯Fe薄膜,并硫化合成FeS2.采用同步辐射X射线近边吸收谱与X射线光电子能谱研究了薄膜的电子结构.结果表明,合成的FeS2薄膜,在费米能级附近,有较强的Fe 3d态密度存在,同时,在价带谱中2-10eV处有强度较大的S 3p态密度存在;Fe的3d轨道在八面体配位场作用下分别为t2g和eg轨道,实验中由Fe的吸收谱计算得到两分裂能级之差为2.1eV;实验测得FeS2价带结构中导带宽度约为2.4eV,导带上方仍存在第二能隙,其宽度约为2.8eV.  相似文献   
7.
This paper is a continuation of the authors'previous paper[1].In this paper the authorsprove,assuming additional conditions on the initial data,some results about the existence anduniqueness of the entropy weak solutions of the Cauchy problem for the singular hyperbolicsystem a_t+(au)_x_2au/x=0,u_t+1/2(a~2+u~2)_x=0,x>0,t≥0.  相似文献   
8.
本文给出了一个关联图为圈的非负、半正定矩阵A为完全正的一个充要条件.我们还证明了这样的矩阵A(当A为完全正时)的分解指数即为A的阶数.  相似文献   
9.
Let κ be non-negative integer. The unoriented bordism classes, which can be represented as [RP(ξ^κ)] where ξ^κ is a k-plane bundle, form an ideal of the unoriented bordism ring MO.. A group of generators of this ideal expressed by a base of MO. and a necessary and sufficient condition for a bordism class to belong to this ideal are given.  相似文献   
10.
应用马尔科夫可用性模型得出了冗余路径的带故障切换时间的状态转换图,分析了平均无故障时间、平均故障修复时间以及故障切换时间对可用性的影响,冗余路径提高了系统的可用性.应用排队系统建立了冗余路径的I/O处理模型,分析表明采用冗余路径驱动程序的负载均衡算法后,I/O平均响应时间随着吞吐能力的提高而降低.实验数据证实了这一结论.  相似文献   
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