DNA分子的电子传输特性

从DNA分子导电性实验中得到了非线性的电流一电压关系．当偏压小于某一阈值时，电流很小；当偏压等于或大于某一阈值时，电流增加很快．本文用一个简化模型描述DNA分子的电导过程，计算出DNA分子电流与偏压的关系，能够很好地解释实验测量结果．     

对置型等离子体显示板色串扰的计算机模拟

色串扰是平板气体放电显示器件－－等离子体显示板的特有性能，它表征显示板工作时选址像元引起来选址像元发光对其发光色影响的程度。本文对色串扰定义，分析其产生原因，提出显示模型，并讨论器件结构和工作条件与色串扰的关系，这对提高PDP显示色纯度有极大意义。     

非晶硅碳薄膜发光二极管的效率分析

本文利用简单的能带结构模型,分析了非晶硅碳薄膜发光二极管的载流子注入、复合和输运过程,定量计算了器件的发光效率。在忽略器件结温影响的情形下,发现低场下器件的发光效率主要取决于空穴的注入效率,而在高场下则主要依赖于空穴的辐射复合效率,理论分析与实验结果相一致。在此基础上简要提出了提高器件发光特性的措施。     

采用粘弹塑性模型计算地基的变形

本文认为,当外加荷载小于土的连结强度时,土体表现为弹性,当外加荷载大于土的连结强度时,土体表现为粘弹塑性,故土的力学性质可以采用文献提出的粘弹塑性力学模型来分析。土的连结强度与土体本身的C、(?)、σ_3＇、有关。在此基础上,编制了计算程序,分析了两个例子,结果表明,土体的变形仅限于某一个区域内,采用粘弹塑性力学模型分析地基的变形与实际是比较吻合的。     

多孔硅发光时间效应及物理模型

通过剖析与阳极氧化时间、大气中存放时间、激光照射时间等与时间有关的多孔硅光致发光实验现象，提出了一个既通过局域在量子线上激子态复合同时又通过一热释过程后经表面态复合的综合发光机理，它能定性地解释多孔硅发光的时间效应及其它实验结果．     

限制势对氢原子电子的布居影响

采用谱拟合法，劈裂算符法对处于限制势中的氢原子与激光场的相互作用进行了布居分布的数值计算，通过模拟实验与分析，结果表明加了限制势之后，通过降低激光场强度在减少布居泄漏的同时可以保证Rabi振荡频率不变．用这种外加限制势的方法在不改变Rabi振荡频率时可以将布居泄漏降低到原来的1％以下．     

W(110)表面反常STM图像的密度泛函理论研究

采用密度泛函理论的第一性原理方法研究了W(110)p(1×1)表面的STM图像对于衬底偏压的依赖性.计算结果表明:在衬底负偏压条件下,W(110)p(1×1)表面的钨原子在STM图像中显示为暗点而非通常在其它过渡金属中观察到的亮斑,并且暗点随偏压绝对值的减小而逐渐弱化.计算还模拟了恒流模式的STM测量时针尖的起伏变化.当衬底偏压在0～100meV区间时,针尖起伏高度最为明显(～0.006nm).在更高的正偏压下,STM的针尖起伏随偏压改变而线性变化(0.0015～0.0035nm).这些结果说明了W(110)p(1×1)表面是非常平坦的.由于钨原子的价电子为5d态,和3d电子相比具有更为扩展的行为,表面态电子波函数交叠区间集中在原子周围,所以STM测量时亮点突起出现在原子的周围.     

高时间分辨闪烁体探测器组装设计与性能分析

为了提高正电子湮没寿命测量中能量分辨率、探测效率,本文对高时间分辨探测器进行组装及性能分析,如晶体的封装、输出脉冲幅度及上升时间等要素与外加电压的变化关系、能量分辨率、探测效率等进行测试.实验结果表明,在相同电压情况下,使用聚四氟乙烯作为反射层材料能有效地提高闪烁体探测器的探测效率;在外加电压为2580V情况下,聚四氟乙烯反射层探测器湮没峰的能量分辨率为7.8%,而反射层为Al箔时则为10.4%.结果说明了在相同外加电压的情况下,聚四氟乙烯反射层探测器湮没峰的能量分辨率比Al箔反射层探测器的要好.     

MOCVD方法在Ni/Si(111)模板上生长ZnO薄膜

用常压金属有机化学气相外延方法在Ni／Si（111）模板上生长ZnO薄膜，研究了ZnO低温缓冲层的厚度（50h，300h）对薄膜性能的影响。采用原子力显微镜，X射线衍射和光致发光光谱仪对这些样品进行分析。结果表明：缓冲层的厚度对zno外延薄膜的表面形貌、晶体结构及发光性能都有较大影响。在50h～100A低温缓冲层上生长的ZnO外延膜，晶粒尺寸大小均匀，发光和结晶性能良好。     

微流控芯片毛细管电泳中电动进样和分离对分离效率的影响

电动进样和分离技术是微流控芯片毛细管电泳分析应用中一项重要的技术环节.通过外加电压调节玻璃基材微芯片"十"字通道内的场强分布,改变分析样品在芯片内电渗流的方向和速率,考察样品的分离效率并得出最佳的外加电压控制方案.     

考虑温度效应的铬污染软土电动修复研究

针对铬污染软黏土自行设计了电动修复试验装置, 开展铬污染软土室内试验, 研究污染土中重金属铬的去除特性, 分析电动修复过程中, 电流、温度、电解质溶液pH的变化以及电压、温度和铬初始浓度对电动修复试验效果的影响. 结果表明, 电动修复可以有效去除土壤中的Cr(VI), 增大电压有利于铬从污染土中释放; 当外加电压为36V时, 各组Cr(VI)去除率都达到了96%以上, 土壤中Cr(总)的最高去除率可达76%; 提高温度可以促进Cr(VI)的还原反应, 降低铬污染土的毒性, 可为重金属污染土的修复提供参考.     

斜劈盒中胆甾相液晶螺距变化对阀值电压的影响

从实验和理论两个方面研究了斜劈盒中胆甾相液晶螺距变化对阀值电压的影响．实验结果表明阀值电压不仅与螺距数有关,而且与边界条件引起的螺距收缩和伸展有关,在螺距数不变的情况下,螺距的收缩使阀值电压提高,而螺距的伸展使阀值电压减小．本文在Hurault理论基础上,考虑到边界条件对胆甾相液晶螺距的影响．给出了适用于斜劈盒阀值电压计算的理论公式．     

掺铒光纤激光器自混合理论与微振动位移测量

利用线形掺铒光纤激光器搭建了一种新型光纤传感测量系统来测量微振动位移.采用条纹计数法分析自混合干涉信号,实验显示扬声器的振幅与驱动电压成很好的线性关系.该实验装置结构简单、成本低.实验结果表明,用该传感系统来进行振动位移测量,信号稳定,方法简单、迅速.     

内调制光电探测器光生电压的模型分析

针对栅压对内调制光电探测器耦合区的影响，以及横向发生的抽取效应对受光结的影响，从描述探测器的泊松方程、电流方程和连续性方程出发，通过计算输出电流Id，得出了内调制光电探测器受光结光生电压Vop，与栅压Vg的函数关系式，并依此建立了模型，该模型与实验结果基本吻合．由于该模型采用了电路形式，可以用PSPICE等软件进行模拟，这为研究内调制光电探测器的内部性质提供了理论基础．     

新疆电网实施自动电压控制的初步探讨

基于电力系统电压与无功的理论,结合新疆电网的现状,提出了新疆电网自动电压控制的策略,论述了AVC系统三层控制结构,动态九区图控制理论,AVC优化控制策略等.     

基于AD7656开发高压容性设备绝缘介损的信号的采集系统

为精确测量能反映高压容性设备绝缘状况的介质损耗值,设计了相应的信号采集系统.采用电网频率跟踪技术,将传感器测得的三相末屏电流模拟值经信号调理电路调理及AD620AR放大器放大后,并经AD7656进行模数转换,将模拟信号直接转化为数字信号,避免了信号传输过程中的干扰和衰减问题;并采用参考电源解决了远距离同步采集问题.介绍了基于多通道高分辨率AD7656开发绝缘介损在线监测终端信号采集系统的具体方法,给出了具体的接口实现电路和数据采集的初始化操作过程,经实际应用,系统可靠稳定.     

制备工艺对多孔阳极氧化铝特性的影响

通过对草酸溶液中制备的多孔阳极氧化铝(PAA)的形貌、晶态结构和光致发光(PL)特性的表征和机理分析,研究了草酸电解液浓度、阳极氧化电压和退火等丁艺对PAA的形成及特性的影响.PAA的孔径在50～120 nm之间,且随着阳极氧化电压的升高而增大,而受电解液浓度的影响较小.X射线衍射结果表明:PAA为非晶态结构,退火之后结晶,并有多相共存.PL测试表明PAA在375～500 nm之间有一较宽的蓝色发光带,发光峰在425 nm左右,是由氧空位引起的,且其峰强可通过改变阳极氧化电压和草酸浓度等参数来调制.     

感应反型层太阳电池的开路电压分析

本文应用数值计算方法研究了感应反型层太阳电池的开路电压与衬底掺杂水平、介质层固定正电荷密度及表面复合速度等的函数关系.研究结果表明,表面复合对开路电压的影响与衬底的掺杂水平有关,并且随着固定正电荷的增加而减弱.     

化学电源技术指标分类的模型实证研究

分别采用因子分析模型和聚类模型对化学电源的技术指标:正极长度、负极长度、隔膜长度、电液量、容量、开路电压、自放电后电压、内阻和重量进行分析,得出正极长度与负极长度参数设计指标联系最紧密,开路电压与自放电后电压性能测试指标联系最紧密.这为化学电源技术指标的分类研究提供理论依据,为化学电源的设计质量控制、组合管理质量控制提供了参考价值,从而促进化学电源的技术进步与发展.     

基于微机电系统的高频压控振荡器设计与仿真

在分析传统的压控振荡器的基础上，针对微机电系统（microelectromechanical systems，MEMS）可变电容小尺寸、低功耗、高Q值等特点，设计了一种新型的基于高Q值的MEMS可变电容的压控振荡器．通过标准对称式的负阻抗LC振荡电路验证：当调谐电压从0～5V变化时，振荡器频率在2．320～2．430GHz之间呈均匀变化，提高了测量精确性；同时，其宽频带调谐范围从传统的振荡器的2％～3％提高到了4．58％，扩大了使用范围．