CO在NiO（100）面上吸附的近边X射线吸收精细结构理论分析

用多重散射团簇 (MSC)理论对 CO在 Ni O(10 0 )面吸附的碳 1s近边 X射线吸收精细结构(NEXAFS)实验谱进行了定量分析 ,研究了该系统可能出现的吸附模型 .MSC方法分析表明 CO是以 C原子朝下 ,吸附在衬底的 Ni- O键桥上 ,R- factor(可靠性因子 )计算显示 C原子的吸附位置距 Ni原子0 .0 9nm,CO分子中 C原子距衬底的吸附高度为 0 .31± 0 .0 1nm.本文讨论了在 Ni O表面吸附的 CO分子σ键的物理本质 .与 CO在过渡金属 Ni,Cu等表面吸附不同 ,σ共振对于 CO键长的依赖不明显     

四氰基乙烯分子在铜(110)c(2×1)-O表面上的吸附行为

采用载气携带法,实现了四氰基乙烯(TCNE)分子在铜(110)c(2×1)-O重构表面的吸附,并利用超高真空扫描隧道显微镜(UHV-STM),在原位室温下研究TCNE分子在该类重构表面上的吸附行为。研究结果表明,孤立的TCNE分子仅吸附在两条相邻的-O-Cu-O-链之间,呈"工"字形;吸附在缺陷处的TCNE分子,则TC-NE分子中的氮原子在氧原子缺失处变暗。岛状有序结构中的TCNE分子即可吸附在2条相邻的-O-Cu-O-链之间,也可吸附在单条-O-Cu-O-链上。     

高质量二氧化钛(110)-(1×1)表面的原位氧化法制备

通过扫描隧道显微镜系统研究了原位氧化对二氧化钛(110)-1×2表面的影响,清楚观察到1×2结构随着氧化处理逐步被氧化为1×1结构,且在过量氧化条件下,在1×1结构上又重新形成1×2结构。结果表明,在优化条件下通过对二氧化钛(110)-(1×2)表面氧化处理,可以制备出大面积、无氧空位的高质量二氧化钛(110)-(1×1)表面。     

AlN靶材射频磁控溅射制备A1N薄膜及性质研究

以AlN作为靶材,使用射频磁控溅射法在Si(100)和玻璃衬底上,在纯氮气气氛条件下制备得到AlN薄膜,并研究了衬底温度对薄膜的结构,形貌和性质的影响.实验表明,衬底温度为370℃的条件下制备的AlN薄膜具有C轴择优取向,薄膜表面均匀、致密和平整,均方根粗糙度为4.83nm.随着基片温度的增加,薄膜的折射率增加,对应着薄膜从非品态到晶态过程的演变.     

CO:LiCl(001)-(1X1)表面电子激发态及其随时演化

采用多体摄动理论研究CO:LiCl(001)-(1X1)表面的激发态性质、CO分子激子态随时演化及其寿命. 首先用局域密度近似的密度泛函理论计算CO分子吸附在LiCl(001)-(1X1)表面的几何结构; 随后运用GW近似研究LiCl块体、LiCl(001)-(1X1)干净表面以及CO:LiCl(001)-(1X1)表面的准粒子能带结构, 引入电子-空穴相互作用, 求解二粒子格林函数的Bethe-Salpeter方程(BS方程), 并得出其电子-空穴激发态及光学吸收谱, 将计算得到的光吸收谱与实验数据进行比较; 最后基于吸附系统CO:LiCl(001)-(1X1)的BS方程的解, 求解含时薛定谔方程得出的分子激发态的随时演化. 因衬底和吸附分子之间的耦合作用, CO分子激子态在随时演化的初始阶段呈现非常快的衰减, 其寿命仅为0.75fs. CO分子激子态的空穴大幅度地向衬底转移, 而激子态的电子仍然滞留在CO分子上.     

用Zn/F离子先后注入和热退火法实现ZnO量子点的可控生长

将Zn/F离子先后注入到非晶二氧化硅中并分别在400,600,700 ℃下进行了退火.用光学吸收谱、透射电子显微镜(TEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对退火的样品进行分析,发现在600 ℃退火后ZnO量子点已经形成.二次离子质谱仪(SIMS)测试发现在溅射时间为2 s时Si,Zn元素同时出现,说明没有在衬底的表面形成ZnO薄膜.从原子力显微镜(AFM)图像看到有少量的颗粒被蒸发到衬底的表面,说明在衬底的内部形成了ZnO量子点.F离子注入的作用为在衬底的内部形成ZnO量子点提供了O2分子.     

尺寸可控的CoFe2O4纳米粒子的制备及其磁性

采用共沉淀方法制备了一系列CoFe2O1纳米粒子.X射线衍射、透射电镜和拉曼光谱的分析显示,通过改变NaOH浓度.可以制备单相的CoFe2O1纳米粒子,晶格常数在0.830～0.840 nm之间,品粒尺寸在9.0～65.0 nm之间.研究结果表明,样品的矫顽力随着样品的尺寸的增加而增大,9.0 nm的CoFe2O1纳米粒子的矫顽力为0.283 2 T,而65.0 nm的CoFe2O1纳米粒子的矫顽力为0.467 4 T,饱和磁化强度与CoFe2O1纳米磁性粒子表面原子的不同分布有关.     

PFCVAD系统靶负压对硅基ZnO薄膜结构及应变的影响

采用磁过滤阴极脉冲真空弧沉积(pulsed filtered cathodic vacuum arc deposition,PFCVAD)系统,以Si(100)单晶片为衬底,在衬底温度300 ℃、氧气压力4.0×10-2 Pa的条件下制备出了c轴择优取向的ZnO薄膜.通过原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)技术对ZnO薄膜的表征,研究了靶负压对ZnO薄膜结构和应变的影响.研究结果表明,不同靶负压条件下ZnO薄膜的晶粒大小分布在16.7～39.0 nm之间,靶负压对薄膜表面结构影响较小;不同靶负压条件下ZnO薄膜都呈张应力,且张应力随靶负压的增大而增大.     

存在缓冲气体的Cs蒸气中的三体碰撞

研究了C s(6P3/2) C s(6P3/2) H e→C s(n lJ=8S1/2,4F5/2、4F7/2) C s(6S1/2) H e的碰撞能量转移过程.在温度为330~340 K,单模半导体激光器共振激发C s原子至6P2/3态,利用另一与泵浦激光束反向平行激光束作为吸收线探测6P3/2态原子密度及其空间分布.缓冲气体增大了两个6P3/2原子间的能量转移,这可从测量由两个C s(6P3/2)原子碰撞而被布居的n lJ态所发射的荧光得到证实.三体碰撞速率系数分别为(1.80±0.72)×1-0 27cm6-s 1、(1.28±0.51)×10-27cm6s-1、(2.23±0.89)×1-0 27cm6-s 1.     

五配位Cu(Ⅱ)-Schiff碱配合物的合成、晶体结构及性质

以现场制备的两个Schiff碱(HL1:1-(2-羟基苯甲叉)-1,4,7-三氮杂庚烷,HL2:2-[(2-羟基苯甲叉)氨乙基]-吡啶)为配体,合成了两个Cu(Ⅱ)配合物[Cu(Ⅱ)(L1)(H2O)]BF4(1)和[Cu(Ⅱ)2(L2)2(Cl)2](2),用X-射线衍射技术测定了它们的晶体结构.结果显示:两个化合物都属于单斜晶系和P21/c空间群.配合物1的晶胞参数a=0.9759(2)nm,b=1.4448(1)nm,c=1.0979(1)nm,β=101.09(1)°,V=1.5191(9)nm3,Z=4,d=1.642g.cm-3.配合物2的晶胞参数a=0.9130(7)nm,b=0.9128(5)nm,c=1.6359(4)nm;β=104.704(3)°;V=1.318885(5)nm3;Z=4;d=1.633g.cm-3.     

二酯基连接链乙基头基季铵盐Gemini表面活性剂的合成及性质

以长链溴代烷、二乙胺、氯乙酰氯和乙二醇为原料合成了5种新型二酯基连接链乙基头基季铵盐双子表面活性剂Gemini C10,Gemini C12,Gemini C14,Gemini C16,Gemini C18(尾链碳原子数依次为10,12,14,16,18),并研究了它们的表面性能和聚集体形态.结果显示,Gemini C10的临界胶束浓度(cmc)在20～40℃间随着温度升高而减小,而其他4种Gemini表面活性剂的cmc却随温度升高而增大;25℃时Gemini C10～C18在cmc时的表面张力随疏水链长度的增加呈降低趋势;Gemini产物在较高浓度下有囊泡聚集体形成,尺寸为40～200nm.     

Mn+注入p型GaN薄膜的结构和磁学特性

用低压MOCVD法在(0001)面的蓝宝石衬底上生长纤锌矿结构的GaN.GaN膜总厚度为4μm,包括0.5μm掺Mg的p型表面层.Mn 离子注入的能量为90keV,剂量为1.0×1015～5.0×1016cm-2,被注入的p型GaN处于室温.对注入样品的快速热退火处理是在N2气流中进行的,温度约为800℃,时间为30～90s.采用X射线衍射(XRD)、卢瑟福背散射(RBS)和原子力显微镜(AFM)研究,发现Mn 注入GaN膜的结构受注入剂量和退火条件的控制.通过超导量子干涉仪(SQUID)分析,在Mn 注入剂量为5.0×1015cm-2、并经850℃退火30s的GaN膜中发现了铁磁性,表明离子注入方法是进行GaN掺杂改性的有效手段.     

关于积域上一类 Marcinkiewicz积分的一点注记

在本文中, 我们建立了积域 Rn × Rm上 Marcinkiewicz算子 _K( f )的 Lp有界性 ( 1 < p <+ ∞ ) ,其中 K属于原子 Hardy空间 ,从而极大地改进了文 [1 ]中的 L2 有界性的结果.     

氧化性与还原性气体对氧化铟及氧化铟锡(100)表面的修饰作用

采用第一原理方法计算了氧化铟(In2O3)及氧化铟锡(ITO)材料中In2O3(100)和ITO(100)表面结构特征及氧化性气体O2和还原性气体NH3在该表面的成键机理、表面结构和表面电荷分布等性质.计算结果表明, In2O3及ITO薄膜表面的金属原子在优化过程中会向表面方向膨胀,而次外层氧原子则由于膨胀程度不同形成了两种配位环境的表层氧原子.吸附在表面上的O2分子对称轴平行于表面,由于表层金属原子d轨道电子流向O2的空π*反键轨道,在表面层中形成大量空穴,提高材料空穴注入效率,相反NH3中氮原子sp3杂化轨道电子流入表层金属原子的空轨道不利于材料提供空穴.     

Pd团簇熔化的分子动力学模拟

本文运用分子动力学研究钯团簇Pd,(n=13,14,54,55)熔化行为.结果表明:所有Pdn团簇的熔化过程中都有预熔化行为.Pdn团簇的熔点并不是随着原子数目的增加而有着简单的递增关系.Pdn(n=54,55)团簇的预熔化温度区间比较窄.Pdn(n=13,54,55)团簇在熔化过程中有固液共存现象,而Pd14团簇则有表面熔化行为.     

Rb_2分子激发态与基态原子碰撞能量转移

脉冲激光667nm线激发Rb2基态到低激发态B1Πu态,研究Rb2(B1Πu)+Rb→Rb2(X1Σ+g)+Rb(5PJ)的碰撞转移过程.测量不同Rb密度下B1Πu的时间分辨荧光强度,它是一指数衰减函数,取其光强对数描绘得到B1Πu的有效寿命τ3为23.5ns(温度为545K时的寿命).从描绘出的有效寿命倒数与Rb原子的粒子数密度的关系直线的斜率得出B1Πu态总的碰撞猝灭截面为σ3=(4.33±0.14)×10-15cm2.测量Rb2的B1Πu→X1Σ+g在不同Rb密度下的时间分辨和时间积分荧光强度,得到Rb2(B1Πu)+Rb→Rb2(X1Σ+g)+Rb(5P1/2)的碰撞截面σ31=(2.86±0.13)×10-16cm2,Rb2(B1Πu)+Rb→Rb2(X1Σ+g)+Rb(5P3/2)的碰撞截面为σ32=(8.30±0.38)×10-16cm2.     

KH（X1Σ+,v=0-3）与H2之间的振动碰撞能量转移（英文）

利用积分时间分辨荧光方法研究了KH(X1Σ+,v=0-3)与H2之间的振动碰撞能量转移。在K-H2混合样品池中,脉冲激光(泵浦激光)双光子激发K原子至6S态,K(6S)与H2反应生成KH(X1Σ+,v=0-3)分子,利用另一脉冲激光(检测激光)激发X1Σ+至A1Σ+态,通过测量0-100μs延迟时间内各振动态的时间分辨激光感生荧光光谱(LIF)强度,通过速率方程分析和谱线轮廓积分方法,得到了KH(X1Σ+,v=0-3)与H2之间的振动能级转移速率系数分别为(2.1±0.4)×1013cm3.s1for v=1→v=0,(6.5±1.2)×1013cm3.s1for v=2→v=1和(8.9±1.6)×1013cm3.s1v=3→v=2.同时得到扩散系数为(1.3±0.2)×104s1.     

Meso-四( 4-甲氧基-3-磺酸苯基) 卟啉 与钴的显色反应及其钴的价态研究

本文研究了在弱酸性介质中,Co(Ⅱ)与 T( 4 -MO-3-SP) P 的显色反应. 当溶液 pH 为 4. 15 时, 显色剂 和配合物的最大吸收峰分别在 440. 0nm 和 427. 0nm. 显色反应完全后, 经酸化, pH 为 2. 65, 配合物不分 解,最大吸收峰不位移. 实验证明, 钴以二价态参与反应. Co(Ⅱ)与 T( 4 -MO-3-SP) P 的配位比为 1∶ 1, Co (Ⅱ)含量在 0～ 3. 0μ g/25m L 范围内符合比耳定律, 摩尔吸光系数 ε=1. 95×105L·mol-1·cm-1, 回归方 程 y =0. 009933 +0. 1222x, 相关系数 r = 0. 9991. 实验测定 VB12针剂中 Co(Ⅱ)含量 ,结果满意.     

He-HF振转相互作用势及其散射动力学

本文拟合在对称性匹配微扰理论(SAPT)水平下计算的He-HF范德瓦耳斯复合物的相互作用能,获得了He-HF解析振转相互作用势.这个势能面(HF分子的键长取平衡核间距0.091696nm)上存在两个线性极小,即He-HF和He-FH构型,He原子到HF质心的距离分别为0.319nm和0.296nm,键能分别为-38.33cm-1和-33.62cm-1.在此势能面上使用密耦方法计算了碰撞能量分别为480,1000,1500,2000和2500cm-1时的积分截面和分波截面,发现振转相互作用势的精确性不仅表现在它与Lovejoy等人提出的经验势符合较好,而且还复制了碰撞能量为480cm-1时的实验态-态积分截面.在此基础上,进一步讨论了分波截面随碰撞参数的变化趋势以及振转势能面对弹性和非弹性分波截面的影响.     

CS-PAA聚电解质络合物的形成及其机理研究

壳聚糖 (CS)和聚丙烯酸 (PAA)在不同的 p H值下以不同的比例混合 ,当离子强度在 0 .1～ 0 .3范围内时 ,形成的聚电解质络合物 (PEC)的量通过测定悬浊液在 42 0 nm处的浊度来确定 .在 p H=2时 ,没有 PEC生成 ;在 p H=3～ 6时 ,PEC形成的最大量出现在不同的混合比处 .该范围内离子强度对 PEC的形成影响并不大 .通过对上清液 p H值的测定分析得知在 p H=3～ 5时 ,混合物的 p H值随着 PEC的生成量增大而减少 ,而在 p H≥ 6时 ,混合物的 p H值随着 PEC的生成量增大而增大 .由此可推测 PEC形成的机理是 PAA的羧基和 CS的氨基基团之间发生静电作用 ,这一点亦可通过对不溶的 PEC的红外光谱进行分析来证实 .