采用B样条计算量子点量子阱中氢原子能谱

介绍了一种被称为量子点量子阱 (Quantum- dot quantum wells简称 QDQWs)的新型半导体材料 ,并为其建立了合适的计算模型 .再以 B样条为展开基函数 ,采用变分法对其进行了计算 ,得到了量子点量子阱中氢原子能谱 .计算结果表明 ,当 QDQW的半径 (或核半径 )增大时 ,给体能级随之减小并逐步陷入小阱深度内 .因此只要适当地改变这种新材料的周期性 ,则施主粒子的波函数、能量等性质就可以人为控制 ,从而可进一步控制半导体材料的光学性能 .同时 ,B样条基函数对于计算局限在有限范围内量子体系的波函数和能量是十分有效的     

与量子尺寸和几何相关的PbSe/CdSe/ZnSe量子点量子阱的自发辐射

本文研究了双壳层核壳结构量子点带间自发辐射特性,采用有效质量近似理论计算了球形和圆柱形PbSe/CdSe/ZnSe核壳结构量子点的本征能量和本征波函数以及系统能级Ec1和Ev1之间的自发辐射.进一步讨论了球形PbSe/CdSe/ZnSe量子点中,CdSe壳层厚度对自发辐射谱的影响以及柱形PbSe/CdSe/ZnSe量子点中,CdSe壳层厚度和圆柱体的高度变化对自发辐射谱的影响.分析结果表明,球形量子点的壳层厚度增加对导带和价带最低能级间的自发辐射率没有太大的影响.而圆柱形量子点的壳层厚度和高度的增加都会导致量子点系统导带和价带最低能级间的自发辐射率谱的蓝移.     

用B-Splines有限基矢集计算强电场中锂原子的能级

讨论了电场中碱金属原子能级的Ｂ－Ｓｐｌｉｎｅｓ（基样条）计算方法，并采用基样条作为基矢集组成波函数，计算了０～４．５ｋＶ·ｃｍ－１电场中锂原子能级结构．结果与实验符合得很好，这表明基样条方法对强场中原子能级计算具有极大的优越性．根据计算结果，本文还对原子实和外电场对原子能级的影响作了讨论     

一种改进的求解三体问题的超球方法

提出了一种改进的在超球坐标下高精度、高效率求解库仑三体束缚态的方法,并计算了弱束缚库仑三体体系氢负离子的基态能量.该方法利用B样条函数的高局域性和高可塑性质,通过优化样条节点分布得到了小基组情况下高精度的超球势曲线与道函数;利用离散变量表示（DVR）把超径耦合微分方程转化为超径本征值问题的求解,不仅减少了计算量也提高了数值计算的精度与稳定性,克服了以往直接求解超径耦合微分方程精度不高、计算量大的缺点.所得结果的迄今超球方法框架下最精确的结果之一,即8位有效数字的精度.     

GaN量子点基于电磁感应透明的慢光效应

通过分析介质的有效复极化率,研究了GaN球形量子点基于电磁感应透明(EIT)的慢光效应.分别用一带和六带有效质量理论计算了GaN量子点的能级结构,模拟了探测光的吸收谱、色散谱以及放慢因子随耦合光强的变化,并考虑了失相率和耦合光失谐对放慢因子的影响.研究结果表明,慢光因子存在最大值,取最大值时所对应的耦合光强与失相率相关,耦合光越强电磁感应透明现象越明显,耦合光失谐不影响放慢因子的大小.     

势能的分析模型计算GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs调制掺杂异质结中的电子能极(英文)

本文提出一个用于计算GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs调制掺杂异顺结中准二维电于气体的能级的势能分析模型,该模型的计算结果与自洽计算结果相符合,并且电子的波函数以及电子的势能可以用简单的解析式表示出来,应用该模型计算电子能级是一种简便可行的方法。     

地质建模中的B样条曲面拟合

Pigel和Tiller提出了简明、灵活的B样条曲面拟合方法.本文在Pigel和Tiller的方法的基础上,提出了适用于地质建模的基于重采样的B样条曲面拟合方法.该方法首先用重心坐标对原始的数据点进行重采样,然后对重采样得到的数据点进行拟合.拟合的误差可以通过修改控制顶点的个数来控制.结果表明:拟合得到的B样条曲面是光顺的.     

带法向约束的3次均匀B样条曲线插值

基于3次均匀B样条曲线段的端点性质,及其与控制顶点构成的三角形的几何关系,提出了一种插值给定顶点与法向约束的3次均匀B样条曲线构造算法.与以往B样条曲线的顶点法向插值算法不同的是,本算法结合由控制顶点构成的三角形的几何性质求解新添加的控制顶点,可生成严格插值型值点并且在型值点处法向与给定法向无偏移的B样条曲线.     

水溶性CdTePCdS量子点荧光探针同步荧光法测定DNA

以巯基丙酸（HS-CH2CH2COOH）为稳定剂，水相合成了核壳型CdTePCdS量子点（QDs）．当固定波K差为240nm时，CdTePCdS量子点的同步荧光最大发射位于338nm．基于DNA对量子点荧光的猝火效应，将CdTePCdS量子点作为荧光探针建立了一种简便快速测定DNA的同步荧光分析法．详细研究了pH值、量子点浓度、离子强度、温度等条件对量子点同步荧光及DNA测定的影响．该方法测定ctDNA的线性范同为50．0～750．0μg／L，检出限为16ug／L，9次重复测定500ug／L ctDNA的相对标准偏差为2．0％．该方法用于合成样品的测定，结果满意．     

一种改进的B样条曲线曲面正交距离拟合算法

提出了一种改进的B样条曲线曲面拟合的正交距离算法.在此类算法中,需要求解点投影问题以得到数据点的垂足,考虑到控制顶点对投影的影响,利用泰勒展式对投影算法的初值进行修正,加快了求解点投影问题的速度,从而提高了拟合算法的稳定性和效率.数值实验表明,改进算法比修正前的方法更加稳定,与变量投影法及LBFGS算法相比,达到最优解的计算时间更短,迭代步数更少.     

强磁场中氢负离子的基态与低激发态

在球坐标系下采用组态相互作用方法,计算了磁场中氢负离子基态与低激发态的能量和结合能.在径向采用高阶B-spline基组,有效地处理了电子关联;角向采用超球谐函数基组,简化了矩阵元角度部分的计算,使计算效率得到了大幅度的提高.用上述方法计算的磁场中氢负离子基态与低激发态能量的高精度结果与已有理论和计算数据作了详细的比较.结果表明,此方法适用于磁场为β=0.000 1~1.0（此处β=1.0时,对应磁场为4.710 8×105T）范围内的精确计算.     

二维量子点阵列的能带结构的初步研究

本文计算了由GaAs/AlGaAs量子点构成的二维量子点阵列的能带结构。其中,对圆形量子点构成的二维阵列采用了紧束缚方法,而对二维Kronig-Penney模型采用微扰法。     

优化端点条件的平面二次均匀B样条插值曲线

在利用反求法构造B样条插值曲线时，往往需要选取端点条件。 因此，可对端点条件进行优化选取，使得构造的B样条插值曲线满足特定要求。提出了一种利用曲线内能极小选取平面二次均匀B样条插值曲线端点条件的算法。首先给出了二次均匀B样条插值曲线分控制顶点与首个控制顶点（即端点条件）的递推关系式；然后给出了利用曲线内能极小优化选取首个控制顶点的算法，证明了利用该算法构造的C¹连续二次均匀B样条插值曲线为保形插值，并通过数值算例证明了算法的有效性；最后，为便于实际应用，基于MATLAB平台设计了算法所对应的图形用户界面，用户通过简单的操作即可获得光顺的C¹连续二次均匀B样条保形插值曲线。     

磁场下有原子自旋轨道耦合的各向异性量子点的精确解析传播子

量子力学中很少有系统能够精确地计算传播子, 特别是在考虑了自旋轨道耦合效应的情况下. 利用相空间的群论方法, 首先导出了有原子自旋轨道耦合的各向异性量子点传播子的精确解析表达式. 随后利用传播子来计算自旋高斯波包的演化与相应的概率密度, 并研究了原子自旋轨道耦合效应和磁场强度对距离期望值的影响.     

Mg 3sns 1~S_0 Rydberg态的能级和寿命

利用多通道量子数亏损理论对最近发表的Mg 3sns'S_0 Rydberg态之能级位置进行了研究.结果不仅证实了已测得的数据,还预言了尚未测量的较高的能级.利用同一组参数计算了一部分能级的自然辐射寿命,其结果也与相应的实验结果相一致.     

InAs量子点的结构及光学性质研究

采用分子束外延技术在(001)GaAs衬底上生长了多层InAs量子点，原子力显微镜观测了生长在表面的量子点，用透射电子显微镜观察到五层量子点截面像，傅立叶变换光谱仪测试量子点光致发光谱．原子力显微镜以及透射电镜观察结果表明：第一层量子点为椭圆状；上面四层为透镜状量子点，呈现明显的垂直对准，且量子点的密度下降，大小趋向一致．样品中有些位置不同层的量子点连成一线，其边缘存在应力．由于第一层量子点与其他四层量子点的大小、形状不同，导致量子点光致发光峰的半高宽增加．     

InGaN／GaN量子阱动力学特征分析

采用单最子阱近似模型,对InGaN/GaN量子阱中的激子和电子在带子带间跃的光吸收效应进行了理论分析和数值计算。结果表明,In是含量对激子的能量影响较大,而量子阱宽度的变化也对激子的能量有着微调作用,导带中电子从基态至第一激发态跃迁的吸收峰比较明显,随着In的含量增加,量子阱中的激子能量间隔增大,吸收谱线的峰值位置会发生蓝移。