| Mn+注入p型GaN薄膜的结构和磁学特性 |
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| 引用本文： | 石瑛,林玲,蒋昌忠,付德君,范湘军.Mn+注入p型GaN薄膜的结构和磁学特性[J].武汉大学学报(理学版),2004,50(5):555-558. |
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| 作者姓名： | 石瑛 林玲 蒋昌忠 付德君 范湘军 |
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| 作者单位： | 武汉大学,物理科学与技术学院,湖北,武汉,430072 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(10205010)，教育部留学回国人员科研启动基金，中国科学院核分析技术研究实验室资助项目 |
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| 摘 要： | 用低压MOCVD法在(0001)面的蓝宝石衬底上生长纤锌矿结构的GaN.GaN膜总厚度为4μm,包括0.5μm掺Mg的p型表面层.Mn 离子注入的能量为90keV,剂量为1.0×1015～5.0×1016cm-2,被注入的p型GaN处于室温.对注入样品的快速热退火处理是在N2气流中进行的,温度约为800℃,时间为30～90s.采用X射线衍射(XRD)、卢瑟福背散射(RBS)和原子力显微镜(AFM)研究,发现Mn 注入GaN膜的结构受注入剂量和退火条件的控制.通过超导量子干涉仪(SQUID)分析,在Mn 注入剂量为5.0×1015cm-2、并经850℃退火30s的GaN膜中发现了铁磁性,表明离子注入方法是进行GaN掺杂改性的有效手段.
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| 关 键 词： | GaN薄膜 结构 磁性 离子注入 半导体材料 超导量子干涉仪 |
| 文章编号： | 1671-8836(2004)05-0555-04 |
| 修稿时间： | 2004年4月9日 |
Structural and Magnetic Studies of Mn+ Implanted GaN Films |
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| SHI Ying,LIN Ling,JIANG Chang-zhong,FU De-jun,FAN Xiang-jun.Structural and Magnetic Studies of Mn+ Implanted GaN Films[J].JOurnal of Wuhan University:Natural Science Edition,2004,50(5):555-558. |
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| Authors: | SHI Ying LIN Ling JIANG Chang-zhong FU De-jun FAN Xiang-jun |
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| Keywords: | GaN films ion implantation structure magnetism |
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