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单分子电子器件的电子传输特性是当前分子电子学领域研究的热点.本文采用第一原理的ab inito法与格林函数方法,对Au电极-碳原子线-Au电极体系的电子结构以及电子传输等特性进行了分析,给出了C5、C10与C15原子线的电导 -电压曲线与伏安曲线.研究结果表明:碳原子线与Au电极之间的"接触"(结合)既有共价键的成分,又有离子键的成分;碳原子线的电导率及伏安特性具有特殊的量子效应和尺寸效应. 相似文献
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采用基于密度泛函理论(DFT)和非平衡格林函数(NEGF)的第一性原理方法对富勒烯C32分子及在C32分子的距离最远的两个碳原子处连接Au(1,1,1)电极的分子器件进行了电子结构和电子输运性质的研究.考虑到中间分子与Au电极间距离变化的情况,通过计算得出了在不同距离下分子器件的电子传输谱和I-V特性,分析了各器件的电子结构和电子输运特性产生的原因,并分析了电极与中间分子的连接距离及门电压对分子器件电子输运的影响.得出了电极与所连接的中间分子之 相似文献
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采用量子分子动力学技术,模拟了C60、C60F60与C60H60分子的压缩过程,计算了这些"分子滚珠"受压变形后的电子结构.根据计算结果,对比、分析了三种分子的压缩力学特性以及压缩变形对其电子结构的影响.研究表明,1)三种分子的抗压缩载荷与能量吸收能力有C60F60>C60H60>C60的排序,但抗变形能力相当;2)随着压缩变形的增大,三种分子的化学活性增加,但相同应变下,C60F60和C60H60分子有着比C60更好的化学稳定性. 相似文献
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本文采用基于第一性原理的密度泛函理论和非平衡格林函数方法研究了C36分子的电子结构和电子传导特性.本文以Au(1,1,1)为电极分别建立了4个电子输运模型,分别计算了他们的电子传输概率、伏安曲线,同时分析了产生这些分子器件电子输运性质的原因.研究计算结果发现, C36的电子输运主要发生在分子壳上,当左、右电极分别连接在第6号和第35号碳原子两端时,C36的电子输运性能最好,伏安曲线显示该分子具有半导体特性. 相似文献
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运用密度泛函理论对Si60团簇的结构进行几何优化,得到基态结构是一个直径为1.131 nm,平均键长为0.239 nm,分子最低未占据轨道与最高占据轨道能量差即能隙值为0.72 eV,具有C1点群的空心笼状结构.然后把它与两半无限的Au(100)-4×4电极相连构成Au-Si60-Au三明治结构分子结点,运用密度泛函理论结合非平衡格林函数的方法对其电子输运性质进行了第一性原理计算.当两电极的距离为1.74 nm时,分子结点的平衡电导为1.93G0(G0=2e2/h),然后在-2.0—2.0 V的电压范围内,计算了不同电压下的电导与电流,得到其I-V曲线成近线性关系,从分子前线轨道与透射谱分析了Si60分子的电子输运特性,讨论了电荷转移量与电导之间的关系. 相似文献
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本文构建了Au原子面为电极的富勒烯C50分子的电子输运模型, 使用非平衡格林函数方法(Non-equilibrium Green's function, NEGF)对构建的Au电极和C50分子构成的分子器件进行了电子传输性质的计算. 通过计算得出了电子透射谱、电导曲线和电流电压曲线, 分析了产生这个分子器件电子输运性质的原因. 研究计算结果发现:C50分子具有量子器件的开关特性,并具有明显的半导体特征. 相似文献
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采用基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)和非平衡格林函数(NEGF)方法对嵌入Na和Mg的富勒烯C32分子Mg@C32和Na@C32连接面电极Au(1,1,1)所构成的分子器件进行了电子结构与传输特性的理论研究.得出了2个分子桥的电子结构、电子传输概率及伏安(Ⅰ-Ⅴ)特性.分析了影响电子结构与电子传输特性的因素.结果表明,金属Mg原子和Na原子的嵌入都大大增强了C32分子的电子传输性能. 相似文献
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本文利用基于密度高泛函理论(DFT)和非平衡格林函数的第一性原理方法对富勒烯C72分子及连接电极构成的C72分子器件进行了电子结构及电子输运性质的研究.计算出了电子透射谱和分子轨道分布,分析了器件的电子结构和输运性质的产生原因. 结果显示C72分子器件的电子传输主要集中在分子壳上. 伏安曲线显示C72分子具有半导体特征. 相似文献