广义H non映射的滑模变结构控制同步

基于可线性化的非线性离散变结构跟踪控制方法实现了广义H non映射混沌系统的同步 .广义H non映射的混沌吸引子比H non映射的混沌吸引子要复杂得多 ,对于保密通信来说 ,这种复杂性正是所期望的 .提出的同步方法允许参数有适当的失配程度 ,这对工程实现是非常有利的 ,理论分析和仿真结果证实了该方法的有效性     

广义Hénon混沌系统的自适应双模控制与同步

提出一种广义Hénon映射的自适应双模控制与同步方法.广义Hénon映射的混沌吸引子比Hénon映射的混沌吸引子更复杂,控制与同步困难,对于保密通信来说具有更高的安全性.该方法采用自适应双模控制,实现了广义Hénon映射的追踪控制与同步,提高了受控系统抑制参数摄动和随机扰动的能力,改善系统的鲁棒性.仿真结果验证了该方法的有效性.     

Hénon混沌系统的追踪控制与同步

基于离散线性系统的稳定性理论,实现了Hénon混沌系统对参考信号的追踪控制.讨论了系统的同步问题,给出了“异结构混沌同步”的新概念.数值仿真表明了本文方法的有效性 关键词： Hénon混沌系统 追踪控制 混沌同步     

Hénon映射的噪声诱导间歇现象及其临界值估算研究

本文研究了Hénon映射在噪声诱导下发生的间歇现象.通过数值模拟和全局分析手段,揭示了噪声诱导间歇现象的机理.基于随机敏感度函数法,通过检测噪声作用下周期吸引子的置信椭圆与混沌鞍的碰撞情况,给出了诱发间歇现象的噪声强度临界值的估算方法.结果表明,Hénon映射中噪声诱导间歇现象是由随机周期吸引子和混沌鞍不稳定流形的相互作用引发,随机敏感度函数的方法可以较好地估算发生间歇现象的噪声强度临界值.     

Hénon混沌系统的广义预测控制与同步快速算法

提出了一种带有终端滑模等式约束的Hénon混沌系统的广义预测控制快速算法.该方法将广义预测控制与离散滑模控制结合起来运用到Hénon混沌系统中，并采用柔化输入信号的方法，避免了广义预测控制算法中的高维矩阵求逆.占用内存小，计算速度快，并且具有较强的跟踪给定信号和抑制系统参数摄动和随机噪声的能力.仿真结果验证了该方法的有效性和快速性. 关键词： 广义预测控制 离散滑模控制 Hénon混沌系统 混沌同步     

Hénon混沌系统的自适应预测函数控制快速算法

提出了一种带有预测函数的Hénon 混沌系统的广义预测控制快速算法.首先用时变遗忘因子的递推最小二乘方法辨识混沌系统,然后在广义预测控制的基础上引入了预测函数控制方法,并充分利用了预测信息的补偿作用.这种算法克服了广义预测控制中求解逆矩阵的缺点,提高了系统响应的速度,并且具有较强的跟踪给定信号、抑制系统参数摄动和随机噪声的能力.仿真结果验证了该方法的有效性. 关键词： 广义预测控制 预测函数 Hénon 混沌系统 参数辨识     

Hénon混沌系统的预测控制与同步

用带有终端滑模等式约束的模型预测控制方法,对Hénon映象和Logistic映象的追踪控制和同步进行研究.由于滑动模态的引入,提高了受控系统抑制参数摄动和随机扰动的能力,改善了控制系统的鲁棒性,实现了系统对参考信号的追踪控制.数值仿真表明了该方法的有效性. 关键词： Hénon系统 预测控制 混沌同步     

Hénon混沌系统广义预测控制无静差快速算法

提出了一种具有无静差跟踪性能的Hénon混沌系统广义预测控制快速算法.采用改进的时变遗忘因子递推最小二乘方法辨识混沌系统,通过在常规广义预测控制性能指标函数中引入前馈增益矩阵与柔化矩阵,并将MP神经元网络与BP算法相结合在线调整柔化因子,实现系统对参考信号的无静差快速跟踪.该算法避免了矩阵求逆计算,能够很好地跟踪参考信号.仿真结果验证了该方法的有效性. 关键词： 广义预测控制 Hénon混沌系统 前馈增益矩阵 柔化矩阵     

基于改善空间关联性的混沌控制

基于混沌信号的统计特性，提出了一种通过改善混沌信号的空间关联性实现混沌控制的方法.以Hénon离散混沌系统和四阶Chua's电路超混沌连续系统为例进行了数值研究，验证了这种控制方法的有效性.结果表明， 通过改善混沌信号之间的空间关联性， 混沌系统能以较快的速度收敛到它的平衡点或多种周期轨道. 关键词： 混沌控制 空间关联性 Hénon系统 四阶Chua's电路     

Hénon混沌系统的自适应广义预测控制快速算法

提出了一种带有约束矩阵的Hénon 混沌系统的广义预测控制快速算法,首先用带有遗忘因子的递推最小二乘参数辨识法来逼近混沌系统,然后该算法引入了一种约束矩阵,约束矩阵的引入避免了矩阵求逆的计算,占用内存小,计算速度快,并且具有较强的跟踪给定信号和抑制系统参数摄动和随机噪声的能力.仿真结果验证了该方法的有效性. 关键词： 广义预测控制 约束矩阵 Hénon混沌系统 参数辨识     

核磁共振碳谱研究:烷烃化学位移和(CSS)与分子路径指数矢量(VPM)

系统研究了核磁共振碳谱和化学位移规律及其定量构谱关系(QSSR).本文研究了一组十元素分子路径指数矢量VPM,并发现它与烷烃化学位移和CCS有良好线性相关性.采用多元线性回归进行准确估计与预测,结果优良.     

Reduced s-d model with antiferromagnetically coupled impurity spins

An antiferromagnetic equivalent-neighbour Heisenberg interaction H_i between impurity spins is added to the reduced s-d Hamiltonian H_r previously introduced by simplifying the Kondo s-d exchange Hamiltonian H_K. Asymptotic mean-field theory is developed for H_r + H_i, in the presence and absence of external magnetic field, and applied to (La_1−xCe_x)Al₂ alloys. Specific heat c_i(T) and zero-field susceptibility χ_i(0,T) curves for (La_1−xCe_x)Al₂ are depicted. The coupling constants of H_r + H_i and conduction bandwidth are adjusted so that T_c temperatures for x = 0.2, 0.1 are equal to the experimental values. c_i(T) exhibits a jump at T_c and is decreasing for T < T_c. χ_i(0,T) has a first order pole at T_c which corresponds to the maximum of experimental susceptibility and χ_i(0,0) > 0. These results improve those obtained earlier on the grounds of H_r theory.     

Interrelations of discrete Painlevé equations through limiting procedures

We study the discrete Painlevé equations associated to the affine Weyl group which can be obtained by the implementation of a special limits of -associated equations. This study is motivated by the existence of two -associated discrete both having a double ternary dependence in their coefficients and which have not been related before. We show here that two equations correspond to two different limits of a -associated discrete Painlevé equation. Applying the same limiting procedures to other -associated equations we obtained several -related equations most of which have not been previously derived.     

反向衬底偏压下纳米N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中栅调制界面产生电流特性研究

研究了反向衬底偏压V_B下纳米N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中栅调制界面产生(GMG)电流I_GMG特性, 发现I_GMG曲线的上升沿与下降沿随着|V_B|的增大向右漂移. 基于实验和理论模型分析, 得出了V_B与这种漂移之间的物理作用机制, 漂移现象的产生归因于衬底偏压V_B 调节了表面电势φ_s在栅电压V_G 中的占有比重: |V_B|增大时相同V_G下φ_s会变小, φ_s 的变化继而引发上升沿产生率因子g_r减小以及下降沿产生率因子g_f增大. 进一步发现I_GMG 上升沿与下降沿的最大跨导G_MR, G_MF 在对数坐标系下与V_B成线性关系, 并且随着|V_B|增加而增大. 由于漏电压V_D在I_GMG 上升沿与下降沿中的作用不同, 三种V_D下G_MR-V_B曲线重合而G_MF-V_B曲线则产生差异. 增大V_D 会增强g_f 随V_G的变化, 因此使得给定V_B 下的G_MF变大. 同时这却导致了更大V_D下G_MF-V_B 曲线变化的趋势减缓, 随着V_D从0.2 V变为0.6 V, 曲线的斜率s从0.09减小到0.03. 关键词： 产生电流 表面势 衬底偏压 N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管