HL—1M装置边缘等离子体测量

本文研究了ＨＬ－１Ｍ装置运行初期第一壁材料对等离子体删削层杂质流通量及分布的影响，并与ＨＬ－１装置的结果进行比较。利用热通量探针测量，给出了ＨＬ－１和ＨＬ－１Ｍ装置删削层的热通量分布。在不同运行状态下，利用马赫探针组，测量了ＨＬ－１Ｍ装置边缘等离子体流的变化特性。     

HL—1M装置第一壁研制

介绍了ＨＬ－１Ｍ装置第一壁的设计和研制概况，给出了石墨材质的主要性能测试和实验结果，概述了第一壁设计加工，安装等工艺流程和技术要求。ＨＬ－１Ｍ装置的运行结果表明，第一壁能满足辅助加热实验的要求。     

HL—1M装置的密度极限研究

描述了ＨＬ－１Ｍ 装置欧姆加热状态下的密度极限,该密度极限是放电破裂前的最高密度值。通过比较氘、氢放电,硅化前后的放电,超声分子束注入、冰弹丸注入和脉冲送气放电,发现ＨＬ－１Ｍ装置的壁条件、加料方式以及氢同位素对ＨＬ－１Ｍ 装置的密度极限影响很大。产生密度极限破裂的原因主要是等离子体约束变差,总体辐射损失与欧姆加热功率平衡被破坏     

HL—1M托卡马克装置的DC辉光放电清洗

本文简要叙述了ＨＬ－１Ｍ的ＤＣ辉光放电清洗技术和放电结果。实验表明，类似ＨＬ－１Ｍ托卡马克装置的真空室，经过烘烤，Ｔａｙｌｏｒ放电和ＤＣ放电清洗后，有可能得到高品质的等离子体。     

用HL—1M装置LHCD的多结发射天线阵

采用对天线阵主要物理参数优化设计的方法，研制出了用于ＨＬ－１Ｍ装置ＬＨＣＤ实验的兆瓦级多结发射天线阵。研制出的天线阵为双层密封窗２×１２多结型天线阵，投入使用后经受住了大功率微波的考验，已成功地用于ＨＬ－１Ｍ装置的ＬＨＣＤ实验。     

HL—1M装置欧姆等离子体实验的初步分析

从１９９４年１０月２４日开始，对ＨＬ－１Ｍ装置进行欧姆加热等离子体的调试实验，获得了Ｉｐ＝３１０ｋＡ，ｑｎ＜２．５，ｎｃ＝３×１０＾１３ｃｍ＾－３，Ｔｃ（０）＞１ｋｅＶ，Ｔｉ（０）＞０．５ｋｅＶ和τＥ≈１０ｍｓ的平衡稳定等离子体。本文简述了ＨＬ－１Ｍ装置及其诊断等的实验结果进行了初步分析和讨论。     

中国环流器新一号（HL—1M）装置研制

ＨＬ－１Ｍ装置是由ＨＬ－１托卡马克改建成的，从１９９４年１０月起，已成功地投入运行。它们是一个中型圆截面托马克装置，但去掉了铜导体壳，以 便以地等 体进行高功率辅助加热，低杂波电流驱动和弹丸注入等研究。     

HL—1M装置的真空抽气系统

本文叙述了ＨＬ－１Ｍ装置真空轴气系统的设计、调试、同时结合装置运行说明抽气效果。     

HL—1M装置的真空抽气系统

本文叙述了ＨＬ－１Ｍ装置真空轴气系统的设计、调试、同时结合装置运行说明抽气效果。     

HL—1M装置的真空进展

总结了１９９４ 至１９９８ 年度ＨＬ－１Ｍ 装置的真空进展，包括真空壁条件、真空运行参数、放电进展、影响壁条件的主要因素及其控制指标等     

HL—1M装置硼化,硅化和锂涂覆壁的出气特性

借助ＱＭＳ诊断技术，完成了ＨＬ－１Ｍ装置Ｂ化，Ｓｉ化和Ｌｉ涂覆壁的出气特性的对比实验研究。     

HL—1M感应与低杂波组合电流驱动研究

本文结合ＨＬ－１Ｍ的基本参数，利用准线性的低杂波电流驱动理论和等离子体的电回路方程，研究了在控制等离子体总电流不变情形下欧姆感应和低杂洲入组合驱动电流的问题。结果表明，这一组合驱动方案对ＨＬ－１Ｍ装置的运行是可行的，其驱动电流分布可以通过发迹低杂流注入功率、波谱形状、等离子体电子温度、密度以及总等离子体电流等加以控制。     

在HL－1M装置上用弯晶谱仪测量离子温度

本文叙述在ＨＬ－１Ｍ装置上用弯晶谱仪获取Ｆｅ的类Ｈｅ离子谱，用谱线的多谱勒加宽测量等离子体的离子温度，得到的等离子体ＨＬ－１Ｍ装置离子温度为５００—８００ｅＶ。     

HL—1M装置上低混杂波电流驱动实验研究

本文介绍了在ＨＬ－１Ｍ装置上进行的低混杂波电流驱动实验研究。     

二次离子质谱在HL－1托卡马克研究中的应用

应用ＬＡＳ－２０００二次离子质谱表面分析系统作了如下测量：（１）测出ＨＬ－１装置的总出气量以及其主要出气组分的出气量百分比和出气峰值温度等参数；（２）对等离子体－表面相互作用进行了ＳＩＭＳ／蒙特卡洛互补分析，测出等离子体边界层中氢气量径向特征长度和氢粒子注入硅片的特征深度，估算出氢通量平均动力温度；（３）对硅收集探针的ＳＩＭＳ／ＡＥＳ分析表明，ＨＬ－１等离子体删削层中主要杂质组分为Ｏ、Ｃ、Ｎｉ、Ｍｏ和Ｃｒ，同时给出原子密度相对百分比；在ＨＬ－１装置中用原位蒸钛来吸氧、碳杂质，从而提高了等离子体纯度和品质；（４）定期检测表明，装置的器壁表面污染呈减弱趋势，这说明ＨＬ－１真空系统的设计研制及运行维护技术措施等是合适的。     

壁涂覆后和LHCD期间HL—1M装置辐射损失测量

本文叙述了第一壁涂覆和低杂波电流驱动对ＨＬ－１Ｍ装置等离子体辐射损失的影响。     

HL—1M装置改善能量约束实验中反磁测量结果

本文叙述了ＨＬ－１Ｍ装置上利用偏压电极 、弹注入和分子束注入改善等离子体能量约束的放电实验。     

HL—1M装置托卡马克放电的进展

本文给出了ＨＬ－１Ｍ装置托卡马克放电的一些结果。在最初调试阶段，得到了ＩＰ＝３１０ｋＡ，ＶＬ≤１．２Ｖ，持续时间τＰ≥１０４０ｍｓ的等离子体。随着实验技术的改进，等离子体参数不断提高，等离子体存在时间成倍增长，密度极限也在提高。     

HL—1M装置等离子体离子温度测量

在ＨＬ－１Ｍ托卡马克装置上，利用８通道中性粒子能谱仪测量的等离子体离子温度。在等离子体电流和密变化、激光吹气、弹丸注入，超声分子束注入和低混杂波加热等实验条件下，观测了Ｔｉ的变化。     

HL—1M的最新结果及等离子体性能的改善

本文综述了在ＨＬ－１Ｍ装置上进行的实验研究。完成了诸如壁处理，等离子体平衡控制、新加料技术、高功率辅助加热、改善约束等物理实验。