BiB3O6晶体主轴折射率及其温度系数

利用自准直法，在30℃到170℃温度范围内分别测量0.4880 μm、0.6328 μm、1.0640 μm、1.3414 μm等波长下BiB₃O₆(BIBO)晶体的主轴折射率.得到不同温度下的Sellmeier方程及各主轴折射率的温度系数.计算了1.0795 μm下BIBO晶体的的主轴折射率.与实验测量的结果进行比较，两者的差异不大于2×10－4.     

宽波段高优值声光晶体-PbBr2

用坩埚下降法沿[001]方向生长了长度为60mm、直径为25mm的溴化铅晶体,测定了其折射率主轴方位及其主折射率,测得该晶体的透过率范围复盖03μm～25μm的整个区域.     

Nd∶YAG晶体1.064 μm受激发射截面随温度变化特性研究

测量了Nd∶YAG晶体从-70℃到+80℃不同温度下的荧光发射光谱和荧光寿命,计算了该晶体在不同温度下1.064 μm受激发射截面,首次获得在此温度变化范围内受激发射截面随温度的线性变化关系.     

Cr∶Nd∶GSGG晶体1.061 μm受激发射截面随温度变化特性研究

测量了Cr∶Nd∶GSGG晶体从 - 70℃到 +80℃温度下的荧光发射光谱和荧光寿命 ,计算了该晶体在不同温度下 1 .0 61 μm受激发射截面 ,获得在此温度变化范围内受激发射截面随温度的线性变化关系     

晶体的双参量调制及其应用

利用折射率椭球分析法,分析了某些具有多重光学效应的光学晶体在两个外场同时作用下的一些特有调制规律.结果表明,当晶体的折射率椭球方程的三个交叉项中只有一项x1x2不为零时,可以得到其外场诱导新主轴折射率及其主轴取向的简单计算式.据此可以揭示出某些晶体在两个外加电场同时作用下将具有双横向电光Pockels效应,例如ˉ6点群的电光晶体.但一般晶体在双横向应力作用下不具有与双横向电光效应类似的调制特性,其弹光双折射大小与其应力差成正比,其双折射主轴方向一般为固定值.在相互垂直的外加应力和电场同时作用下,某些晶体(例如ˉ43m点群晶体)的双折射大小与外加应力和外加电场的加权几何平均值成正比,且新折射率主轴旋转角由外加应力和外加电场的比值来确定.晶体的上述双参量调制特性对设计新型光学调制器或传感器具有重要指导意义.     

高掺镁铌酸钾晶体的主折射率及其温度系数的测量

本文报道掺5mol%MgO的铌酸锂(liNbO_3)晶体的主折射率n_o、n_o及其温度系数.用自准直法在0.5398μm、0.6328μm、1.0795μm和1.3414μm波长上,并在20℃～160℃温度范周内,测量了该晶体的主折射率,并获得在这些波长上的折射率温度系数.修正的Sellmeier方程的常数也在20℃～160℃温度内推算出.用此结果计算室温的二次谐波I类临界相位匹配角与实验值符合得很好,又计算二次谐波的非临界相位匹配温度,其结果也与实验值较符合.     

Nd^3＋：YAlO3晶体折射率温度系数的表示式

建立了Nd~(3+):YAlO_3(Nd:YAP)晶体折射率温度系数的表示式,该式得到的结果与测量值间具有较好的一致性。利用这个式子可以计算0.5398μm～1.0795μm波长范围311K～455K温度范围内Nd:YAP晶体的折射率温度系数。     

PbBr2晶体的折射率研究

本文报道了ＰｂＢｒ２晶体折射率主轴的方位和它的主折射率的测量。     

液芯高双折射率光子晶体光纤的特性研究

设计了一种纤芯区域由中心椭圆缺陷孔和其横排的上下两侧椭圆孔组成的高双折射率光子晶体光纤,并在其纤芯中心椭圆缺陷孔中填充高折射率液体物质二硫化碳.利用有限元法分析了该光子晶体光纤的双折射率、功率限制因子、模场分布及色散系数特性.研究结果表明:液芯光纤具有较高的纤芯功率限制因子,在波长0.6~1.6μm范围内实现了宽带大负色散系数,在波长1.55μm处光纤双折射率达到了6.8×10-2,即该结构液芯光子晶体光纤同时实现了宽带大负色散和高双折射率特性.通过结构参量容差性分析得到该光纤具有较好的偏振稳定性.     

可调谐光子晶体微环腔型光分叉复用器的设计

提出了一种基于二维光子晶体微环腔的新型光分叉复用器,并可以通过改变环区的硅介质柱的折射率实现波长调谐.运用经典的微环自由光谱范围FSR和微环半径R的关系,证实新型的光子晶体微环腔也满足该关系.利用二维时域有限差分法系统分析了下路信号波长及相应效率随折射率的变化关系.结果表明,只需改变环区折射率0.005,下路波长就可以漂移1 nm,而有效微环半径还不足1.4 μm.     

高掺镁LiNbO3晶体折射率温度系数的表示式

推导了掺５ｍｏｌ％ＭｇＯ的ＬｉＮｂＯ３晶体折射率温度系数的表示式。利用这些表示式可以计算２９３～４２８Ｋ温度和０．５３９８μｍ～１．３４１４μｍ波长范围内的折射率温度系度，结果表明：计算值和实验值的最大相对偏差是１２％，用具有最大相对偏差的折射率温度系数的计算值，计算１．０７９５μｍ波长的非临界相位匹配温度，其值为３８２．４Ｋ，它与实验值仅差６Ｋ。因此，本文得到的表示式，对于采用这种晶体，设计在上     

石英晶体的色散方程及折射率温度系数

研究了石英晶体在不同温度下折射率随波长的变化规律.通过对Sellmeier方程严格求解，得出了其系数表达式，计算出了不同波长对应的折射率，经验证与实验值符合得很好.通过曲线拟合求解出了折射率温度系数表达式，由此式可计算出不同波长折射率温度系数；进一步求解出了Sellmeier方程常量随温度变化地数值，得到求解不同温度任意波长的石英晶体主折射率的一种方法.     

改性KTP晶体主折射率及主折射率温度系数的测量

报道了用自准直法在０．５３９８μｍ、１．０７９５μｍ和１．３４１４μｍ激光波长上测量了摩尔比为０．０７５的Ｎｂ：ＫＴｉＯＰＯ４晶体的主折射率及其温度系数,得到了该晶体的塞耳迈耶尔方程,用此结果计算了该晶体对１．０７９５μｍＮｓｄ：ＹＡｌＯ３激光倍频的Ⅱ类最佳相位匹配角,计算结果与累进发符合。     

Accurate measurement of the main refractive indices and thermo-optical coefficients of the calcite crystal

The main refractive indices of calcite crystal are measured by the means of auto-collimation, and the thermo-optical coefficients are calculated. The coefficient expression of Sellmeier equation is obtained by solving Sellmeier equation strictly and the refractive indices of different wavelengths are calculated, which accord with experimental esultsery well. The measured main refractive indices of calcite at 488-nm wavelength are identical with the values obtained by Sellmeier equation.     

Cr：Nd：GSGG晶体1．061μm受激发射截面随温度变化特性研究

测量了Cr：Nd：GSGG晶体从-70℃到 80℃温度下的荧光发射光谱和荧光寿命，计算了该晶体在不同温度下1．061μm受激发射截面，获得在此温度变化范围内受激发射截面随温度的线性变化关系。     

沉积温度对硫化锌(ZnS)薄膜的结晶和光学特性影响研究

对不同温度下沉积的ZnS薄膜的结晶情况和光学特性进行了研究, 结果表明：沉积温度对ZnS薄膜的物理和光学特性有较大影响, 不同的温度沉积的ZnS薄膜具有不同的择优取向, 牢固度也大不相同; 不同沉积温度下, ZnS薄膜的光学常数也不尽相同. 温度为115 ℃和155 ℃时, ZnS薄膜的物理性能和光学性能较差, 不适合空间用光学薄膜的研制使用. 而190 ℃和230 ℃沉积温度下所得薄膜具有较好的物理和光学性能, 适合于不同要求的空间用薄膜器件的研制使用. 关键词： 硫化锌薄膜 沉积温度 表面形貌 光学常数     

γ-CuI超快闪烁转换屏的制备与性能表征

以石英基片为衬底,采用真空热蒸发法,通过调控衬底温度制备出了具有微柱结构、柱径在μm量级、厚度约17 μm的γ-CuI超快闪烁转换屏。在X射线激发下,所制备的γ-CuI超快转换屏具有峰位在430 nm的快成分发射峰和峰位在700 nm的慢成分发射带,其中快成分发射峰占总发光的主要部分;随着衬底温度由170 ℃升高至210 ℃,转换屏430 nm发射峰的强度会逐渐减弱,而700 nm发射带的强度则逐渐增强,这可能是由于较高的衬底温度会造成碘流失从而引起转换屏中碘空位增加、铜空位减少所致(Cu/I增大),碘流失的假设得到了卢瑟福背散射实验的验证。γ-CuI超快转换屏的晶体结构呈(111)晶面择优取向,且不随衬底温度而变化,当衬底温度升高至210 ℃时,由于CuI分子获得的动能增加,转换屏还会出现微弱的(220)和(420)晶面的取向。当衬底温度由170℃增至190 ℃时,转换屏的微柱结构会随之优化,微柱结构明显,但当衬底温度进一步增至210 ℃时,由于表面扩散和体扩散效应加剧,微柱结构会随之退化。最后,采用刃边法测量了所制备γ-CuI转换屏的空间分辨率,结果显示170,190和210 ℃衬底温度条件下所制备的转换屏,其空间分辨率分别为：4.5,7.2和5.6 lp·mm-1,微柱结构有助于提高转换屏的空间分辨率。     

烧结温度对La0.9Sr0.1FeO3热电性能的影响

利用传统的固相反应分别在1250℃,1300℃,1350℃.烧结条件下制备出钙钛矿结构的La_0.9Sr_0.1FeO₃陶瓷样品.样品的XRD粉末衍射结果显示不同烧结温度的La_0.9Sr_0.1FeO₃陶瓷样品都是单相的正交结构,同时晶胞体积随着烧结温度的升高而减小.从样品的SEM结果看出,随着烧结温度的升高,晶粒逐渐变大,并且晶粒间的空隙逐渐减小,样品更加致密.在室温到800℃的 关键词： 铁酸镧陶瓷 热电性能 烧结温度