血液中流淌着艺术的物理大师——记Stephan von Molnár教授

说起磁性半导体研究先驱,业内人士可能会想到日本东北大学现任校长,Hideo Ohno教授。可Ohno教授在最近给我的email中评价Stephan von Molnár教授:"He was a great and joyful mentor to us all"。Stephan一生充满传奇色彩:出生于有着高贵艺术血统的家庭,儿童时辗转躲避纳粹的迫害成为小移民,青少年时期活跃在观众欢呼的戏剧舞台。     

第21届国际半导体物理会议在京举行

 1992年8月10日至14日,在北京中国大饭店举行了第21届国际半导体物理会议(ICPS-21).国际半导体物理会议从1950年开始,每两年举行一次,是全世界半导体物理领域最高水平的学术会议.本届会议由我国著名半导体物理学家谢希德教授担任主席.由于她本人和国内外许多知名科学家几年来的不懈努力,终于使这一国际学术界的盛会得以首次在中国举行.著名科学家黄昆教授和华裔美籍物理学家张立纲博士担任本届会议程序委员会主席.国际纯粹与应用物理联合会(IUPAP)半导体委员会的现任主席沈吕九教授和前任主席上村洸教授都出席了本届会议.中国科学院周光召院长出席并致开幕词.     

半导体超晶格国家重点实验室诚聘英才

中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室是以半导体物理研究为主的国家重点实验室,在半导体材料生长、器件加工、物理测试和理论研究方面有着非常雄厚的研究基础,20年来为我国在半导体领域的基础研究方面做出了突出的贡献.现计划在半导体自旋电子学、半导体材料与器件物理     

半导体超晶格国家重点实验室诚聘英才

中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室是以半导体物理研究为主的国家重点实验室,在半导体材料生长、器件加工、物理测试和理论研究方面有着非常雄厚的研究基础,20年来为我国在半导体领域的基础研究方面做出了突出的贡献.现计划在半导体自旋电子学、半导体材料与器件物理     

半导体超晶格国家重点实验室诚聘英才

<正>中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室是以半导体物理研究为主的国家重点实验室,在半导体材料生长、器件加工、物理测试和理论研究方面有着非常雄厚的研究基础,20年来为我国在半导体领域的基础研究方面做出了突出的贡献。现计划在半导体自旋电子学、半导体材料与器件物理以及固态     

半导体超晶格国家重点实验室诚聘英才

<正>中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室是以半导体物理研究为主的国家重点实验室,在半导体材料生长、器件加工、物理测试和理论研究方面有着非常雄厚的研究基础,20年来为我国在半导体领域的基础研究方面做出了突出的贡献。现计划在半导体自旋电子学、半导体材料与器件物理以及固态     

深切悼念黄昆老师

黄昆先生从1951年回国以后，主要从事教育工作，把大部分精力放在教“普通物理”、“固体物理”和“半导体物理”等几门课上．1956年3月我国制定了12年科学技术发展规划，当时任北京大学物理系教授的黄昆先生参与了制定这个规划，他和其他专家一起建议：为了适应迅速发展的半导体科学技术事业的需要，要尽快培养半导体专门人才．不久当时的高等教育部就决定，将北京大学、复旦大学、南京大学、厦门大学和东北人民大学（后改为吉林大学）物理系部分教师和四年级本科生以及研究生从1956年暑假起集中到北京大学物理系。     

黑体辐射公式的多种推导及其在近代物理构建中的意义(IV)

普朗克(Max Planck,1858—1947)生于基尔一个学术之家,其祖父是哥廷恩大学的神学教授、父亲是基尔大学的法学教授,后者于1867年转入慕尼黑大学任教。1874—1879年间,普朗克在慕尼黑大学和柏林大学修习物理(图15)。在慕尼黑大学开始学习初等物理时,普朗克跟随的是Philipp von Jolly(1809—1884)教授,一个认为物理学只有一些洞洞要修修补补的教授(曾精确测量重力加速度),因而他不鼓励普朗克学物理。普朗克回答说他没想做出什么新发现,只是想学会那些基础物理。     

半导体科技史融入半导体物理学课程思政探析

半导体物理学是半导体物理、微电子、集成电路等相关专业最为重要的必修课程之一,同时也是半导体科技人才培养的重要基础课程.本文结合当下国家对高校课程思政的新要求,发挥半导体科技史与科学家精神易与学生产生共鸣的特点,创新性地提出将半导体科技史与科学家精神融入半导体物理学课程思政,通过“上好半导体物理课,讲好半导体物理故事,传递半导体科学家精神”,实现“润思政于无声”.     

我国半导体物理研究进展

简单地回顾了近年来我国半导体物理研究的进展,它包括三个方面,半导体超晶格、微结构;半导体表面、界面和杂质、缺陷;以及半导体新材料、新结构,这些进展说明,半导体物理研究在当代物理学和高技术的发展中都占有突出的地位,它仍是一门年轻的、富有生命力的学科,预期在将来有更大的发展。     

稀磁半导体--自旋和电荷的桥梁

稀磁半导体可能同时利用载流子的自旋和电荷自由度构造将磁、电集于一体的半导体器件．尤其是铁磁半导体材料的出现带动了半导体自旋电子学的发展．室温铁磁半导体材料的制备，半导体材料中有效的自旋注入，以及自旋在半导体结构中输运和操作已成为目前半导体自旋电子学领域中的热门课题．稀磁半导体呈现出强烈的自旋相关的光学性质和输运性质，这些效应为人们制备半导体自旋电子学器件提供了物理基础．     

浅谈半导体激光器在物理实验中的应用

本就半导体激光器与氦氖激光器进行了比较,并简单论述了半导体激光在物理实验中的应用,尤其在“全息照相”中的应用。     

半导体超晶格国家重点实验室诚聘英才

<正>中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室是以半导体物理研究为主的国家重点实验室,在半导体材料生长、器件加工、物理测试和理论研究方面有着非常雄厚的研究基础,20年来为我国在半导体领域的基础研究方面做出了突出的贡献。现计划在半导体自旋电子学、半导体材料与器件物理以及固态量子信息方面招聘人才,研究职位包括固定编制人员、项目聘用人员和博士后。     

半导体超晶格国家重点实验室诚聘英才

中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室是以半导体物理研究为主的国家重点实验室,在半导体材料生长、器件加工、物理测试和理论研究方面有着非常雄厚的研究基础,20年来为我国在半导体领域的基础研究方面做出了突出的贡献.现计划在半导体自旋电子学、半导体材料与器件物理以及固态量子信息方面招聘人才,研究职位包括固定编制人员、项目聘用人员和博士后.     

半导体超晶格国家重点实验室诚聘英才

中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室是以半导体物理研究为主的国家重点实验室,在半导体材料生长、器件加工、物理测试和理论研究方面有着非常雄厚的研究基础,20年来为我国在半导体领域的基础研究方面做出了突出的贡献.现计划在半导体自旋电子学、半导体材料与器件物理以及固态量子信息方面招聘人才,研究职位包括固定编制人员、项目聘用人员和博士后.     

半导体超晶格国家重点实验室诚聘英才

中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室是以半导体物理研究为主的国家重点实验室,在半导体材料生长、器件加工、物理测试和理论研究方面有着非常雄厚的研究基础,20年来为我国在半导体领域的基础研究方面做出了突出的贡献.现计划在半导体自旋电子学、半导体材料与器件物理以及固态量子信息方面招聘人才,研究职位包括固定编制人员、项目聘用人员和博士后.     

半导体超晶格国家重点实验室诚聘英才

中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室是以半导体物理研究为主的国家重点实验室,在半导体材料生长、器件加工、物理测试和理论研究方面有着非常雄厚的研究基础,20年来为我国在半导体领域的基础研究方面做出了突出的贡献.现计划在半导体自旋电子学、半导体材料与器件物理以及固态量子信息方面招聘人才,研究职位包括固定编制人员、项目聘用人员和博士后.     

一代宗师,科学泰斗--黄昆院士

黄昆先生是世界著名的物理学家，他对固体物理学作出了许多开拓性的重大贡献，是我国固体物理学和半导体物理学的奠基人之一．他的理论产生着深远的影响，不仅对固体物理学的发展具有重要的理论意义，而且对信息产业具有重要的现实指导意义．新中国成立以来，他投身于国家教育事业，从事于普通物理、固体物理和半导体物理等的教学工作，培养了一批又一批国家科技栋梁之才．黄昆先生与《物理》有着深厚的缘分，他在《物理》上发表的文章受到读者的广泛关注，令《物理》增色；黄先生也曾多次表示《物理》是他晚年以来唯一坚持阅读的期刊，足见黄先生对《物理》的喜爱．2005年7月6日，黄昆先生不幸逝世，我刊特组织这组文章以表达我们对先生的深切悼念和深深的哀思．伟人已逝，但先生的精神与风范长存．     

石墨烯（Graphene）的速率记录

内禀电子迁移率（intrinsicelectronmobility）是测定电子在晶格中移动难易程度的一个物理参数，它的单位为cm^2／Vs．它又是使半导体装置能否小型化与快速运行的重要依据、最近由英国Manchester大学G．Gein教授为首的跨国（包括俄罗斯、荷兰和美国）科学家组成的研究组进行了一项极有成效的工作,他们发现二维石墨烯薄层（只有一个原子大小的厚度）半导体的内禀电子迁移率高达200，000cm^2／Vs，这要比硅半导体的内禀电子迁移率（1500cm^2／Vs）高100倍，比砷化镓（8500cm^2／Vs）高20倍。     

格物致知 学以致用——贺汤定元院士75岁生日

 今年五月十二日是著名物理学家汤定元院士七十五岁生日,他是我国红外技术的创建人,半导体光电器件的开拓者,窄禁带半导体学科的带头人。汤定元先生早年留学美国,回国后,先后任中国科学院应用物理研究所(1958年改名为物理研究所),半导体研究所助研、副研和研究员。