极性晶体膜中强耦合激子的极化子效应和温度依赖性

采用线性组合算符和变分方法研究了极性晶体膜中激子与表面光学(SO)声子强耦合、与体纵光学(LO)声子弱耦合体系的性质,推导出了激子诱生势的表达式,并以AgBr晶体为例进行了数值计算.结果表明:激子的诱生势不仅与电子-空穴间距离有关,而且温度与极性晶体膜厚度对激子诱生势的影响也十分显著.     

极性晶体膜中强耦合激子的极化子效应和温度依赖性

采用线性组合算符和变分方法研究了极性晶体膜中激子与表面光学（SO）声子强耦合、与体纵光学（LO）声子弱耦合体系的性质,推导出了激子诱生势的表达式,并以AgBr晶体为例进行了数值计算.结果表明：激子的诱生势不仅与电子-空穴间距离有关,而且温度与极性晶体膜厚度对激子诱生势的影响也十分显著.     

极性晶体中极化子效应对界面强耦合激子性质的影响

在Huybrechts关于强耦合极化子的模型基础上,采用LLP变分法研究了极性晶体中激子与IO声子强耦合、与LO声子弱耦合体系的基态能量,推导出了激子的自陷能和诱生势的表达式,并以AgCl/AgBr晶体为例进行了数值计算,结果表明,激子的自陷能不仅与激子的坐标z有关,而且电子-空穴间距离ρ对激子自陷能的影响也十分显著;激子的诱生势不仅与电子-空穴间距离ρ有关,而且激子距离晶体界面的位置z对诱生势的影响也十分显著.     

温度和极化子效应对准二维强耦合激子基态的影响

采用Huybrechts线性组合算符和Lee-Low-Pines变换法研究了温度和极化子效应对量子阱中激子与界面光学声子强耦合又与体纵光学声子弱耦合体系基态的影响,推导出激子基态的诱生势和基态能量的移动的表达式. 以AgCl/AgBr量子阱为例进行了数值计算,结果表明,由激子-界面光学声子强耦合所产生的激子基态的诱生势和基态能量的移动随温度的升高而增大,而由激子-体纵光学声子弱耦合所产生的激子基态的诱生势和基态能量的移动随温度的升高而减小. 关键词： 量子阱 强耦合激子 极化子效应 温度依赖性     

温度和极化子效应对准二维强耦合激子基态的影响

采用Huybrechts线性组合算符和Lee-Low-Pines变换法研究了温度和极化子效应对量子阱中激子与界面光学声子强耦合又与体纵光学声子弱耦合体系基态的影响，推导出激子基态的诱生势和基态能量的移动的表达式. 以AgCl/AgBr量子阱为例进行了数值计算，结果表明，由激子-界面光学声子强耦合所产生的激子基态的诱生势和基态能量的移动随温度的升高而增大，而由激子-体纵光学声子弱耦合所产生的激子基态的诱生势和基态能量的移动随温度的升高而减小.     

极性晶体中表面极化子的温度效应

有不少的极性晶体,电子与体纵光学声子的耦合弱,但与表面光学声予的耦合强.本文讨论电子和体纵光学声子耦合弱,与表面光学声子耦合强时对表面极化子的温度特性的影响,用线性组合算符法研究表面极化子的振动频率、诱生势和有效质量的温度依赖性.对AgBr晶体进行了数值计算,结果表明极化子的振动频率,诱生势和有效质量随温度的升高而减小.     

极性晶体中表面磁极化子的温度依赖性

本文讨论电子和体纵光学声子耦合弱,与表面光学声子耦合强时对表面磁极化子的温度特性的影响,用线性组合算符法研究表面磁极化子的振动频率和诱生势的温度依赖性.对AgCl晶体进行了数值计算.结果表明,极化子的振动频率和诱生势随温度的升高而减小.     

声子之间相互作用对磁场中表面极化子的诱生势的影响

研究极性晶体中电子与表面光学(SO)声子和体纵光学(BO)声子耦合弱的表面磁极化子的性质,采用线性组合算符和微扰法导出了极性晶体中表面磁极化子的有效哈密顿量。讨论了反冲效应中不同波矢声子之间相互作用对表面磁极化子诱生势的影响。     

半无限晶体中慢速运动的表面极化子

本文研究电子与体纵光学声子耦合弱、与表面光学声子耦合强的半无限晶体中的表面极化子的性质.采用改进了的线性组合算符法和微扰法导出了半无限晶体中的慢速运动极化子的有效哈密顿量.在计及电子在反冲效应中发射和吸收的不同波矢的声子之间的相互作用时,讨论了对有效哈密顿量,诱生势和有效质量的影响.对AgBr晶体进行了数值计算,结果表明反冲效应中发射和吸收的不同波矢的声子之间的相互作用对有效质量和诱生势的影响随耦合常数αt的增加而增加,对有效质量的影响随坐标z的增加而减小的更多,对诱生势的影响随z的增加而增加的更多.     

极性晶体中与形变势相互作用的表面极化子

有不少的极性晶体,电子与表面光学(SO)声子耦合强,但与表面声学(SA)声子耦合弱.研究电子与SO声子耦合强,与SA声子耦合弱的极性晶体中与形变势相互作用的表面极化子的性质.采用改进了的线性组合算符和微扰法导出了极性晶体中与形变势相互作用的表面极化子的有效哈密顿量.在计及电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间的相互作用时,讨论对表面极化子的有效哈密顿量、有效质量和有效相互作用势的影响.     

强耦合多原子极性晶体中的表面激子

本文研究多原子极性晶体中表面激子的性质.采用线性组合算符和拉格朗日乘子法,导出强耦合多原子极性晶体中表面激子的有效哈密顿量,得到了强耦合表面激子的重正化质量.     

强耦合表面激子内部激发态的性质

采用线性组合算符和幺正变换方法,研究极性晶体中强耦合表面激子内部激发态的性质.计算了表面激子的激发态能量、激发能量和平均声子数.     

极性晶体量子点中强耦合激子的内部激发态

在有效质量近似下,采用线性组合算符和幺正变换方法研究了极性晶体量子点中强耦合激子的内部激发态性质,导出了极性晶体量子点中强耦合激子的基态能量、第一内部激发态能量和激发能量随量子点半径的变化关系。对TlCl晶体进行数值计算,结果表明,量子点中强耦合激子的基态能量、第一内部激发态能量和激发能量随量子点半径的减小而增大。     

极性半导体膜中的束缚极化子

采用线性组合算符法和幺正变换方法,研究极性晶体膜中束缚极化子的基态能量、自陷能随膜厚d的变化关系.得出束缚极化子的自陷能由两部分组成:第一部分是由于电子-体LO声子相互作用所引起的(E_e-LO^tr)极化子效应;第二部分则是电子-SO声子相互作用引起的.后者又包含两部分,分别是电子与极性膜中两支表面声子相互作用的贡献(E_e-SO^tr(+),E_e-SO^tr(-)).通过对KCl半导体膜的数值计算表明,E_e-LO^tr随膜厚d的增加而增加;但是E_e-SO^tr、极化子的振动频率以及电子-声子相互作用所产生的总自陷能E_e-ph^tr随膜厚d的增加而减少,当膜厚大于5nm时,总自陷能E_e-ph^tr趋于一稳定值.另外,由于束缚势的存在,使极化子的振动频率增大,这主要是由于束缚势的存在,使电子-声子间的相互作用增强,极化子效应增大而引起的.     

极性晶体膜中的束缚极化子的有效质量

采用格林函数的方法,研究极性晶体膜中束缚极化子的有效质量随膜厚d的变化关系。得出电子-体LO声子相互作用以及电子-SO声子相互作用都对束缚极化子的有效质量有贡献。通过对KCl半导体膜的数值计算表明,束缚极化子的有效质量随膜厚d的增加而减少;当膜厚小于5 nm时电子-SO声子相互作用对束缚极化子的有效质量起主要贡献,但是当膜厚大于10 nm时,电子-体LO声子相互作用对束缚极化子的有效质量起主要贡献,当膜厚大于5 nm而小于10 nm时,二者共同影响束缚极化子的有效质量;另外,由于束缚势的存在,使束缚极化子的有效质量增大,这主要是由于束缚势的存在,使电子-声子间的相互作用增强,极化子效应增大而引起的。