压敏晶体管机-电换能器的工艺和组装

本文介绍了压敏晶体管的主要制作工艺以及采取组装方式将其装配成机-电换能器的方法.这种压敏晶体管机-电换能器很有希望将其扩展成为一种多用途器件.     

电话原理的演示仪器

在讲解电话原理时,只用挂图不容易使初中学生接受,用购买的“电话原理说明器”(碳粒送话器和永磁听筒)也不易说明送话器和受话器的变化过程.上学期我设计了一个“电话原理的演示仪器”,依次地演示送话器与受话器的作用,效果很好.如果再配合挂图和送话器     

异质结光晶体管

本文介绍了异质结光晶体管的工作原理,概述了GaAlAs/GaAs和InGaAsP/InP两种系列异质结光晶体管的研制现状.     

自旋晶体管——未来新型器件

 传统的半导体三极管(又称晶体三极管或晶体管)由两个PN结和三个电极构成,从结构上看有NPN和PNP两种基本类型.其工作原理是大家所熟知的.晶体管的成功研制极大的带动了半导体工业的发展.晶体管的应用已渗入到国民经济的各个领域.     

科学家研制出触控发光“壁纸”

如果你计划装修公寓,是否考虑过只要触摸就能点亮的肇纸呢？日前,研究人员演示了一种压敏、可发光的柔性聚合物。他们首先安装了一组有机发光二极管,每一个发光二极管可以由其自身的微小晶体管控制开关,该晶体管位于一张灵活的透明塑料后面。然后研究人员将它们放在一层特别设计的橡胶上,这样随着压力增加,其导电性会增强。     

用静电自组装法制备的石墨烯薄膜特性研究

本文采用静电自组装技术制备石墨烯薄膜,以带正电的聚乙烯亚胺作为粘结剂,将带负电的氧化石墨烯自组装在粘结剂上,形成多层氧化石墨烯/聚乙烯亚胺复合膜,然后在肼蒸汽下还原得到石墨烯薄膜样品,并利用石墨烯薄膜的紫外吸收光谱、椭圆偏振光谱、扫描电镜图谱及拉曼光谱对其层数、厚度、形貌及还原效果进行了研究。研究表明此方法制备的石墨烯薄膜具有杂质含量少、层数与膜厚微观可控且膜厚均匀等优点。通过调节组装材料种类、浓度和组装次数可制备出结构和功能自由控制的石墨烯薄膜,且此方法与微电子工艺兼容,易于制作石墨烯晶体管,因此在石墨烯晶体管领域具有广阔的应用前景。     

碳纳米管晶体管研制成功

我们所使用的每一台电脑,至少包含有数十亿只（由半导体硅制成的）晶体管.它们在计算机中接受软件的指挥,或开启或关闭,共同协调完成一部部电子表演的音乐舞蹈.过去的几十年,半导体科技人员的努力已经将硅晶体管的尺寸从几十微米减少到20—30nm,令世人享受到计算机的小型化以及功能的多样化.然而,硅晶体管尺寸的进一步缩小遭遇到挑战.近十年来,人们把硅晶体管的替代物设定为由碳纳米管制成的晶体管,然而研制碳纳米管晶体管的工作成效甚微．     

ZnO-Bi_2O_3系压敏陶瓷缺陷弛豫特性的研究进展

由于具有良好的非欧姆特性,ZnO压敏陶瓷被广泛用于电子线路和电力系统的浪涌吸收和瞬态过电压抑制,因此,ZnO压敏陶瓷材料的发展一直备受国内外学者和业界的关注.然而,ZnO压敏陶瓷内部的缺陷结构及其引起的弛豫过程与ZnO压敏陶瓷电性能之间的关联还不清楚,一直是研发新型ZnO压敏陶瓷所要面临的挑战.本文综述了ZnO压敏陶瓷的缺陷类型、理论计算,着重分析了不同缺陷的相应弛豫表征方法,并对ZnO压敏陶瓷的缺陷弛豫机理及其与电老化特性的关联等方面进行了评述.     

纳米器件的制备、表征及其应用

利用建立的常规光刻法的纳米加工工艺系统，研制碳纳米管晶体管，单电子晶体管和单电子晶体集成的纳米器件，研制出了90K的单电子晶体管，实现了两单电子晶体管的电容耦合集成，多个单电子晶体管的串联集成以及单电子晶体管与传统器件的集成。     

沉淀剂对ZnO压敏陶瓷缺陷结构和电气性能的影响

研究了不同沉淀剂(NH₄HCO₃和NaOH)对共沉淀法制备的ZnO压敏陶瓷性能的影响. 结果表明: 不同的沉淀剂对ZnO压敏陶瓷的微观结构及电气性能有明显的影响. 其中陶瓷微观结构的变化主要由沉淀剂本身的性质引起; 而电气性能的改变除了与微观结构相关外, 主要受不同沉淀剂对陶瓷晶界势垒参数的影响; 此外, 沉淀剂NaOH引入的Na⁺作为施主杂质离子掺杂ZnO压敏陶瓷, 增加晶粒中的自由电子浓度, 因此本征缺陷(锌填隙和氧空位)浓度受到抑制, 而锌填隙浓度相对于氧空位而言对施主离子掺杂更为敏感. 由此, 采用共沉淀法制备ZnO压敏陶瓷粉体时, 沉淀剂种类的选择很重要, 即使微量的杂质也会引起压敏陶瓷性能的较大改变, 应尽可能避免杂质离子的引入. 关键词： ZnO压敏陶瓷 缺陷结构 沉淀剂 介电性能