氦同位素与氢分子碰撞的振转激发分波截面研究

用密耦近似方法和Tang-Toennies势模型计算了E=0·7eV时,氦原子的四种同位素3He,4He,9He,10He与氢分子H2碰撞体系的振转激发分波截面.通过分析各碰撞体系分波截面的差异,探讨了He(3He,4He,9He,10He)-H2碰撞体系的弹性碰撞、纯转动激发和振转激发情况下,其分波截面随量子数和体系约化质量的变化规律.     

He-HD(HT, DT)碰撞(E=0.3 eV)分波截面理论研究

用量子力学理论研究He-HD,HT, DT系统弹性和非弹性碰撞转动激发.当入射原子能为0.3 eV时, 用密耦方法计算了收敛的分波截面,用奥本-海默近似来决定He-HD, He-HT及He-DT相互作用势能面,对非对称替代分子与氦原子碰撞分波截面进行了仔细讨论和比较,并得到比较规律的变化结果.     

He-HF（DF，TF）碰撞体系分波截面的理论计算

运用质心变换-拟合方法,使用Murrell-Sorbie势能函数拟合在对称性匹配微扰理论下精确计算He-HF体系的相互作用能数据,得到了He原子与同位素分子HF（DF,TF）复合物的相互作用势的解析形式.完成了入射He原子能量从30 meV至120 meV时,He-HF（DF,TF）碰撞体系分波截面的密耦计算,获得了分波截面等信息,进一步讨论了分波截面的变化趋势及特征,并确定了He-HF（DF,TF）碰撞体系开始产生弹性和非弹性散射的有效相互作用范围. 关键词： He-HF（DF TF）复合物 密耦近似 分波截面 质心偏移     

He原子与HF分子碰撞截面的量子力学计算

用量子力学密耦近似方法计算了入射氯原子能量E=88meV时，He—HF碰撞，弹性散射分波截面(00-00)和非弹性散射00-01及00—02分波截面。计算结果与公认较好的Moszynski等人的SAPT势比较接近。     

He-NO碰撞体系分波截面的理论计算

首先用Huxley势函数拟合在RCCSD(T)/aug-cc-pVTZ bf理论水平下计算的He-NO相互作用能数据,从而得到了He原子与NO分子相互作用各向异性势;然后用密耦近似方法计算了He-NO碰撞体系的总分波截面、弹性分波截面和非弹性分波截面,并总结了分波截面的变化规律.计算结果表明,拟合势较好地描述了He-NO系统相互作用的各向异性特征,利用碰撞体系分子间势的量子化学从头计算结果,可解决势能参数难以确定的问题,对进一步研究原子与分子碰撞机理有一定参考价值.     

He-HI碰撞的转动激发分波截面

基于作者所发展的分子间相互作用势,采用密耦方法计算了入射He原子能量分别为40,75和100　meV时与HI分子碰撞的弹性和非弹性分波截面.研究表明：激发分波截面比弹性分波截面收敛得快;激发态越高,激发分波截面收敛得越快;能量越高,激发分波截面收敛得越慢. 关键词： 分波截面 密耦方法 He-HI复合物     

3He4He与H2分子碰撞的同位素效应研究

用公认精确度较高的密耦近似方法计算了入射能量E=0.5eV时惰性气体原子3He(4He)与H2分子替代碰撞体系的转动激发碰撞截面.通过分析3He(4He)-H2碰撞体系分波截面和微分截面的差异,总结出在氦原子的同位素替代情形下3He(4He)-H2碰撞体系分波截面和微分截面随分波数增加和同位素原子质量改变的变化规律.     

惰性气体原子与氢的同位素分子T2碰撞分波截面计算

用密耦计算方法及T.T(Tang-Toennies)势模型分别计算了入射能量E=0.05 eV、0.15 eV、0.25 eV时He、Ne、Ar、Kr、Xe-T2碰撞体系的00-00弹性碰撞和00-02非弹性碰撞分波截面,结果表明:对00-00弹性碰撞,分波截面随量子数J的增加不断振荡, 并随入射原子的相对碰撞能量的变化,振荡极大值的位置、收敛分波数等均有不同的变化.     

不同能量下He原子与HCl分子碰撞激发分波截面的同位素效应研究

基于Huxley势函数的拟合势,通过精确度较高的密耦近似方法计算了入射能量为50meV和150meV时,氦原子的四种同位素3He,4He,9He,10He与HCl分子碰撞体系的激发分波截面.通过分析不同能量下,各碰撞体系分波截面的差异,探讨了不同入射能量时He的同位素对He-HCl碰撞体系的分波截面的影响,总结出其分波截面随量子数和体系约化质量的变化规律.     

He和D_2分子相互作用转动激发研究

用T .T(K .T .TangandJ .Peter.Toennies)势模型和公认精密度较高的密耦 (Close Coupling)近似方法计算了E =0 .1eV和E =0 .2eV时 ,0 0— 0 0弹性碰撞及 0 0— 0 2、0 0— 0 4、0 0— 0 6非弹性碰撞 ,得出D2 分子转动激发分波截面 ,并得到了原子与分子碰撞弹性分波截面和非弹性激发截面随量子数增加的变化规律。     

不同能量下He原子与HCl分子碰撞激发分波截面的同位素效应研究

基于Hux1ey势函数的拟合势,通过精确度较高的密耦近似方法计算了入射能量为50 meV和150meV时,氦原子的四种同位素3He,4He,9He,10He与HCl分子碰撞体系的激发分波截面.通过分析不同能量下,各碰撞体系分波截面的差异,探讨了不同入射能量时He的同位素对He-HCl碰撞体系的分波截面的影响,总结出其分波截面随量子数和体系约化质量的变化规律.     

HF+He密耦散射的半经典研究

拟合在对称性匹配微扰理论（SAPT）水平下精确计算的HF分子在3个不同核间距时的相互作用能,获得了He–HF复合物的解析振转势能面;这个势能面与现有的理论势符合得很好．在此势能面上,使用密耦近似计算了He–HF碰撞能量从160 cm –1 到694 cm –1 范围内的分波截面,并采用半经典方法详细讨论了长程吸引和短程各向异性相互作用对弹性和非弹性分波截面的影响.     

He原子与HI分子碰撞截面的密耦计算

基于发展的分子间相互作用势, 采用密耦方法计算了入射能量从1到140?meV范围内He原子与HI分子碰撞的微分截面、分波截面和积分截面.通过与He-HX（X=F,Cl,Br）体系分波截面的比较, 印证了He-HI体系相互作用势以及密耦计算结果的可靠性.结果表明：小角散射的概率大于大角散射的概率;碰撞能量越高,散射概率就越小, 尾部效应也越弱.总积分截面主要来自弹性碰撞的贡献;非弹性积分截面以00→01和00→02跃迁的贡献为主,其中00→02跃迁的贡献最大. 关键词： 碰撞截面 密耦计算 HI-He体系     

He和D2分子相互作用转动激发研究

用T.T(K.T.TangandJ.Peter.Toennies)势模型和公认精密度较高的密耦(Close-Coupling)近似方法计算了E=0.1eV和E=0.2eV时,00-00弹性碰撞及00-02、00-04、00-06非弹性碰撞,得出D2分子转动激发分波截面,并得到了原子与分子碰撞弹性分波截面和非弹性激发截面随量子数增加的变化规律.     

低能He—H2（D2,T2）碰撞分波截面的计算

采用Ｔａｎｇ－Ｔｏｅｎｎｅｓ势模型，当入射氨原子能量是Ｅ＝０．０５ｅＶ，计算了Ｈｅ－Ｈｅ－Ｈ２（Ｄ２，Ｔ２）弹性分波截面和非弹性激发分波截面随量子数的变化。     

He原子和BH分子碰撞体系的转动激发能量转移

在碰撞体系He+BH的CCSD(T)二维势能面基础上,应用密耦方法,研究了 He+BH分子碰撞转动激发过程.计算了该体系的转动态-态激发的弹性和非弹性的微分和积分截面,分析了计算结果与势能面特征间的关系.结果表明: He原子以从H原子端共线形式碰撞BH分子对j=0→j'=2的激发最为有效;短程排斥对Δj=2的激发作用较大;态-态跃迁总截面出现振荡结构,长程部分分波只对j=0→j'=1的跃迁总截面有较大贡献,j'≥ 关键词： He+BH体系 转动激发 散射截面     

不同能量的氦原子与同位素分子H2(D2,T2)碰撞分波截面的理论计算

用Tang-Toennies势模型和密耦近似方法计算了不同能量下惰性气体原子He与H2及其同位素D2,T2替代碰撞体系的振转激发碰撞截面.通过分析He-H2(D2,T2)各碰撞体系分波截面的差异,总结出在H2分子的对称同位素替代情形下He-H2(D2,T2)碰撞体系分波截面随量子数和体系约化质量变化的规律.结果表明,体系的约化质量及入射原子相对碰撞能量的变化均给体系的碰撞截面带来不同程度的影响.     

He同位素对He-NO碰撞体系微分截面的影响

用密耦近似方法计算了同位素He原子与NO分子碰撞体系的总微分截面、弹性微分截面和非弹性微分截面,总结了同位素He原子对He-NO碰撞体系微分截面的影响. 计算结果表明：在同一入射能量下,随着入射同位素He原子质量增加,总微分截面在0°时的角分布逐渐增大;同位素He原子与NO分子碰撞发生的彩虹现象越明显. 同时,体系约化质量增加的效应大于相对碰撞速度减小的效应,使散射振荡间隔逐渐减小. 关键词： He-NO 密耦近似 微分截面 同位素效应     

低能He-H2(D2,T2)碰撞分波截面计算

采用Tang Toennes势模型 ,当入射氦原子能量是E =0 .0 5eV时 ,计算了He -H2 (D2 ,T2 )弹性分波截面和非弹性激发分波截面随量子数的变化。     

基态H和Br原子的低能弹性碰撞研究

利用分波法研究了低温及极低温下基态H和Br原子沿HBr(X1Σ+)分子相互作用势发生的弹性碰撞. 在1.0×10-11-1.0×10-3 a.u.的碰撞能区内通过数值求解原子-原子碰撞的薛定鄂方程, 计算了这一弹性碰撞的总截面和各分波截面, 讨论了各分波截面对总弹性截面的贡献. 结果表明在非常低的温度下这一弹性散射的总截面值很大、且几乎为一常数. 分析指出在极低能区内总弹性截面的形状主要由s分波截面的形状决定. 在总弹性截面上存在着2个较强的形状共振, 一个位于2.276×10-4 a.u., 另一个位于4.440×10-4 a.u. 计算表明前者主要来自于f和g分波的联合贡献, 后者主要来自于l = 5和l = 7分波的联合贡献. 虽然在f分波上还存在一个形状共振、且在直到l = 8的其它分波中也都存在强度不同的形状共振, 但它们都被淹没在较强的总弹性截面中. 同时计算还表明, 高于l = 10的分波对总弹性截面已无实质贡献.