He-NO碰撞体系微分截面的理论计算

首先用Huxley势函数形式拟合了在RCCSD(T)/aug-cc-pVTZ+bf理论水平下计算的He-NO相互作用能数据，获得了He原子与NO分子相互作用的各向异性势，然后采用密耦近似方法计算了He-NO碰撞体系的总微分截面、弹性微分截面和非弹性微分截面，并总结了微分散射截面的变化规律. 结果表明，拟合势不但表达形式简洁，而且较好地描述了He-NO系统相互作用的各向异性特征；利用碰撞体系分子间势的量子化学从头计算结果,可解决势能参数难以确定的问题，对进一步研究原子与分子碰撞机理有一定参考价值. 关键词： 各向异性势 势能参数 密耦近似 微分截面     

He-BH碰撞体系微分截面的理论计算

用公认精确的密耦近似方法计算了入射能量从25至150 meV时,He原子与基态BH分子碰撞的弹性微分截面、非弹性微分截面和总微分截面,进一步讨论了微分截面的变化趋势及特征.计算结果表明：He-BH碰撞体系的总微分截面具有原子与双原子分子散射的一般规律和特征;随着入射能量的增加,低转动激发态-态微分截面在大角区的散射振荡现象会更加明显. 关键词： He-BH复合物 相互作用势 密耦近似 微分截面     

He同位素原子与HBr分子碰撞的微分截面

基于作者构造的He-HBr体系的各向异性势,采用密耦方法计算了³He,⁴He,⁶He和⁷He与HBr分子在碰撞能量分别为40和75meV时的微分截面,详细讨论了入射氦同位素对微分截面的影响.结果表明：在相同碰撞能量时,随着同位素氦原子质量的增加,总微分截面在0° 时的角分布逐渐增大,同一级衍射振荡极小值位置逐渐向小散射角方向移动;弹性与总非弹性截面交界角逐渐减小,总非弹性截面逐渐增加.碰撞能量越低,入射同位素He原子的 关键词： 同位素效应 微分截面 各向异性势 He-HBr体系     

He-NO碰撞体系分波截面的理论计算

首先用Huxley势函数拟合在RCCSD(T)/aug-cc-pVTZ bf理论水平下计算的He-NO相互作用能数据,从而得到了He原子与NO分子相互作用各向异性势;然后用密耦近似方法计算了He-NO碰撞体系的总分波截面、弹性分波截面和非弹性分波截面,并总结了分波截面的变化规律.计算结果表明,拟合势较好地描述了He-NO系统相互作用的各向异性特征,利用碰撞体系分子间势的量子化学从头计算结果,可解决势能参数难以确定的问题,对进一步研究原子与分子碰撞机理有一定参考价值.     

氦同位素被溴化氢散射的角分布

基于作者构造的He-HBr体系的各向异性势,采用密耦方法计算了碰撞能量分别为60和100 meV时3He、4He、6He和7He被HBr分子散射的角分布,详细讨论了氦同位素对散射角分布的影响.结果表明:在相同碰撞能量时,随着同位素氯原子质量的增加,总微分截面在0°时的角分布逐渐增大,同一级衍射振荡极小值位置逐渐向小散射角方向移动;弹性与总非弹性截面交界角逐渐减小,总非弹性截面逐渐增加.碰撞能量越低,入射同位素He原子的质量越大,彩虹现象越明显.     

3He4He与H2分子碰撞的同位素效应研究

用公认精确度较高的密耦近似方法计算了入射能量E=0.5eV时惰性气体原子3He(4He)与H2分子替代碰撞体系的转动激发碰撞截面.通过分析3He(4He)-H2碰撞体系分波截面和微分截面的差异,总结出在氦原子的同位素替代情形下3He(4He)-H2碰撞体系分波截面和微分截面随分波数增加和同位素原子质量改变的变化规律.     

He原子与HI分子碰撞截面的密耦计算

基于发展的分子间相互作用势, 采用密耦方法计算了入射能量从1到140?meV范围内He原子与HI分子碰撞的微分截面、分波截面和积分截面.通过与He-HX（X=F,Cl,Br）体系分波截面的比较, 印证了He-HI体系相互作用势以及密耦计算结果的可靠性.结果表明：小角散射的概率大于大角散射的概率;碰撞能量越高,散射概率就越小, 尾部效应也越弱.总积分截面主要来自弹性碰撞的贡献;非弹性积分截面以00→01和00→02跃迁的贡献为主,其中00→02跃迁的贡献最大. 关键词： 碰撞截面 密耦计算 HI-He体系     

He-HF(DF，TF)碰撞体系散射截面的理论计算

运用质心变换-拟合的方法,使用Murrell-Sorbie势能函数拟合在对称性匹配微扰理论下精确计算He-HF体系的相互作用能数据,得到了He原子与同位素分子HF(DF,TF)复合物的相互作用势的解析形式. 在此基础上,完成了入射He原子能量分别为50meV,59.5meV,86meV,100meV和120meV时,He-HF(DF,TF)碰撞体系散射截面的密耦计算,获得了弹性、非弹性和总积分截面等信息,并讨论了散射截面的变化趋势及特征. 关键词： He-HF(DF TF)复合物 密耦近似 散射截面 质心偏移     

He-HF（DF，TF）碰撞体系分波截面的理论计算

运用质心变换-拟合方法,使用Murrell-Sorbie势能函数拟合在对称性匹配微扰理论下精确计算He-HF体系的相互作用能数据,得到了He原子与同位素分子HF（DF,TF）复合物的相互作用势的解析形式.完成了入射He原子能量从30 meV至120 meV时,He-HF（DF,TF）碰撞体系分波截面的密耦计算,获得了分波截面等信息,进一步讨论了分波截面的变化趋势及特征,并确定了He-HF（DF,TF）碰撞体系开始产生弹性和非弹性散射的有效相互作用范围. 关键词： He-HF（DF TF）复合物 密耦近似 分波截面 质心偏移     

不同能量下He原子与HCl分子碰撞激发分波截面的同位素效应研究

基于Hux1ey势函数的拟合势,通过精确度较高的密耦近似方法计算了入射能量为50 meV和150meV时,氦原子的四种同位素3He,4He,9He,10He与HCl分子碰撞体系的激发分波截面.通过分析不同能量下,各碰撞体系分波截面的差异,探讨了不同入射能量时He的同位素对He-HCl碰撞体系的分波截面的影响,总结出其分波截面随量子数和体系约化质量的变化规律.     

3He(4He)与H2分子碰撞的同位素效应研究

用公认精确度较高的密耦近似方法计算了入射能量E=05eV时惰性气体原子³He(⁴He)与H₂分子替代碰撞体系的转动激发碰撞截面.通过分析³He(⁴He)-H₂碰撞体系分波截面和微分截面的差异,总结出在氦原子的同位素替代情形下³He(⁴He)-H₂碰撞体系分波截面和微分截面随分波数增加和同位素原子质量改变的变化规律. 关键词： 散射截面 密耦方法 同位素替代 散射角     

一种考虑几何屏蔽效应的计算“电子-分子”散射总截面的可加性规则修正方法

在考虑分子内原子间的几何屏蔽效应随电子入射能量变化的基础上, 提出了一种能够在中、高能区准确计算“电子-分子”散射总截面的可加性规则修正方法. 利用这一修正后的可加性规则并使用“电子-C, H, O, N原子”散射总截面的实验数据, 在50—5000 eV内计算了电子被NO, N₂O, NO₂和C₂H₆分子散射的总截面, 且将计算结果与实验结果及其他理论结果进行了比较. 结果表明, 利用这一方法修正过的可加性规则进行计 关键词： 电子散射 可加性规则 总截面 几何屏蔽效应     

He同位素与H2分子碰撞第二振动激发分波截面的理论研究

用公认精确度较高的密耦近似方法计算了不同能量下惰性气体原子³He（⁴He,⁵He）与H₂分子替代碰撞体系的00-20,00-22,00-24,00-26第二振动激发分波截面.通过分析³He（⁴He,⁵He）-H₂碰撞体系第二振动激发分波截面的差异,总结出³He（⁴He,^{5关键词： 振动激发 分波截面 密耦方法 同位素}     

采用量子波包方法和准经典轨线方法研究S(~3P)+HD反应

利用量子波包方法和准经典轨线方法在一个新的3A′′势能面上研究了S(3P)+HD→SD+H和SH+D反应的动力学性质.计算得到了两个反应通道在碰撞能为0.8—2.2 eV范围内的J=0反应几率、积分反应截面、内同位素因子和产物转动取向因子.这些结果揭示了S(3P)+HD反应非常明显的内同位素效应.通过对势能面和反应轨线的分析,我们发现了SD+H反应通道一个新的反应机制.S(3P)+HD反应的内同位素效应可以利用新发现的反应机制和反应的质量组合来进行解释.     

A semi-empirical formula for total cross sections of electron scattering from diatomic molecules

A fitting formula based on the Born approximation is used to fit the total cross sections for electron scattering by diatomic molecules (CO, N₂, NO, O₂ and HCl) in the intermediate- and high-energy range. By analyzing the fitted parameters and the total cross sections, we found that the internuclear distance of the constituent atoms plays an important role in the e-diatomic molecule collision process. Thus a new semi-empirical formula has been obtained. There is no free parameter in the formula, and the dependence of the total cross sections on the internuclear distance has been reflected clearly. The total cross sections for electron scattering by CO, N₂, NO, O₂ and HCl have been calculated over an incident energy range of 10–4000 eV. The results agree well with other available experimental and calculation data.     

低能电荷转移截面和高能转移电离研究(英文)

介绍了对于Na+ 离子和Rb(5s ,5p)原子碰撞中态选择单电子俘获微分截面的理论计算,并与实验数据进行比较,实验结果是离子与在磁光学阱中用激光冷却的碱金属靶原子碰撞而测量到的;还对高能量质子引起的He原子的转移电离进行了理论研究,在Shakeoff模型的基础上 ,分析解释了转移电离截面与单电子俘获截面的比值 ,并与最新实验结果作了比较. We report a theoretical study of state-selective differential single-electron capture cross sections between Na + and Rb(5s, 5p) atoms. The experimental data have been obtained with laser cooled target in a magnetic optical trap. We also report a theoretical study of transfer ionization of He by protons at high collision energies and analyze the transfer ionization cross section with respect to single electron capture cross section in terms of a shakeoff model.