电子背散射花样分析及其应用

系统地介绍了电子背散射花样（ＥＢＳＰ）分析技术的近年进展，阐明了ＥＢＳＰ产生的原理和机制，并对获得ＥＢＳＰ的仪器条件和有关测量分析问题进行了概述，由于这种分析技术具有高的空间分辨率，可以在１μｍ的微区内进行晶体位向和位向关系分析，结晶相鉴定和晶体应变等方面工作，故它是近代材料科学研究中的一种有力工具。     

双面次级电子倍增效应向单面次级电子倍增效应发展规律的研究

次级电子倍增效应引起的输出窗失效问题往往给微波器件造成灾难性的影响, 是限制微波器件功率进一步提升的瓶颈. 以S波段高功率盒形窗为研究对象, 针对盒形窗内无氧铜金属边界与陶瓷介质窗片相对的区域, 建立了研究法向电场作用下次级电子倍增效应的Monte-Carlo模型. 通过拟合这两种材料间双面次级电子倍增以及单面次级电子倍增效应的敏感曲线, 对次级电子倍增发展特点进行详细分析, 获得了金属与介质之间的次级电子由双面倍增向单面倍增演变的规律.     

相对论效应对电子—原子弹性散射的影响

本文用出现在薛定谔方程中的一个“等效势”体现相对论效应,结合我们以前得到的交换势,计算了低能电子(0.1-30eV)被Ar、Kr、Xe、Rn弹性散射的截面。结果表明,相对论效应的影响随原子序数的增加而加大。考虑相对论效应后计算结果与实验符合得很好,这也同时表明我们所用的交换势是较成功的。     

低能电子在外层导电屏蔽的玻璃锥管中的传输

采用新的具有常数锥角的玻璃锥管,并对玻璃锥管进行了外表面导电屏蔽,通过对电子穿越玻璃锥管的二维角分布随时间演化的观测,研究了低能电子与玻璃管相互作用的机制.发现电子穿越完全放电的玻璃锥管时穿透率先下降后平稳,整个过程中角分布中心发生微小移动,但角分布的半高宽几乎保持不变.这与我们之前发表的工作(2016 Acta Phys.Sin.65 204103)不同,这是由于对玻璃锥管进行外表面导电屏蔽会阻止外界不确定的快速充放电的影响,并形成了新的稳定放电通道,有利于实现电子的稳定穿透.电子的穿透率随倾角呈类似矩形的分布,透射电子的角分布中心伴随倾角的变化而移动,其穿透所容许的倾角与几何穿透一致.     

Ca原子4s~2-4s4p电子碰撞激发特性

基于全相对论扭曲波电子碰撞激发计算程序REIE06,系统计算了Ca原子基态3p~64s~(21)S_0到激发态3p~64s4p~3P_(0,1,2)~1P_1精细结构能级的碰撞截面,总结了在不同入射电子能量下碰撞截面的变化规律.目前计算中,细致考虑了电子关联效应和Breit相互作用,计算结果与已有的理论计算进行比较,对实验值的相对误差较小.     

Ca原子4s2-4s4p电子碰撞激发特性

基于全相对论扭曲波（RDW）电子碰撞激发计算程序REIE06,系统计算了Ca原子基态3p64s2 1S0到激发态3p64s4p 3P0,1,2 1P1精细结构能级的碰撞截面,总结了在不同入射电子能量下碰撞截面的变化规律。目前计算中,细致考虑了电子关联效应和Breit相互作用,计算结果与已有的理论计算进行比较,对实验值的相对误差较小。     

MCP自饱和效应理论分析

从理论上分析MCP自饱和效应产生的原因,以及自饱和效应对MCP工作性能的影响,提出克服自饱和效应的办法。     

Effects of Trapped Electrons on Off-axis Lower Hybrid Current Drive

The effects of trapped electrons on off-axis lower hybrid current drive （LHCD） in tokamaks are studied. The influence of the resonance regime on the current drive efficiency as well as the influence of trapped particle fraction on the current drive efficiency are emphasized.     

纳米材料与物理学

简述了纳米材料的发展过程,讨论了纳米材料的电子结构,提出了纳米材料研究中的物理问题。     

Cooper-Pair Number-Phase Quantization for a Mesoscopic LC Circuit Including a Josephson Junction

By introducing the entangled state representation and Feynman assumption that ＇electron pairs are bosons, ..., a bound pair acts as a Bose particle ＇, we construct an operator Hamiltonian for a mesoscopic inductance-capacitance （LC） circuit including a Josephson junction, then we use the Heisenberg equation of motion to derive the current equation and the voltage equation across the inductance as well as across the Josephson junction. The result manifestly shows how the junction voltage is affected by the capacitance coupling. In this way the Cooper-pair number-phase quantization for this system is completed.     

半导体异质结构中的谷间电子转移效应

本文使用单带双谷理论研究了GaAs/AlGaAs异质结构中的谷间电子转移效应。计入每一异质结界面上的能带交错,谷间耦合和电场的贡献,导出了计算异质结构隧穿概率和隧道电流的公式。以GaAs/AlGaAs异质结构为例,算出不同结构、不同合金组分比及不同电压下的隧穿概率和隧道电流。讨论了异质结界面、势阱和势垒材料的能带结构以及外加电压对谷间电子转移效应的影响。算得的隧道电流同实验结果相符合,证实了这一理论在研究多能谷系统中的适用性。在此基础上进一步分析了这一谷间电子转移效应与熟知的Gunn效应间的区别,并讨论了它在半导体器件设计中的应用。 关键词：     

等离子体中相对论性电子回旋波色散关系

推导了一般条件下的相对论性电子回旋波色散关系。其中采用了相对论性修正的分布函数。对奇点作了较好的处理。所得到的公式可直接用于计算一般条件下的相对论性电子回旋波的传播和吸收问题。为高温等离子体波的研究提供了一个很方便的理论公式。 关键词：     

极化电子与分子碰撞中的手征效应研究进展

本文回顾极化电子与分子碰撞中的手征效应研究进展。着重描述电子二色性的特征、理论背景、实验方法和最近的实验结果     

电子辐照致VO_2(B)薄膜结构与红外光谱改变

本文以能量为1.0 MeV的电子束辐照VO2(B)薄膜,对电子辐照在薄膜中产生的缺陷进行了理论计算,使用X射线衍射仪、傅立叶中红外光谱仪对薄膜进行测试,分析了电子辐照对薄膜结构与红外光谱(3400~400 cm-1)的影响。结果显示:电子辐照可以在薄膜中引入点缺陷并产生退火效应,电子辐照在薄膜中引入的点缺陷,可以使V-O=V受到破坏,退火可以使V-O=V振动得到恢复,而电子辐照对薄膜八面体角度弯曲振动影响不大。     

电子关联效应对金离子的影响

运用多组态Dirac-Fock(MCDF)方法,考虑不同的电子关联效应,详细地研究了类Li,类Be,类B,类Na,类Mg,类Al,类Cu,类Zn,以及类Ga金离子的特性.结果表明,考虑价电子与原子实的电子相互作用,其结果更加符合实验和其他理论结果. 关键词： 电子关联效应 能级 波长     

极化电子与分子碰撞中的手征效应研究进展

本回顾极化电子与分子碰撞中的手征效应研究进展,着重描述电子二色性的特征,理论背景,实验方法和最近的实验结果。     

卷曲效应对单壁碳纳米管电子结构的影响

利用计入卷曲效应的单壁碳纳米管(SWCNT)的能量色散关系,计算最低导带的电子速度及有效质量,并与不计入卷曲效应的结果进行了比较.计算结果表明:卷曲效应对电子速度及有效质量的影响与SWCNT的类型密切相关,金属锯齿型SWCNT对卷曲效应最为敏感,其次是扶手椅型SWCNT,最不敏感的是半导体锯齿型SWCNT.由此可以推断,卷曲效应对金属锯齿型SWCNT电子结构及低偏压输运特性影响最大,其次是扶手椅型SWCNT,影响最不明显的是半导体锯齿型SWCNT.这些结果与实验测量及密度泛函理论计算结果完全一致. 关键词： 单壁碳纳米管 卷曲效应 电子速度 电子有效质量     

AlGaAs/InGaAs/GaAs赝配高电子迁移晶体管的kink效应研究

利用二维器件模拟软件MEDICI对AlGaAs/InGaAs/GaAs赝配高电子迁移晶体管器(PHEMT)件进行了仿真，研究了PHEMT器件的掺杂浓度与电子浓度分布，PHEMT器件内部的电流走向及传输特性，重点研究了不同温度和不同势垒层浓度情况下PHEMT器件的kink效应.研究结果表明：kink效应主要与处于高层深能级中的陷阱俘获/反俘获过程有关，而不是只与碰撞电离有关. 关键词： 高电子迁移率晶体管 kink效应 二维电子气     

Aharonov-Bohm效应与电磁基础理论教学的改革

1959年，阿哈罗诺夫(Y．Aharonov)和玻姆(D.Bohm)提出了一个理想实验，这个实验揭示了电磁场的势具有直接可观测的物理效应．即在电磁场场强为零，但电磁场的势不为零的区域，电磁势的作用会使电子波函数的相位发生改变．这种由电磁场的势所引起的量子效应，被称作Aharonov-Bohm效应，又简称为A-B效应．     

自旋电子学器件中的相对论效应

按照美国加州大学自旋电子学和量子计算研究中心教授AwschalomDD的观点,自旋电子学器件可以分为三个层次.其一是基于铁磁性金属的器件,其二则要求自旋注入半导体,其三是单电子自旋器件.自旋场效应晶体管(FET)属于上述第二类(目前,它还只是一个设计方案) ,它要求通过门电极电场控制源-漏极之间电子自旋的进动,而不像在传统的FET中,通过门电场的静电力控制电流通道中载流子的浓度.它们的基本差别在于,前者涉及到相对论效应.静止的小磁体(如电子自旋)只能因磁场的作用而取向,它们不会受到电场的影响.然而,当一个电子在两块平行电容极板之间…