金属钨电子逸出功的实验测定与第一性原理计算

金属电子逸出功的测定，等效于对电子势能的测定，其对于了解微观原子结构，特别是修正相关原子结构理论和计算方法有较为重要的意义^[1]。逸出功实验过程巧妙结合金属钨晶胞各个能级之间的关系，灵活利用线性拟合特性简化数据关系，在近代物理实验的学习中有着指导性作用。由于不同实验者所测的逸出功之间存在差异，可以合理猜测逸出功的值与实验所用金属钨的晶面有关。因此基于第一性原理，也可直接对不同晶面的金属钨电子逸出功进行理论计算。将实验操作和第一性原理计算所得的金属电子逸出功进行对比，直观地分析不同晶面对金属电子逸出功的影响，为物理实验的学习提供新的思路和方式。     

金属电子逸出功的测定的计算机数据处理

通过测量金属电子逸出功实验,通过简单软件进行数据处理,使实验数据处理更直观,快捷。     

"金属电子逸出功测定"实验数据处理的新方法

介绍了使用EXCEL2000软件中的三个函数,处理“金属电子逸出功的测定”实验数据的新方法,所得数据准确可靠。     

用金属电子逸出功测定仪做设计性扩展实验的实践

介绍利用金属电子逸出功测定仪研究轴向磁场对自由电子的磁控条件及测定电子比荷,研究真空二极管的伏安特性,研究金属中自由电子的费米－狄拉克能量分布状况等设计性扩展实验的内容和方法。     

电子束蒸发沉积六硼化镧薄膜的逸出功(英文)

六硼化镧(LaB6)具有电子逸出功低、高熔点和高化学稳定性等优点,是制作热阴极和场发射阴极的理想发射体材料。而且在常规场发射尖锥表面涂敷一层LaB6薄膜能够大幅度提高场发射尖锥的发射能力。为了测量LaB6薄膜的逸出功,采用电子束蒸发技术沉积LaB6薄膜,并对薄膜进行了X射线衍射分析和X射线光电谱分析。通过测量薄膜的热电子发射特性和敷LaB6薄膜的硅尖锥阵列的场致电子发射特性确定了LaB6薄膜的逸出功,与块状LaB6多晶材料的逸出功大体相同,说明电子束蒸发沉积技术适合于制备高纯度、低逸出功的LaB6薄膜。     

镶嵌于基质中的金属超微粒子特性研究(Ⅰ)——超微粒子的量子阱点模型

提出超微粒子(UFP)的量子阱点模型。模型假定UFP的主要特性由其非定域电子(简称电子)决定,电子被束缚在三维有限深势阱内。电子的行为由二部分组成:单电子的和集体化的。电子能谱主要由单电子行为决定。模型反映了UFP的一些重要特性,例如块体材料逸出功,UFP原子半径和第一电离能,而忽略UFP更精细的结构。这种近似被证明是合理的。一系列有用的公式和预言被导出。(1)主要的UFP特性,量子尺寸效应和电子能谱的壳层结构。(2)UFP的逸出功和费密能级公式,这对于其他模型是困难的。导出的UFP逸出功随尺寸变化的公式 关键词：     

用新型红外测温仪观察由钨丝电子发射引起的损耗

在金属电子逸出功测定实验中,未考虑由钨丝电子发射引起的损耗,存在约-1.86%的系统误差.用新型红外测温仪可以观察到因上述损耗而出现的钨丝温度的变化,为修正该系统误差提供直接的观察依据.     

介绍四台物理实验仪器

1　ＹＭ型系列动态杨氏模量实验仪简介[1] 仪器分三种型号 ,以适应不同层次的教学需要 弯曲共振法适用范围广 (不同的材料和不同的温度 )、实验结果稳定、误差小 ,是世界各国广泛采用的测量方法 悬丝耦合弯曲共振法被规定为我国金属材料杨氏模量的标准测量方法 标准号为ＧＢ 1 5 86 79 本实验是一个综合性 ,同时包含两个设计性的物理实验 学时 2～ 4学时 测量精度高 ,既可用于教学实验 ,也可用于科研测量 2　ＷＦ型系列金属电子逸出功测定仪 仪器分两种型号 ,以适应不同层次的教学需要 仪器可用于测定金属电子逸出功 ;研究二极…     

微通道板及其应用(Ⅰ)

一、微通道板的工作原理和发展历史 微通道板是从光电借增管、通道电子倍增器发展而来的.什么是光电倍增管(Photomul-tiplier简称为 PM)、通道电子倍增器(channeldectron multiplier 简称为 CEM) 和微通道板(microchannel　plate简称为MCP) 的工作原理呢?这必须从1905年爱因斯坦[1]提出的光电效应讲起,著名的爱因斯坦光电方程是:式中hv是光子能量,P是电子的逸出功, 是电子离开金属表面后所具有的能量.也就是说,入射光子的能量大于电子逸出功时,就有一个具有能量为的1/2mv2光电子从金属表面跑出来.爱因斯坦的光电效应理论曾被著名的物理…     

关于热电子发射理论的评述(Ⅱ)——单原子层和偶极子理论

本文对热电子发射中应用单原子层和偶极子理论作了分析和批判。我们认为:1.单原子层的存在不是无条件的,它与基底的温度、结构、纯度和外界真空度都有关系;2.关于时而能、时而又不能观察到的电子发射峰值,是一个有待于进一步明确的现象,不能简单地用单原子层和偶极子理论来解释;3.吸附了外界原子或分子使电子发射增加的事实,并不是由于偶极矩降低了基底的逸出功,发射的电子来源于被吸附物质的价电子;4.实验证明“L”阴极是Ba-O-W系统,它既不是单原子层,也不是单分子层,也不适用偶极子理论。     

阴极氧化对逸出功的影响

为了探索阴极的氧化程度对环形He-Ne激光器引燃特性的影响,利用光电减速场法研究阴极材料的逸出功随阴极氧化的变化情况.在高真空条件下,用自制的卢基尔斯基球形光电测试平台和平行电极光电-放电器件,通过实验测出了铝作为放电器件的冷阴极在氧化工艺处理前后的逸出功及逸出功的值随氧化程度的变化情况.实验测得铝阴极在自然氧化后的逸出功为2.60±0.2 eV,此时被测铝阴极表面氧的质量百分比为3.2%.经不同时间氧化工艺处理的铝阴极,其逸出功随氧化时间的增长而降低.解释了铝阴极逸出功测量值可能处于2.5~4.3 eV之间的原因.由实验结果得到在一定范围内,氧化时间越长,材料的逸出功越小,越有利于环形He-Ne激光器的点燃.但阴极氧化也会影响气体放电过程的着火点压和阴极位降,因此对最佳氧化时间的选择要综合考虑这两方面的因素.     

逸出功测量线路述评

本文指出了目前世界各国各大学所广泛采用的测量钨丝逸出功的三种基本线路的缺点,比较了用三种线路所测得的实验结果,并对实验结果给出了理论解释。     

带电金属板所产生的光电效应及其分析

介绍了一种推广的光电效应理论——带电金属板所产生的光电效应,提出了一个"净能量守恒"的光电效应方程,对电子的逸出功做了一定的分析,还对带电与不带电金属板处于温度300 K的情况下对光电效应的影响做了探讨.     

电子管综合实验设计

设计了电子管综合实验系统,采用MCU输出DA信号线性控制偏置电压和灯丝电压,该方法可快速均匀变化实验电压,并快速修改实验参量进行多次实验.使用该系统可以在同一平台上完成弗兰克-赫兹实验与金属逸出功实验.实验结果表明:逸出功理查森直线法实验曲线线性度较好,弗兰克-赫兹实验逸出电流显示能级特性明显.     

逸出功计算之进展

电子通过材料表面逸至真空所需之能量——逸出功是材料的一个重要特性.实际工作中往往要对材料的逸出功值提出一定要求.例如,为适应电真空器件功率加大、频率提高的趋势,希望热电子阴极的逸出功尽可能降低;为了改进光电发射休,尤其是近年广泛研究的负电子亲合阴极,也必须设法使     

电子逸出功测定实验中不等精度测量数据的最小二乘法拟合

金属电子逸出功测定实验中的阳极电流与阳极电压、发射电流与灯丝温度的关系都是非线性的。经对数变换线性化后,这些数据都是不等精度的。本文讨论了对这些不等精度测量数据的最小二乘法处理并比较了两种拟合数据的方法。     

南京培中科技开发研究所：WF型系列金属电子逸出功测定仪

WP型系列金属电子逸出功测定仪是潘人培教授于1980年开始研制，1986年通过鉴定，同年被联合国教科文组织确定为向第三世界推荐的15种物理实验仪器之一。现经20余年的不断改进，于2003年又增添了WF-4型智能化仪器。迄今已形成一个完整系列。     

微通道板分辨力提高研究

在微通道板输出端镀制一层逸出功更高的金属膜以覆盖原有的镍铬电极,从而减小微通道板输出电子的动能以及在荧光屏上的弥散,提高微通道板的分辨力。实验结果表明,在微通道板的输出端镀制一层20nm厚的银层(逸出功为4.3eV)后,微光像增强器的分辨力从60lp/mm提高到64lp/mm,提高了6.6%;而镀制一层20nm厚的铂层(逸出功为6.4eV)后,超二代像增强器的分辨力从60lp/mm提高到68lp/mm,提高13%。在分辨力提高的同时,微通道板的增益会下降,镀银和镀铂后的微通道板,增益分别下降到原有值的74%和33%。金属膜的逸出功越高,分辨力提高的百分比越高,增益下降的百分比也越高。所以采用该方法来提高微通道板分辨力时,需要采用高增益的微通道板,从而使微通道板的增益下降以后仍能满足使用要求。     

毛细管式的靶–离子源系统在线实验研究

讨论了在线同位素分离器使用激光离子源的必要性,分析研究了毛细管式激光离子源对电离器的要求及热毛细管电离器的工作原理,并给出了在线实验的结果.为了在较低温度下形成等离子体鞘势和降低热电离效率,采用了低电子逸出功的耐高温材料Nb作毛细管材料.在线实验获得成功,使用毛细管式的靶–离子源的在线同位素分离器的总效率约达0.2%,满足了激光离子源电离器和靶室的工作要求.     

双波长高精度红外测温仪

利用双波长红外测温方法,通过黑体红外辐射曲线中双波长等比吸收的原理消除了由于辐射环境中水蒸气等外界吸收原因造成的单波长红外测温仪中的测量误差,实现更稳定的高精度红外测温.该方法绕开了传统红外测温方法中"辐射率修正困难"的问题.同时利用此红外测温仪器改进了金属钨电子逸出功测量实验.