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掺杂锰钙钛石中的超巨磁电阻响应的发现激励人们在更大的范围内寻找新的巨磁电阻材料.研究表明,在烧绿石(A2M2O7)、尖晶石(AB2X4)以及磁铁矿(Fe3O4)结构中,都有可能观察到巨磁电阻响应.从技术应用的角度讲,这些过渡金属化合物似乎比掺杂锰钙钛... 相似文献
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磁性薄膜研究的现状和未来 总被引:14,自引:0,他引:14
概括介绍了近十几年来磁性薄膜研究的主要成果、应用和可能的发展情况,主要内容有:钙钛矿结构氧化物薄膜的磁性和庞磁电阻效应,磁性金属多层 膜的层间耦合和巨磁电阻效应及磁电阻磁头应用情况,光存储技术纳米点阵存储技术,磁电子学。 相似文献
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高自旋极化氧化物材料的颗粒边界磁电阻效应 总被引:2,自引:0,他引:2
颗粒边界磁电阻是高自旋极化氧化物颗粒体系中由于颗粒边界的存在而导致显著的磁电阻效应。本文将这种磁电阻效应定义为颗粒边界磁电阻效应。这里所说的颗粒边界,包括各种自然和人工晶界、粉末颗粒表面、复合材料中的颗粒界面等多种情况;所涉及的材料包括高自旋极化氧化物多晶、压缩粉末和各种复合材料等。对颗粒边界磁电阻效应的研究,不仅有助于人们进一步理解高自旋极化氧化物磁输运性质的基本机制,并为寻求具有高磁电阻效应的新型自旋电子学器件提供理论基础。本文综述了高自旋极化氧化物颗粒边界磁电阻研究的主要背景和发展现状,介绍了该领域中主要的实验发现和理论模型,展望了未来的发展。 相似文献
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金属磁性多层膜的新颖特性──巨磁电阻效应 总被引:4,自引:0,他引:4
磁性和非磁性层交替重构成的金属磁性多层膜常具有巨磁电阻效应,其中每层膜约几个纳米厚。出现巨磁电阻效应的基本条件是:在外磁场下相邻磁层磁化强度取向发生对变化。巨磁电阻效应的物理起源是,其自旋与局域磁化强度平行和反平行的电子受到的散射不同,散射的不同既要嗵来自获射中收的特性,又可能源于两种自旋电子的能态密度的差异。由于信息存储技术中磁电阻“读出”磁头有巨大的应用前景,巨磁电阻效应引起了人们的极大兴趣。 相似文献
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磁电子学器件应用原理 总被引:13,自引:0,他引:13
本文介绍几种重要的磁电子器件的基本结构和工作原理,包括巨磁电阻与隧穿磁电阻传感器、巨磁电阻隔离器、巨磁电阻与隧穿磁电阻硬盘读出磁头、磁电阻随机存取存储器、自旋转移磁化反转与微波振荡器。自旋晶体管作为未来磁电子学或自旋电子学时代的基本元素,目前大都还处在概念型阶段,本文也将对几种自旋晶体管的大致原理作简要介绍。 相似文献
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本文介绍几种重要的磁电子器件的基本结构和工作原理,包括巨磁电阻与隧穿磁电阻传感器、巨磁电阻隔离器、巨磁电阻与隧穿磁电阻硬盘读出磁头、磁电阻随机存取存储器、自旋转移磁化反转与微波振荡器。自旋晶体管作为未来磁电子学或自旋电子学时代的基本元素,目前大都还处在概念型阶段,本文也将对几种自旋晶体管的大致原理作简要介绍。 相似文献
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颗粒边界磁电阻是高自旋极化氧化物颗粒体系中由于颗粒边界的存在而导致显著的磁电阻效应。本文将这种磁电阻效应定义为颗粒边界磁电阻效应。这里所说的颗粒边界,包括各种自然和人工晶界、粉末颗粒表面、复合材料中的颗粒界面等多种情况;所涉及的材料包括高自旋极化氧化物多晶、压缩粉末和各种复合材料等。对颗粒边界磁电阻效应的研究,不仅有助于人们进一步理解高自旋极化氧化物磁输运性质的基本机制,并为寻求具有高磁电阻效应的新型自旋电子学器件提供理论基础。本文综述了高自旋极化氧化物颗粒边界磁电阻研究的主要背景和发展现状,介绍了该领域中主要的实验发现和理论模型,展望了未来的发展。 相似文献