球冠形电容器和柱冠形电容器电容的 简易求法

从平行板电容器的电容表达式出发, 给出球冠形电容器和柱冠形电容器电容的一种简易求法     

用电容器的电阻和电容特性公式计算非平行板电容器的电容

讨论了电容器的电阻和电容特性公式,计算了非平行板电容器的电阻和电容.     

用平行板电容器电容公式求非平行板电容器电容

本文从平行板电容器的电容公式出发,并基于非平行板电容器可以看作由若干个小型平行板电容器串联与并联的思想,给出球冠形电容器和柱冠形电容器电容的一种简易计算方法。     

高场强下金属化膜电容器绝缘电阻特性

分析了高电场强度下金属化膜电容器绝缘电阻的特点,得出高电场强度下金属化膜电容器绝缘电阻是电容器介质膜泄漏和自愈过程的综合反映。针对高场强下的应用条件提出一种金属化膜电容器绝缘电阻的测试方法,并对高场强下电容器的绝缘电阻进行测试。测试结果表明:在300~400 V/m工作场强范围内金属化膜电容器绝缘电阻随工作场强增大会急剧减小,由于自愈的作用,绝缘电阻下降幅度随场强增加会逐渐变缓;在20~50 ℃工作温度范围内,金属化膜电容器绝缘电阻随温度升高会急剧减小,同样由于自愈的作用,绝缘电阻下降幅度随温度增高会逐渐变缓。分析得出,高温高场强下金属化膜电容器介质膜泄漏将会导致电容器电压出现明显下降,影响电容器和脉冲功率系统的储能效率。     

电容器充电时间的探讨

在现行高等学校普通物理实验教材中,绝大多数都有"用冲击电流计测电容和高阻"实验.用电容器漏电法测高阻,是利用给电容器充电后通过高阻漏电,在漏电开始后的某一时刻t,把电容器剩余的电荷量,通过冲击电流计放电,以测出t时电容两端的电荷量对应的dt值.从而根据一系列(t,dt)作出Qt-t图线,求出t值,最后计算出Rx=t/C(作图法处理数据).     

球形、圆柱形电容器电阻的一种简易求法

给出一种球形、圆柱形电容器电阻的求法，加深对电阻定义和串并联电路电阻关系的理解．     

演示直流电与交流电的性质的区别

我与本组同志制作了一个演示直流电与交流电的性质的区别的板,应用起来效果相当好,现将线路图与应用情况写出如下: 一、演示板应用范围: (一)直流电: 1.直流电可以应用在电镀上; 2.电感对稳恒直流电不起作用; 3.直流电不能通过电容器。 (二)交流电: 1.交流电不能应用于电镀; 2.电感要使交流电流的数值减小(即感抗作用); 3.交流电能够通过电容器;但交流电路里的电容和电路的电阻具有相同的作用(即容抗作用),并且电容器的电容越小,所起的作用越大。     

焦耳热如何分配——对2022年高考全国甲卷理综第20题定量分析

对2022年高考全国甲卷理综第20题的“单杆+电容+电阻”情景问题,通过微分方程分析电阻R和导体棒的电流变化,并定量计算焦耳热及分配比例.在求解过程中发现随时间指数衰减电流的焦耳热计算方式,还总结出将“单杆导轨”等效为电容器的方法.     

平行板类电容器电容的计算

平行板电容器是一基本电容器,其电容的计算公式为：C=ε0S/d,对于极板不为平面、面积不相等的平行板类电容器电容的计算则较为复杂．本文利用微积分原理,将一个普通电容器看成无限多个微电容器（平行板电容器）的串联,然后,根据电容器串联规律进行积分,最终求出电容器的电容计算公式．此方法是一个求解电容器电容普遍适用的方法,计算结果可以直接被应用．     

利用演示 讲好电容器

电容器是电气设备中的重要元件之一,它在电子技术和电工技术中有着重要的应用.它的主要参数是容量、耐压及误差等级,它的导电特性是通交流电隔直流电.要使学生能理解这些内容,仅凭老师的讲述是不够的,因此要充分利用演示来讲好电容器.1　用演示引入新课讲课开始时,让学生观察课     

PN结对交流信号相位的影响(续)

当1个交流小信号被1个PN结和1个大电容分压,且该电容的电容值远大于PN结电容时,大电容两端的电压与PN结电容成正比,该信号的相位与PN结的电阻以及信号的频率有关.把PN结当作1个电容和1个电阻并联,可定性解释该信号的相位与PN结正向电阻、与加在PN结两端的直流反向偏压、在零直流偏压下与交流信号频率的关系.     

应用于脉冲功率系统的高储能密度电容器

介绍了现有技术条件下脉冲电容器的各种性能参数及其测试方法,包括储能密度、寿命、保压性能、绝缘电阻等;同时介绍了元件的主要分析测试手段,如大电测试、保压测试等,并研究了后处理工艺、介质系统优化和绝缘系统优化对电容器性能的影响。在此基础上,面向不同应用条件如大电流放电、长寿命、真空环境等,对高储能密度脉冲电容器进行研究,并给出相应的性能参数、限制条件和发展前景。研究结果表明:50 kV/20 F的电容器,可实现120 kA/80 s的大电流输出,并通过-50~60 ℃的高低温考核;基于绝缘系统优化的浸渍型脉冲电容器,充放电寿命为干式结构的2~3倍,储能密度为2.0 kJ/L时,寿命大于1 000次,储能密度为1.3 kJ/L时,寿命大于10 000次;1.4 kJ/L高储能密度电容器,可以工作在气压小于10-3 Pa的真空条件下,输出电流达100 kA。     

金属化膜脉冲电容器寿命特性

从热处理工艺、电极结构设计及工作场强等方面对电容器寿命性能加以分析与试验研究。结果表明:金属化膜电容器热处理温度的选择需要综合考虑膜的收缩以及电极厚度;对应不同方阻,热处理温度存在一个最优值,在该值下电容器可获得最佳的自愈性能,进而达到较长的工作寿命;在不同工作场强下,需权衡电极边缘局部放电以及膜中自愈产生的容量损失比例,优化电极结构。在电极结构、热处理工艺等参数优化设计的基础上,研制出的1.0 kJ/L电容器达到10 000次的大电流充放电寿命。     

规则联接的多边形电阻网络的等效电阻研究

规则联接的多边形电阻网络可以简化为两部分相同的电阻网络的并联,将其中一部分变换为梯形电阻网络,针对奇数边形和偶数边形对应的梯形网络不同,经过相应的变换得到了规则联接的多边形电阻网络的表达式,这一结论也适用于规则联接的多边形电容网络.     

Role of coherence in resistance quantization

The quantization of resistances in the quantum Hall effect and ballistic transport through quantum point contacts is compared with the quantization of the charge relaxation resistance of a coherent mesoscopic capacitor. While the former two require the existence of a perfectly transmitting channel, the charge relaxation resistance remains quantized for arbitrary backscattering. The quantum Hall effect and the quantum point contact require only local phase coherence. In contrast quantization of the charge relaxation resistance requires global phase coherence.     

Highly uniform sheet resistance of the double-channel AlInN/GaN heterostructure

A high uniformity of sheet resistance was achieved in the double-channel (DC) Al_0.82In_0.18N/GaN heterostructure by lowering the interface roughness scattering effect. The variation of the AlInN/GaN interface roughness as a key factor influenced the uniformity of the sheet resistance. In the DC heterostructure, the distribution of the two dimension electron gas (2DEG) was modified to reduce interface roughness scattering effect. As a result, the uniformity of the sheet resistance was enhanced, and the nonuniformity of the sheet resistance in the DC Al_0.82In_0.18N/GaN could be reduced to 0.7% after structure optimization.     

自愈式金属化膜脉冲电容器耗损失效模型

 自愈式金属化膜脉冲电容器广泛应用于各类激光装置的能源系统中，它的可靠性直接影响到系统的可靠性与运行费用。在参考国外相关研究方法的基础上，分析了金属化膜脉冲电容器的失效机理，提出了一种新的耗损失效模型-Gauss Poisson模型，该模型将电容器的损耗分成自然损耗和突发损耗，与脉冲电容器传统的寿命分布模型Weibull模型相比具有预测更为精确的特点，而且基于该模型的寿命试验具有设计简单、时间较短、费用较低等优点，是一种较好的退化失效模型，应用前景较为广阔。     

用于彩色滤光片的低阻低应力ITO透明导电膜

探讨了用于彩色滤光片的低电阻和低压应力的ITO透明导电膜工艺。用磁控溅射方法在不同温度的衬底上制备了ITO薄膜。研究了膜形衬底温度与膜结晶化程度的关系,以及膜形衬底温度对膜电阻和压应力的影响。对不同衬底温度下形成的ITO薄膜进行了退火处理,并对退火后的ITO薄膜的电阻和压应力特性进行了分析。结果表明,采用室温沉积非晶态ITO膜,在真空退火下可获得低电阻、低压应力的多晶相ITO膜。     

The elimination of deviations of the mean-field Landau-type theory from the fancy size effect experiment in nanoscale ferroelectric BaTiO3 capacitors

A time-dependent mean-field Landau-type model is established based on the dipole energies in epitaxial film in order to investigate thickness dependence of the remanent polarization. It is found that the deviations of the mean-field Landau-type theoretical prediction from the experimental data for size effect can be eliminated in SrRuO₃/BaTiO₃/SrRuO₃ capacitor.