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用NaI闪烁体探测器组成的逃逸电子诊断系统和CdTe半导体探测阵列组成的快电子轫致辐射诊断系统,研究了一定等离子体密度条件下低杂波功率和等离子体电流对逃逸产生的影响以及一定低杂波功率下等离子体密度对逃逸电子产生的不同作用效果。根据实验数据计算了HT-7装置等离子体中电子逃逸的阈值电场和一定放电条件下电子逃逸的阈值能量。     

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为了提高HT-7装置上等离子体电子回旋辐射(ECE)超外差诊断系统的极向分辨率,根据高斯光学原理,分析了诊断系统天线的改进方案。优化了天线的圆形角锥喇叭尺寸和凸透镜参数以及在装置上的相对位置,使天线接收到的等离子体ECE异常模二次谐波辐射的高斯光束束半径只有30mm左右,能量的高斯光学性质损失不大于13%。     

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在HT-7装置上采用红外热像仪测量了活动限制器的表面温度,显示了第一壁温度与等离子体水平位移、波加热参数的关系,一定程度上反映了等离子体与壁相互作用的程度。采用ANSYS计算了活动限制器表面大致的能流分布,其结果与方法可为EAST装置等第一壁温度的测量和能流的计算分析提供一定的参考。     

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详细介绍了HT-7装置低杂波前级系统的组成、低杂波系统的采集和功率模式控制。实验中通过前级PIN开关控制不同的低杂波输出模式,满足了HT-7装置相应实验对低杂波的要求。     

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介绍了一种通过线积分测量数据来快速重建等离子体参数的算法。该算法基于Radon反演定理,通过级数展开与最小二乘原理的方法来得到等离子体参数在托卡马克小圆截面上的Radon变换,最后由Radon逆变换公式给出等离子体参数的空间分布。应用这种算法研究了HT-7装置交流放电实验的软X射线在电流正负半周期空间分布的非对称性现象。     

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在HT-7装置实验数据分析与可视化集成软件GT-7开发中,使用了面向系统并且支持系统开发全部过程的建模工具UML,完成了软件的建模、设计与实现,介绍了该软件用到的关键技术与实现方法。实验表明,该软件应用性强,操作灵活,用户只需操作鼠标就可以完成信号的处理、分析、对比以及二维、三维显示,并能以交互式方式实现二维图形的任意轴缩放,三维图形的旋转、平移与缩放。     

新法合成FOX-7

FOX-7是一种综合性能优异的新型高能低感炸药。文中通过研究以下路线并优化反应条件，来扩大合成的规模，便于进行批量生产FOX-7。先通过硝硫混酸硝化2-甲基-4，6-二羟基嘧啶形成相应的中间体；接着将反应液倒入水中，中间体水解开环即得目标产物FOX-7（结晶析出）和副产物二硝基甲烷（浅黄色油状物质）。     

Si(111)7×7结构模型的稳定性研究

本文基于有相互作用的结构件的概念,对Si(111)7×7结构模型的稳定性进行研究。利用紧束缚法,计算了各种结构件的形成能及其相互作用能。由这些结构件可灵活地构成各种大单胞的表面结构并对其进行总能计算,而避免了大工作量的计算。对Si(111)5×5和7×7DAS模型,我们得到其表面能分别为-0.467eV和-0.477eV,与Qian和Chadi的结果很接近。并指出,Harrison提出的7×7吸附原子模型和Binnig等人提出的7×7吸附原子-空位模型都是不稳定的。     

Adsorption of Perylene on Si(111)(7×7)

We investigate the adsorption of organic molecular semiconductor perylene on(7 × 7) reconstructed Si(111)surface by ultraviolet photoemission spectroscopy.It is observed that seven features that derive from the organic material are located at 0.71,2.24,4.0,5.9,7.46,8.65 and 9.95 eV in binding energy.The theoretical calculation results reveal the most stable adsorption geometry of organic molecule perylene on Si(111)(7 × 7) substrates is at the beginning of deposition.     

Si(111)7×7清洁表面的总电流谱

用自制的总电流谱仪对Si(111)7×7清洁表面进行了测量,得到A,B,C,D四个谱峰的能量位置分别在真空能级以上2.6,5.2,8.6和12.9eV。样品饱和吸氢后表面峰A消先。用带间跃迁模型对实验结果作了初步分析。 关键词：     

7Be半衰期的精确测量

用两套γ谱仪精确测量了注入到天然铍和天然金中的7Be发生电子俘获的半衰期.测得7Be在天然铍中半衰期为53.275(25)d,在天然Au中为53.270(19)d.该结果还表明,在这两种材料中7Be半衰期的相对变化小于0.12%. The half-life of 7Be implanted in natural beryllium and in natural gold has been measured with high precision using two high-purity germanium detectors. T_(1/2)=53.275(25) d in natural beryllium and T_(1/2)=53.270(19) d in natural gold is obtained. Within our experimental precision, the difference in the effect of host media beryllium and gold on the half-life of 7Be isn t observed and an upper limit 0.12% of this effect can be set.     

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为了检测到散射信号且有较高的信噪比,使用硅雪崩二极管(APD)探测器探测汤姆逊散射光,采用电荷敏感运算放大器减小电子噪声。同时,设计了放大电路,并采取了一些抗干扰措施。在实验中,此激光汤姆逊散射系统成功地测量出HT-7等离子体的电子温度。     

FOX-7的热分解研究

使用原位热红外光谱技术对FOX-7热分解全过程的气相和凝聚相产物进行了原位在线检测,通过非等温热红外动力学处理技术,获得了热分解过程中各特征官能团的断裂分解活化能(kJ·mol-1)如下:C-N键:181.66,-NO2键:235.77,N-H键:170.65.提出了FOX-7可能的两步热分解机理:第一阶段是分子共轭键、分子间(内)氢键的断裂、硝基和亚硝基重排"脱硝"释放出NO,第二阶段是残余碎片分解释放出HCN和NH3,结合TG-DSC-IR联用技术提出了FOX-7热分解的局部化学特性.     

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通过HCN信号的测量与处理来获得等离子体电子密度。采用硬件相位差计获取HT-7装置中原始HCN信号,根据对该信号特点的分析, 设计出信号去零漂、信号翻转、基于模糊逻辑的去噪处理算法。在HT-7装置实验中,使用该算法获得了较高精度的低噪音等离子体电子密度。     

Ge在Si(111)7×7表面的选择性吸附

利用超高真空扫描隧道显微镜研究了室温条件下Ge在Si(111)7×7表面上初期吸附过程.在Ge所形成团簇中存在一个临界核.这些Ge团簇的吸附中心总是在三个增原子所围成的区域中.它们的电子结构具有类似半导体的性质,即其局域态密度在远离费米面的能级处很大,而在费米面附近的能级处非常小. 关键词： 扫描隧道显微镜 Si(111)7×7表面 Ge团簇     

JTS-7智能超声波探伤仪

上海超声波仪器厂新近研制成功的JTS-7型智能超声波探伤仪是一种便携式智能A型脉冲反射式超声探伤仪,它适用于焊缝、锻件、型村等金属材料和部分非金属材料工件的超声探伤,还可用于一些材料的声速及厚度测定。仪器内装有的八位微机系统使仪器具有下列特点: 1.自动检测回波波幅、回波声程,并计算缺陷波波幅当量、缺陷中的位置。 2.新颖的CRT字符显示功能使探伤者对声速、波幅、波幅当量、回波声程等数据值探伤的A型图形一目了然。     

用低能电子衍射研究Si(111)7×7表面的原子结构

本文提出了一个由低能电子衍射能带理论计算所确定的Si(111)7×7表面的不等边三角形聚合与添加原子模型。发现:第一层空间距d_k=0.95±0.02?(膨胀21.3%±0.02?),第二层空间距d_l=0.83±0.02?(膨胀5.9%±0.02?),第三层空间距d_l=0.69±0.05?(收缩10.9%±0.08?)和第四层空间距d_b=2.38±0.08?(膨胀3.8%±0.08?)。