四种芳香稠环化合物荧光光谱的量子化学研究

芳香稠环化合物是一类重要的化合物,并且一般具有较大的共轭体系,是一类良好的电致发光材料.这类物质的光谱在近来的科学研究中已经成为了一个热点.对4种芳香稠环化合物的荧光光谱进行了理论研究.采用量子化学半经验方法RHF/PM3对4种化合物的构型进行了全参数的优化.并对优化后的构型作了振动分析,均未出现虚频率,说明所得优化构型基本合理.在此基础上,采用单激发组态相互作用方法(CIS)计算4种化合物的荧光光谱,所有计算结果与实验值基本吻合.     

三种黄酮类化合物荧光光谱的量子化学研究

采用量子化学半经验方法PM3对三种黄酮类化合物的荧光光谱进行了理论研究。对各化合物优化后的构型作了振动分析,均未出现虚频率。在此基础上,采用单激发组态相互作用方法(CIS)计算荧光光谱,所有计算结果与实验值基本吻合。     

几种稠环久烃EL材料的量子化学研究

采用量子化学半经验方法ＡＭ１对几种稠环芳烃电致发光材料（ＥＬ）的性质进行了理论研究,对９,１０－二苯基蒽作了构象找出了能量最低的构象。对各化合物优化后的构型作振动分析,均未出现虚频率。在此基础上,采用ＣＩＳ方法计算其电子光谱,并出了４种化合物电子光谱的波长λ功能ＣＩＳ组态数之间的关系。所有计算结果与实验值基本吻合。     

3种多环芳烃化合物荧光光谱的量子化学研究

采用量子化学半经验方法AM1对3种多环芳烃电致发光材料(EL)的性质进行了理论研究。对各化合物优化后的构型作振动分析,均未出现虚频率,在此基础上,采用CIS方法计算电子光谱,并给出了3种化合物电子光谱的波长与CIS组态数之间的关系。所得计算结果与实验值基本吻合。     

六种香豆素类染料荧光光谱的量子化学研究

采用量子化学半经验方法AM1对6种香豆素类染料的荧光光谱进行了理论研究。对各化合物优化后的构型作了振动分析,均未出现虚频率。在此基础上,采用单激发组态相互作用方法(CIS)计算荧光光谱,所有计算结果与实验值基本吻合。     

四种黄酮类化合物荧光光谱的量子化学研究

采用量子化学半经验方法RHF/PM3对四种黄酮类化合物的荧光光谱进行了理论研究。首先,采用能量梯度法对各化合物的构型进行了优化。所得结果表明,在4个化合物中,左侧两个六元环均在同一个平面内,而右侧苯环平面与该平面有大小不等的扭转角。对4个优化构型进行振动分析,均未出现虚频率,说明所得构型基本合理。在此基础上,采用单激发组态相互作用方法(CIS)计算荧光光谱,所有计算结果与实验值基本吻合。     

三种氨基酸荧光光谱的量子化学研究

氨基酸荧光光谱的量子化学计算为氨基酸荧光分析方法的设计与选择提供了一定的理论依据。本文采用量子化学半经验方法AM1对三种氨基酸的荧光光谱进行了理论研究。对三种化合物的结构进行优化后 ,从其结构参数可知分子具有刚性平面结构 ,具有大的离域π键。并对优化后的构型作振动分析 ,均未出现虚频率 ,证明该结构是稳定构型。在此基础上 ,采用单激发态组态相互作用 (CIS)方法计算其荧光激发波长及强度 ,并给出了三种化合物荧光光谱的波长与CIS组态数之间的关系。所得计算结果与实验值基本吻合。     

几种含吡啶环的双醛腙类化合物的结构与光谱性质

采用DFT/B3LYP方法在3-21+G基组下对4种含吡啶环的双醛腙类化合物进行基态(S_0)构型优化,并用单组态相互作用方法(CIS)优化四种化合物分子的激发态(S_1)结构,从理论上探讨了四种化合物的分子轨道能量、电子吸收和发射光谱等性质与结构的关系,并与实验值进行了对比,发现理论计算数据能够与实验结果基本一致.通过对分子中前线轨道能量的计算,揭示了不同取代基对材料光电活性的影响,即分子中的共轭体系增大,吸收光谱波长也随之红移.根据化合物的吸收和发射光谱的计算数据推测化合物D是这四种化合物中最可选的电子传输材料及光活性材料.     

梯形化合物NaV2O4F电子结构的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理赝势平面波方法, 通过自旋极化的广义梯度近似(GGA)电子结构计算对梯形化合物NaV2O4F进行了研究. 考虑了四种假想的自旋有序态, 计算结果表明该化合物的磁基态具有二维反铁磁(AFM)结构, 即沿梯阶和梯腿方向都表现为AFM作用. 能带结构显示NaV2O4F为绝缘体材料, 带隙约为1.0 eV. 方锥体中的晶体场劈裂使得VO4F方锥体中的 V4+(3d1)离子的未配对电子填充dxy轨道. 电负性极强的F离子使得梯阶上的共价性减弱,并导致梯阶上的交换作用减弱. 采用Noodleman的对称性破缺方法由Ising模型拟合出的自旋交换耦合常数表明NaV2O4F的梯间还存在强度与梯阶的AFM作用相当的铁磁(FM)相互作用, 说明该梯形化合物很可能不是一种自旋梯材料.     

几种含吡啶环的双醛腙类化合物的结构与光谱性质

采用DFT/B3LYP方法在3-21+G基组下对4种含吡啶环的双醛腙类化合物进行基态(S0)构型优化, 并用单组态相互作用方法(CIS)优化四种化合物分子的激发态(S1)结构, 从理论上探讨了四种化合物的分子轨道能量、电子吸收和发射光谱等性质与结构的关系, 并与实验值进行了对比, 发现理论计算数据能够与实验结果基本一致. 通过对分子中前线轨道能量的计算, 揭示了不同取代基对材料光电活性的影响, 即分子中的共轭体系增大, 吸收光谱波长也随之红移. 根据化合物的吸收和发射光谱的计算数据推测化合物D是这四种化合物中最可选的电子传输材料及光活性材料.     

Reliability of calculating the cepstral peak without linear regression analysis

Measures of cepstral peak prominence, using the smoothing algorithm and linear regression analysis software developed by Hillenbrand, have been shown to be reliable predictors of dysphonia in voice samples.(1-4) Recently, the Computerized Speech Laboratory [(CSL) Kay Elemetrics, Pinebrook, New Jersey] has introduced cepstral analysis as a component of that software package. The cepstral peak, in this instance, is calculated by the voice clinician analyzing the phonatory sample by subtracting the value of the peak from the apparent baseline signal. This study compares the ability of cepstral peak values calculated from the CSL software to predict dysphonia reliably with that of the values produced by the smoothing algorithm and linear regression analysis of Hillenbrand. The results of this study show that linear regression analysis is an important step in calculating the cepstral peak prominence, thus limiting the usefulness of software programs that do not employ this step.     

Experimental study and thermodynamic calculation of Au–Bi–Sb system phase equilibria

Phase equilibria in the Au–Bi–Sb ternary system have been studied experimentally and calculated by the CALPHAD method. Three calculated isopleths with molar ratios Au:Bi=1, Bi:Sb=1 and Au:Sb=1 were compared with the DTA results from this work. The liquidus projection has been calculated. Two ternary invariant reactions were noted. Calculated phase diagram of isothermal section at 573 K was compared with the results of SEM/EDX analysis.     

超短沟道MOSFET电势的二维半解析模型

本文根据超短沟道MOSFET的工作原理, 在绝缘栅和空间电荷区引入两个矩形源, 提出了亚阈值下电势二维分布的定解问题. 通过半解析法和谱方法相结合, 首次得到了该定解问题的二维半解析解, 解的结果是一个特殊函数, 为无穷级数表达式. 该模型的优点是避免了数值分析时的方程离散化, 表达式不含适配参数、运算量小、精度与数值解的精度相同, 可直接用于电路模拟程序. 文中计算了沟道长度是45—22 nm的MOSFET电势、表面势和阈值电压. 结果表明, 新模型与Medici数值分析结果相同. 关键词： 半解析法 电势 阈值电压 MOSFET     

Terfenol-D超磁致伸缩换能器的有限元模拟

本文研究了利用ＡＮＳＹＳ软件分析磁致伸缩换能器,使这一有限元分析软件能够用于Ｔｅｒｆｅｎｏｌ－Ｄ换能器的分析设计。设计了１４ｋＨｚ Ｔｅｒｆｅｎｏｌ－Ｄ纵向换能器,计算结果与实验结果符合很好。     

On the higher-order modes in rectangular-groove guide

The propagation characteristics of the higher-order modes in oversize rectangular-groove guides have been analyzed by using the Method of Lines. In the analysis, the cutoff wavenumbers, field distributions and leaky phenomena are presented and discussed. The leaky mode concept introduced in this paper has been found to be useful for analysis. The calculated data agreed well with the measured data published.     

二元高斯核模型的相不稳定性研究

从考虑巨势Ω在平衡点附近随密度的微小涨落δρ_α(r)的变化出发，由系统的关联函数可以研究描述高分子链二元系统的相不稳定性.在超网链(HNC)近似下研究了二元高斯核模型的相不稳定性，得到了它的相不稳定线，同时确定此相变是由浓度涨落为主的相不稳定性引起的退混合相变.将HNC近似下的结果与随机相近似下的结果进行了比较. 关键词： 高斯核模型 关联函数 相不稳定性 高分子链     

聚酰胺酸及其接枝衍生物的荧光光谱理论研究

文章采用量子化学半经验方法PM3对聚酰胺酸（R气A）及经pπ共轭接枝上一系列不同侧链的衍生物（GPAA1-4）进行了理论计算,优化得到了它们的平衡几何构型,计算了它们的谐振动频率,均未出现虚频,证明优化得到的是稳定结构。在此基础上采用单激发态组态相互作用（CIS）方法计算了它们的荧光激发波长及强度,所得结果与实验值变化趋势基本吻合。作者发现PAA经pπ共轭接枝上侧链后,荧光强度明显加强,而且随着侧链烷基的加长,荧光强度也随之加强。这有助于指导设计和合成聚合物荧光材料。