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本文主要论述了0.5MeV,单能垂直入射的电子束在三种不同密度的氟化氪准分子激光介质中的能量沉积。计算是采用Monte Carlo方法的MCSED程序,光轴方向采用周期性边界条件,因此能够给出平行于和垂直于电子束入射方向的沉积能量的空间分布。本文给出了在三种不同密度下的出射电子的角分布。用该程序对垂直入射的,初始能量为1MeV的电子在半无限大Al靶中的沉积能量的计算结果与ONETRAN程序的结果及实验结果的比较表明MCSED程序的计算结果是可靠的。 相似文献
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用染料激光和氙灯泵浦实现了NdS-FAP晶体低阈值、高效率的1.328μmm激光运转。在透过率7%的平-平腔情况下,染料激光泵浦斜效率为38%,阈值4.5mJ,倍频红光波长为0.664μm,线宽1.3nm;采用氙灯泵浦(4×30mm),实现了1.328μm自由运转,阈值为240mJ,斜效率为0.85%。测量了不同腔长,不同透过率情况的输出能量、光束发散角和偏振特性等。 相似文献
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针对脉冲激光器,提出了一种根据激光单脉冲能量空间分布测量激光横模结构的方法,构造了相应算法,并通过理论和实验验证了该方法.通过对调Q二极管泵浦固体激光器的调Q过程进行数值模拟,计算出单脉冲能量空间分布曲线和各阶横模比例,同时根据单脉冲能量空间分布曲线上一些离散点计算出各阶横模比例,且与调Q过程数值模拟的直接计算结果相等.同时在实验中根据测量出的单脉冲能量相对值,计算出各阶横模比例,拟合出腔外不同距离处的单脉冲能量空间分布曲线.对腔外不同距离处单脉冲能量相对值和相应拟合曲线进行比较,发现测量值和拟合曲线吻合. 相似文献
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针对脉冲激光器,提出了一种根据激光单脉冲能量空间分布测量激光横模结构的方法,构造了相应算法,并通过理论和实验验证了该方法.通过对调Q二极管泵浦固体激光器的调Q过程进行数值模拟,计算出单脉冲能量空间分布曲线和各阶横模比例,同时根据单脉冲能量空间分布曲线上一些离散点计算出各阶横模比例,且与调Q过程数值模拟的直接计算结果相等.同时在实验中根据测量出的单脉冲能量相对值,计算出各阶横模比例,拟合出腔外不同距离处的单脉冲能量空间分布曲线.对腔外不同距离处单脉冲能量相对值和相应拟合曲线进行比较,发现测量值和拟合曲线吻合. 相似文献
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利用通过金属化学气相沉积法长成的AlGaInAs饱和吸收体,对808 nm LD泵浦的Nd:YVO4键合晶体进行被动调Q,获得了波长为1.06 mm的激光脉冲,测量了脉冲能量、脉冲宽度、脉冲重复率随泵浦功率的变化。当泵浦功率为10.57 W时,激光平均输出功率为3.45 W,斜效率为39 %,重复频率达到最大值101 kHz。当泵浦功率为8.07 W时,脉冲宽度达到最小值1.76 ns。利用速率方程对该激光器进行理论分析,计算出输出脉冲能量、峰值功率、脉冲宽度和重复频率的理论值,实验结果和理论结果基本一致。 相似文献
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用蒙特卡罗方法计算棒状放大器内的泵浦能量分布 总被引:6,自引:3,他引:3
建立了用蒙特卡罗和光线跟踪法计算高功率固体激光系统棒状放大器能量沉积分布的模拟程序。在本文的模型中正确考虑了光线在反射器激光棒上的多次反射,氙灯的辐射光谱以及钕玻璃的吸收光谱。计算结果与作者用阈值法测量的增益均匀性以及用哈特曼网格法测量的氙灯泵浦对激光波面畸变的影响是一致的。 相似文献
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采用高斯光束的研究方法,结合Fokker-Planck方程,在堆级等离子体条件下模拟了发射波功率密度的改变对电子回旋波功率沉积以及电流驱动的影响。结果表明,高功率密度的波束会拓宽功率沉积剖面,使功率沉积的位置略有外移,电流驱动效率略有降低。 相似文献
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根据能量平衡原理,导出了脉冲激光作用靶材的烧蚀率公式,并根据流体动力学理论,得出了脉冲激光产生的等离子体的空间运动特性方程,将靶材烧蚀率公式与等离子体空间动力学方程结合起来,根据实验研究了不同激光功率密度和波长对Kta0.65Nb0.35O3(KTN)薄膜沉积特性的影响,得到了一些有价值的结果,并对结果进行了详细的讨论,理论计算结果与实验大体符合.
关键词:
PLD技术
烧蚀率
等离子体
KTN薄膜 相似文献
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结合辐射输运方程,在流体力学方程组的能量方程中加入包括空气吸收的激光能量以及高温气体向周围辐射损失的能量源项,转化为辐射流体力学方程组,建立了用于模拟吸气式激光推进中能量沉积过程的物理力学模型和计算方法。该辐射流体力学计算程序可以很好地模拟激光能量沉积过程中空气对激光能量的吸收、等离子体对激光的屏蔽作用以及激光维持的爆轰波的传播规律,计算得到激光能量的沉积效率约为57%,激光维持的爆轰波的传播速度与同等条件下的理论和实验结果吻合得较好。 相似文献
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A diode-pumped doubly Q-switched Nd:LuVO4 laser with an acousto-optic (AO) modulator and GaAs saturable absorber has been realized. The pulse profile of the doubly Q-switched Nd:LuVO4 laser has an almost absolutely symmetric shape. The dependences of pulse width, single-pulse energy and peak power on the incident pump power under different AO repetition rates are measured. By considering the transverse Gaussian distribution of the intracavity photon density and the longitudinal distribution of photon density along the cavity axis, the coupled rate equations of the laser are given. These coupled rate equations are solved numerically and the theoretical results are in agreement with the experimental results. 相似文献
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Using kinetic Monte Carlo method, we have simulated a pulsed energetic growth process in pulsed laser deposition. During the growth of film, substrate temperature mainly influences upon film morphology by directly enhancing the adatom mobility through the temperature-dependent thermal vibration. By contrast, the effect of incidence kinetic energy on film growth is complex resulting from the collisions between the incident particles and the adatoms. The results show that improving incident kinetic energy cannot significantly accelerate the migration rate of adatom but change surface microstructure and promote single adatom formation resulting in more island aggregation density. Moreover, since pulse-influx characterizes pulsed laser deposition, the intensity per pulse contributes to the evolvement of nucleation density and the results illustrate that a general scaling law different from ordinary power law still exists in energetic growth of pulsed laser deposition. 相似文献
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