共查询到20条相似文献,搜索用时 78 毫秒
1.
2.
在石墨瓦和热沉板可达到的最高温度的优化目标下,基于热传导和对流换热方程,利用CFX软件采用单一参数分析的方法对HL-2M偏滤器石墨瓦厚度、热沉板内管道中心位置、管道直径、石墨瓦与热沉板接触热阻等关键结构设计变量进行了数值仿真及分析。研究结果表明:石墨瓦厚度为25mm时,HL-2M偏滤器冷却性能最佳;热沉板内管道中心离靶板表面越远,其热交换性能越差,且近似呈线性关系;热沉板内管道直径增大,对偏滤器冷却性能略有提高;石墨瓦与热沉板之间传热系数越大,偏滤器冷却性能有所改善,但对热沉板的热冲击越大。 相似文献
3.
4.
5.
为了提高微通道热沉的水力性能和热力性能,采用等效比热容法对相变微胶囊悬浮液在固体肋和多孔肋微通道热沉内的流动与传热特性进行研究。结果表明:多孔肋可以使微通道热沉的压降显著降低,对热阻的影响随微通道内冷却剂流动距离变化。相变微胶囊悬浮液相变吸收潜热可以减小微通道热沉的热阻,但是粘度增大使得压降增大。多孔肋和相变微胶囊悬浮液都能提高微通道热沉的综合性能,相变微胶囊悬浮液在多孔肋微通道热沉中比水在固体肋微通道热沉中的综合性能提高了14%。 相似文献
6.
相比于单层热沉,双层热沉显著改善芯片温度均匀性.本文建立了双层热沉的三维流固耦合模型,采用参数递进优化法,对硅基水冷双层热沉的几何结构(流道数N、下层流道高度H_(c1)、上层流道高度H_(c2)和肋条宽度W_r)及上下两层通道的流速比t进行了优化研究.结果表明,在泵功0.2 W和热流密度100 W·cm~(-2)时,最佳的双层热沉结构和通道流速比分别为:N_(opt)=70,H_(c1,opt)=200μm,H_(c2,opt)=650μm,W_(r,opt)=71.48μm和t_(opt)=1.85,相比于同样操作条件和几何参数的单层热沉,热阻降低了11.3%,热沉的最大温差从单层热沉的4.6 K降低到0.5 K,显著改善了热沉的温度均匀性. 相似文献
7.
《工程热物理学报》2015,(11)
本文基于传统微通道热沉的物理模型,建立了完全填充、三角形填充、梯形填充、渐扩梯形填充及底层填充5种不同几何布置形态的多孔金属微通道热沉的数值模型。在层流流动的范围内,对不同布置形态多孔金属微通道热沉的阻力系数、平均Nu数、热阻、有效温控系数及能效因子等相关参数进行了数值研究,并应用场协同原理对多孔金属强化微通道的换热性能进行了分析。结果表明:微通道热沉中填充多孔金属后可显著改善速度场与温度场之间的协同性,填充不同多孔金属布置形态的微通道热沉可使平均协同角减小9.6°~23.2°左右;5种不同多孔金属布置形态的热沉中,完全填充热沉的热阻最小,冷却效果最好;等泵功情况下,当Re数大于150时,完全填充和梯形填充热沉的综合换热性能均优于传统微通道。 相似文献
8.
9.
介绍了低温温度计标定装置中的热沉问题;建立了数学模型;找出了计算与热沉接触电引线长度的方法;并给出了实例计算。为解决低温装置中的热沉问题提供了理论依据。 相似文献
10.
低温装置中温度测量的热沉问题 总被引:2,自引:0,他引:2
文中讨论了低温装置中的热沉问题。为减少因电引线导热对温度计的热负荷 ,提高温度测量的精度 ,在温度计的引线中加入热沉将是非常必要而且有效的手段。文中解决了不同边界条件下所需的热沉长度的求解问题 ,并讨论了其实际应用 相似文献
11.
12.
It is commonly known that the hydrodynamic equations can be derived from the Boltzmann equation. In this paper,we derive similar spin-dependent balance equations based on the spinor Boltzmann equation. Besides the usual charge current, heat current, and pressure tensor, we also explore the characteristic spin accumulation and spin current as well as the spin-dependent pressure tensor and heat current in spintronics. The numerical results of these physical quantities are demonstrated using an example of spin-polarized transport through a mesoscopic ferromagnet. 相似文献
13.
14.
15.
霜形成对翅片管式蒸发器性能影响的研究 总被引:7,自引:0,他引:7
符号表A面积,mZ7汽化游热、kJ/kgi冰a热扩散半,m‘/s。运动粘度,m勺sdn进口C质量百分数6厚度,mfat潜热D质扩散}.4{,ma/sP密度,ng/m‘e出口7烩,*U一,时间,S,管排m质量,kgA导热系数,W/inKs饱和状态M质流量,ug/s。含湿量,ng水儿g空气sen显热Q制冷量,W下角T总的R气体常数a空气I管S间距,mb翅片间的中心位置。蒸气T温度,KF霜w壁面。;。;w,x,y,z向速度,m/s/翅片x和距离有关的局部分量1目u竟亏目前,热泵的应用越来越广泛,所遇到的最大问题就是蒸发器的结霜问题。结霜使蒸发器的传热情况恶化,同时使… 相似文献
16.
17.
M. A. Bukharin D. V. Khudyakov 《Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics》2016,80(10):1248-1252
Structural changes induced in fused silica subjected to focused femtosecond laser radiation in the heat accumulation regime are studied. The spatial profile of the induced refractive index and the effect its amplitude has on such effects as the self-focusing of the laser radiation, and thermal and photochemical processes are investigated. Individual contributions from each of these effects are separated and their effect is described on the basis of experimental dependences for the first time. It is also shown that the use of heat accumulation regime substantially increases the induced refractive index, compared to the nonthermal regime. 相似文献
18.
19.
基于电流连续方程、欧姆定律及定性三维热流传导模型研究发光二极管(LED)芯片 的电流密度分布、热量、温度之间的相互交叉关系,进而测试分析GaN基蓝光 LED电流扩展效应和亮度分布的关系,认为芯片亮度变化趋势可作为判别电流扩 展性能的有效手段. 由于芯片表面温度、亮度分布和电流密度之间存在紧密的联结 关系,通过测试芯片表面温度或亮度分布就可定性了解器件电流扩展性能, 从而为优化电极结构提供一种判定依据. 在不同电流和热沉温度下,进一步 讨论了电流密度非均匀性和亮度分布的关系, 电流密度拥挤将导致芯片局 部区域热量堆积,非辐射复合作用增强,限制出射光子数目, 因此热 量是影响亮度分布的重要因素之一. 通过载流子传输机理进一步说明 温度影响亮度均匀性的原因,并通过实验说明理论分析的可行性. 通过优化电极结构能改善器件的电流扩展效应以及亮度均匀性, 对提高大功率LED的可靠性具有重要作用. 相似文献
20.
Spin-dependent electron temperature effect on the spin pump in a single quantum dot connected to Normal and/or Ferromagnetic leads are investigated with the help of master equation method. Results show that spin heat accumulation breaks the tunneling rates balance at the thermal equilibrium state thus the charge current and the spin current are affected to some extent. Pure spin current can be obtained by adjusting pumping intensity or chemical potential of the lead. Spin heat accumulation of certain material can be detected by measuring the charge current strength in symmetric leads architectures. In practical devices, spin-dependent electron temperature effect is quite significant and our results should be useful in quantum information processing and spin Caloritronics. 相似文献