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本文介绍了金属-绝缘体-金属结构中隧道效应的转移哈密顿理论,讨论了非弹性隧道效应和弹性共振隧道效应以及它们的某些实验应用。最后简要介绍了近几年发展起来的一种新型表面分析技术——扫描隧道显微镜(STM)及其转移哈密顿理论给出的一些重要结果。 相似文献
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考虑到正常金属区域的杂质散射和界面粗糙的散射,运用Bogoliubov-de Gennes (BdG)方程和Bolonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论模型,计算正常金属-d波超导隧道结的微分电导.计算发现:隧道谱强烈地依赖电子的入射角和超导体晶轴方位,并能展示零偏压电导峰的存在;此外,杂质散射能使隧道谱的凹陷分裂出两个小凹陷,而界面粗糙能抹平和压低零偏压电导峰和能隙电导峰.这些结果都将很好地解释高Tc超导隧道谱的实验现象.
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1.实验证明,过渡族超导体的很多性质可以在BCS理论中获得解释,只要形式上把BCS理论中的N(0)理解成Fermi能级处s带和d带态密度之和。这些性质有:比热,临界磁场,能隙等。 过渡金属的特点是s带和d带重迭,Fermi能级位于s带和d带之中。过渡金属的很多性质和这个特点有关。Suhl,Matthias和Walker把BCS理论推广到重迭能带的情形,企图给出较为合理的过渡金属超导电理论。在二能带模型的基础上,BCS哈密顿量推广成 相似文献
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讨论了在声子作用下,两能级隧道态耦合态激发和退激发规律,并用此理论解释低温低频声吸收规律
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