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采用相对论多组态从头计算方法,系统计算了高离化类铜离子等电子序列In20-U63+(Z=49~92)4s-4p跃迁波长和能级间隔,计算结果与文献的实验值和计算值作了比较。结果表明,在高离化类铜离子体系中存在更显著的量子电子动力学效应。 相似文献
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采用Coulomb-Bron交换近似,在Z标度类氢模型下计处了“水窗”波段Mn^22+离子精细结构能级的电子碰撞激发截面和速率系数。为了更有效地考虑碰撞过程中电子的关联和相对论效应,在计算中对有效核电荷的计算作了修改。 相似文献
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采用准相对论性Hartree-Fock-Relativistic方法与不可分辨跃迁组模型相结合,对Au和Ta元素的类Ni离子的双电子复合速率,以及Au元素类Cu离子的电子碰撞激发速率进行了计算。计算结果表明,对于Au类Ni离子的3d10-3d94l5f-3d104l双电子复合过程以及类Cu离子的3d104l-3d94l5f电子碰撞激发过程,当电子温度高于1.0 keV时,电子离子碰撞激发速率随电子温度增加而增加,双电子复合速率随电子温度增加而减小,并且电子碰撞激发对谱线辐射的贡献要比双电子复合大得多。 相似文献
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深入分析了采用脉冲辐解技术测定物质的单电子还原电位时是否考虑离子强度的影响问题,结论是:若选定的参比物本身不带电荷,则对所有的单电子还原电位还不必考虑溶液中离子强度的影响;若选定的参比物本身带电荷,则需考虑离子强度的影响;此外,还运动Marcus电子转移理论定性地讨论了影响电子转移反应速率的主要因素。 相似文献
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氖,硅和钛元素的类锂离子激发态参数的计算 总被引:1,自引:0,他引:1
杨治虎 《原子与分子物理学报》1994,11(3):330-334
为利用本所重离子加速器原子物理实验装置进行高电离态离子物理实验研究,本文采用郑能武等人^[^1^]提出的最弱受约束电子势模型理论的波函数和H.A.Bethe等入^[^2^]的量子力学理论,估算了Ne,Si和Ti离子的类锂等电子序2S-2P态的跃迁几率和振子强度,并把计算结果与文献结果作了比较。 相似文献
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本采用相对论的Flexible Atomic Code(FAC)程序计算类氯Kr^34 离子双电子复合的截面及速率系数,其中用n^-3标度律对速率系数作了外推。中我们还讨论了辐射分支比随不同共振峰的变化以及级联辐射的影响。 相似文献
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采用位置灵敏探测和飞行时间技术研究了高电荷态Xe离子(q=15,17,19,21,23)与He原子碰撞中双电子转移截面与单电子转移截面比随入射离子电荷态的变化规律.提出一步过程假定,对扩展的经典过垒(ECB)模型进行了修正,利用修正模型计算得到的单、双电子转移绝对截面与Andersson等人和Selberg等人的实验结果很好符合,所得截面比与本实验得到的双电子转移截面与单电子俘获截面比较好符合.
关键词:
离子 原子碰撞
电荷转移
一步过程 相似文献
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在高温稠密等离子体内,由于电子的热运动,产生了各种电子一离子碰撞过程,其中电子-离子直接碰撞电离就是一种很重要的物理过程。电子离子碰撞调节了等离子体内电子的布局数,使之从非平衡走向平衡。电子-离子的碰撞激发、离化导致电子在能级之间发生跃迁,影响能级的寿命,导致能级增宽,因而使谱线变宽,这种效应对研究等离子体辐射不透明度DTA(Detailed Term Accounting)模型具有重要的意义。 相似文献
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在Z标度类氢模型下,用Coulomb-Born交换近似计算了‘水窗’波段类锂钛离子精细结构能级的电子碰撞激发截面和速率系数。为了更好地考虑碰撞过程中电子的关联效应和相对论效应,在计算过程中对有效核电荷的计算作了修改。 相似文献
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高次谐波的产生(HHG)是一种获取高频相干光的重要技术。其产生机理为:原子(离子)的外层电子在强激光的作用下产生电离,电离后的电子在激光场的作用下运动,在一定条件下,电子可以回到母离子所在的位置,与离子复合并发出一个高能量的光子,其能量等于电子返回时的动能加上电离能。为了得到很高的光子能量,必须采用高强度的驱动激光。如果激光强度接近10^17W/cm^2或更高时,由磁场产生的洛仑子力将阻止电子回到母离子,因而大大降低高次谐波的产生效率。 相似文献
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介绍了离子-原子碰撞过程中双微分绝对截面的计算方法.利用符合技术测量了中能区C3++Ne碰撞系统的纯电离微分绝对截面. 将实验结果与多体经典蒙特卡罗方法计算结果进行对比后发现,纯电离截面随入射能量变化的趋势基本一致,对理论与实验产生差异的原因作了分析. 对多重电离的电离机制分析表明:高价态的反冲离子主要来自于俄歇贡献;随着入射能量的升高,电子-电子间的库仑作用也逐渐显现. 此实验方法可以用于相同实验装置上的各种反应出射道的绝对截面测量,入射离子种类及入射离子能量范围将得到拓展.
关键词:
离子-原子碰撞
绝对截面
纯电离 相似文献
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电子碰撞激发机制中自电离与双电子俘获 总被引:1,自引:1,他引:0
以Ge为例,研究了双电子复合代替自电离与双电子俘获对离子布居的影响;通过解包括双激发态和自电离与双电子俘获过程的速率方程组,研究了类F离子与类Ne离子基态对19.6nm与23.6nm激光线上、下能级的布居贡献因子及类Na离子与类Ne离子的电离速率,并讨论了这两条激光线的反转与增益。 相似文献