静高压下非晶（Fe0.09,Mo0.01）74Si9B13合金晶化过程的热力学研究

在６００－９３０Ｋ，常压到７ＧＰａ的范围内，对非晶（Ｆｅ０．９９，Ｍｏ０．０１）７８Ｓｉ９Ｂ１３合金等温等压退火３０ｍｉｎ。实验表明；其晶化产物α－Ｆｅ（Ｍｏ，Ｓｉ）Ｆｅ３Ｂ和Ｆｅ２Ｂ相的析出与所加压力密切相关。压力使非晶（Ｆｅ０．９９Ｍｏ０．０１）７８Ｓｉ９Ｂ１３合金的晶化温度和亚稳Ｆｅ３Ｂ相的析出温度下降，在一定的压力和温度下，亚稳Ｆｅ３Ｂ相半向稳定Ｆｅ２Ｂ相转变其转变温度随压力而变化。     

非晶合金Fe78Si9B13在脉冲电流作用下的单相晶化

对非晶合金Fe₇₈Si₉B₁₃进行了超短脉冲电流处理，实现了晶化时α-Fe（Si）单相结构析出．可以认为，脉冲电流作用时，电子运动与非晶中空位型结构缺陷间的周期性排斥效应促进了类金属原子从非晶结构单元中析出，使Fe（Si）原子局部富集，导致基体金属相在较低温度下优先成核．而在空位的定向迁移的同时，将伴随B原子的扩散，则B原子局域富集，Fe-B化合物的形核析出就要受到这两个因素的抑制 关键词：     

与Al发生扩散反应的非晶(Fe0.99Mo0.01)78Si9B13晶化

高压下与Ａｌ发生扩散反应的非晶（Ｆｅ０．９９Ｍｏ０．０１）７８Ｓｉ９Ｂ１３（ＦＭＳＢ）的不同。与Ａｌ反应的ＦＭＳＢ非晶在３．０￣５．０ＧＰａ,７８０￣９００Ｋ热处理时,晶化为α－Ｆｅ（Ａｌ）和次亚稳非晶合金;在这一压力范围以外,７２０￣９００Ｋ热处理时,晶化为α－Ｆｅ（Ｓｉ）,Ｆｅ３Ｂ或Ｆｅ２Ｂ。与Ａｌ发生反应的ＦＭＳＢ非晶可能通过与Ａｌ的扩散反应在Ａｌ／ＦＭＳＢ界面开始晶化。压力和温度对晶化过程     

非晶(Fe_(0.99)Mo_(0.01))_(78)Si_9B_(13),Fe_(78)Si_9B_(13)合金激波晶化主相αFe变化研究

研究激波对非晶ＦｅＢＳｉ,ＦｅＭｏＢＳｉ 合金的影响,经Ｘ 射线衍射分析,测定主晶化相αＦｅ（ Ｍｏ ,Ｂ,Ｓｉ） 晶格常量．结果表明：晶格常量比正常值偏小,用双势模型计算晶格常量,理论值与实验符合得很好．从而肯定晶格常量变小是形成Ｂ 的替代式固溶体和缺位式固溶体所致．     

高密度脉冲电流对非晶Fe-Ni-Si-B合金结构弛豫与晶化的促进效应

对非晶Ｆｅ_７３Ｎｉ_５Ｓｉ_８Ｂ_１４合金分别进行了高密度脉冲电流及真空退火处理．用穆斯堡尔谱学与透射电子显微镜技术研究了处理后非晶的微观结构与晶化行为．实验结果表明，与退火处理相比，高密度脉冲电流产生的“电子风”促进了非晶合金的结构弛豫与晶化．随电流密度显著增加，这一促进效应进一步增强     

Ge＿xSi＿（1－x）合金中的键长及其对电子能带结构的影响

采用经验紧束缚理论，以类似闪锌矿结构的晶体模型模拟Ｇｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）合金，根据总能最小原则计算了Ｇｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）合金中的键长及点阵常数．同时以紧束缚方法计算了原子位置发生弛豫前后的电子能带结构，并与虚晶近似下的计算结果进行了比较．计算结果表明，Ｇｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）合金中的键长基本上与合金组分无关，各自接近于Ｇｅ，Ｓｉ晶体中的键长，与广延ｘ射线吸收精细结构（ＥＸＡＦＳ）测量结果符合得很好．原子位置的弛豫对合金的电子能带结构影响很小，对合金的电子能带结构起主要作用的是合金的化学组分无序．     

（Ba_（1－x）K_x）BiO_3芯态能级随组份的变化

本文用第一原理的ＬＤＦ－ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法，以超元胞Ｂａ４Ｂｉ４Ｏ（１２），（Ｂａ３Ｋ）Ｂｉ４Ｏ（１２），（ＢａＫ）Ｂｉ２Ｏ６，（ＢａＫ３）Ｂｉ４Ｏ（１２），Ｋ２Ｂｉ２Ｏ６五种“样本”计算由于Ｂｉ（＋３）和Ｂｉ（＋５）二种价态以及Ｋ掺杂引起各芯态能级化学位移的变化．“样本”的电子结构与实验相符，即Ｂａ４Ｂｉ４Ｏ（１２）是Ｅｇ＝２．０ｅＶ的半导体，（Ｂａ３Ｋ）Ｂｉ４Ｏ１２是Ｅｇ＝１．６ｅＶ其价带顶有少量空穴的半导体．其余“样本”是金属．芯态的ＬＤＦ本征值经原子模型△ＳＣＦ修正更接近实验值．用正态分布表达各芯态能级除化学位移外各种“环境因子”的影响，结合任意组份五种“样本”的伯努利分布，计算芯态电子能谱随ｘ的变化．结果表明，所有芯态的自旋一轨道分裂与实验完全相符，Ｂｉ（＋３）和Ｂｉ（＋５）二种价态引起各芯态化学位移的变化均小于０．２ｅＶ，Ｋ掺杂使各芯态结合能略有增加，其中Ｂｉ（４ｆ），Ｂａ（５ｄ）约１．３～１．５ｅＶ，其他芯态约０．４ｅＶ，以上计算结果与实验基本一致．     

非晶纳米发光材料(Y,Eu)_2O_3-SiO_2发射光谱的分析研究

ＥＸＡＦＳ测定表明ｓｏｌ－ｇｅｌ方法制备的纳米非晶（Ｙ，Ｅｕ）２Ｏ３－ＳｉＯ２发光材料中，发光中心Ｅｕ３＋的局域环境和晶态Ｘ２型Ｙ２ＳｉＯ５Ｅｕ中Ｅｕ３＋离子的局域环境相似．以此结构为依据，用Ｍ．Ｆ．Ｒｅｉｄ的方案计算了晶场迭加模型中的能级参数及光谱强度参数，并得到了与实验结果基本一致的理论光谱图     

荧光XAFS研究Si可稀浓度杂质的区域结构

荧光ＸＡＦＳ研究Ｓｉ晶体中等电子，缺电子和富电子杂质原子的区域环境结构。结果表明杂质原子的电子构型决定了杂质原子对Ｓｉ区域晶格形变的影响。相对于共价键长ＲＳｉ－Ｓｉ（０．２４０ｎｍ）来说，富电子杂质Ａｓ导致Ｓｉ晶格在Ｓｉ（１１１）方向的ＲＡｓ－Ｓｉ键长产生０．００４ｎｍ的反应增长，等电子杂质Ｇｅ的Ｒ－Ｇｒｅ－Ｓｉ和缺电子杂质Ｇａ和ＲＧａ－Ｓｉ键长收缩０．００２ｎｍ。     

(Ba_(1-x)K_x)BiO_3电子结构与超导电性

用第一原理的ＬＤＦ-ＬＭＴＯ-ＡＳＡ超元胞法，模拟由Ｘ射线吸收谱精细结构测定的ＢａＢｉＯ_３中，Ｂｉ有两种价态Ｂｉ^３＋和Ｂｉ^5＋及与之相应的两种不同键长的Ｂｉ—Ｏ八面体，以及Ｋ掺杂对晶体结构的影响．计算了Ｂａ₄Ｂｉ₄Ｏ₁₂，（Ｂａ_３Ｋ）Ｂｉ₄Ｏ₁₂，（ＢａＫ）Ｂｉ₂Ｏ₆，（ＢａＫ_３）Ｂｉ₄Ｏ₁₂，Ｋ₂Ｂｉ₂Ｏ₆（简记为（４０４），（３１４），（１１２），（１３４），（０２２））五种“样本”的电子结构．结果表明，（４０４）和（３１４）分别为Ｅ_g＝１.６ｅＶ及Ｅ_g＝１.５ｅＶ的半导体，其它“样本”为金属．总能的分析表明（１３４）是不稳定的，故溶解极限为ｘ＝０.５．以“取样”方式按伯努利分布确定任意组分各“样本”的概率，进而计算了（Ｂａ_1-xＫ_x）ＢｉＯ_３电子结构随组分的变化．最后用逾渗模型说明了超导转变温度Ｔ_c在ｘ＝０．２５附近的突变 关键词：