600MeV 18O+natPb(厚靶)系统生成Hg同位素独立产额测量(Ⅱ)结果与分析

报道了600MeV ¹⁸O轰击^natPh(厚靶)生成的质量数在180—209之间的Hg同位素产物独立截面的测量结果.通过与600MeV质子轰击天然铅靶生成Hg同位素产额分布的比较,讨论了几个质量区段Hg同位素的生成机制.测量结果也与相对论重离子碎裂反应双质子移出道的产额分布进行了比较.结果表明,中能重离子与中子较富集靶核组成的反应系统对生成丰中子类靶余核具有较明显的优势.     

30MeV/u40Ar+112,124Sn反应中的同位素产额比与核温度

系统研究了30MeV/u ⁴⁰Ar+^112,124Sn反应中的轻粒子同位素产额比随角度和初始激发能的变化关系.对于两个反应体系,均观察到³He/⁴He和⁶Li/⁷Li的产额比随角度的增加而增加,⁶He/⁴He和⁸Li/⁷Li随角度的增加而减小.统计发射的运动学效应不能完全符合实验结果.各种单同位素产额比与靶核的N/Z比有关,表现出同位旋效应,而由双同位素比提取的核温度几乎没有靶核相关性.     

35MeV/u 36,40Ar+112,124Sn反应中同位旋自由度的弛豫

35MeV/u ^36,40Ar+^112,124Sn反应中,在前角5°和20°观测到丰中子核与稳定核的产额比随粒子出射动能的增加而减小,而缺中子核与稳定核的产额比随动能的增加而增加.对于某种元素,随着动能的减小,其平均中质比逐渐由弹核N/Z向靶核N/Z过渡.这些现象表明在这样的入射能量下,周边或近周边碰撞过程中同位旋自由度没有完全达到平衡.这种行为对两个靶核系统是相似的,但是同位素产额比的绝对值在5°没有靶核相关性,而在20°处却表现出明显的靶核相关性.     

25MeV/u 40Ar引起的反应中碎片同位素分布的研究

本文描述了25MeV/u ⁴⁰Ar+²⁷Al、⁵⁸Ni、¹¹⁵In反应中在小角区方向测得的出射碎片同位素分布及其产额,给出了出射碎片的中子数与质子数之比(N/Z)和靶核的关系. 并对出射碎片的来源进行了分析.     

28MeV/u 18O与全阻止厚天然铅靶反应中丰中子汞同位素的截面测量

本次实验利用28MeV/u的¹⁸O束流和一套在线熔化铅靶装置以及4πΔEβ—γ符合技术,测量了该中能重离子反应中丰中子汞同位素^205—208Hg生成的相对截面比以及绝对截面的近似值.并外推出了²⁰⁹Hg的可能生成截面.发现由靶核²⁰⁸Pb削裂两个质子添加一个中子而生成²⁰⁷Hg的截面有一个突然的比较大的下降,这可以由反应的Q值的变化规律得到解释.     

46.2MeV/u 12C+64Ni、58Ni反应中发射的轻粒子和复杂碎片

用光二极管读出的CsI(Tl)闪烁探测器和多叠层硅望远镜,测量了46.2MeV/u ¹²C引起各种靶⁶⁴Ni、⁵⁸Ni、¹²C、¹⁹⁷Au、²⁰⁹Bi反应中所发射的轻粒子和中等质量碎片,这些探测器对轻粒子和中等质量碎片有很好的能量分辨和质量分辨.单举的能谱用运动源模型进行了分析,对各种靶在不同角度的中等质量碎片的产额进行了比较.由单举数据推出同位素产额比随靶质量变化的系统性,讨论了N/Z自由度的平衡.     

17N+197Au反应中碎片与中子的符合测量

在3?3?.4MeV/u ¹⁷N束轰击¹⁹⁷Au靶产生的反应中,利用放置于不同角度组合的17个中子探测器(4°—83°)和14个半导体望远镜(2.3°—9.0°)对反应产物碎片与中子进行了符合测量.经对所得实验角分布积分得到Z=3—6元素的同位素产额分布.在参加者-旁观者模型框架下,采用¹⁷N原子核内部的不同密度分布计算了同位素产额分布并与实验数据做比较.     

中能12C+197Au产物中Ir的同位素分布观测

以¹²C(47MeV/u)+¹⁹⁷Au靶,通过化学分离及γ谱学方法获得了Ir和Pt同位素产额. 用测到的Pt累积产额对相应Ir同位素做了照射期内母体衰变修正,从而获得了很好的Ir同位素分布. 讨论了A>170丰中子核产生截面、截面的Q_gg系统性和剩余激发能的问题.     

丰质子同位素65As的初步观察

使用20.11A MeV ⁶⁴Zn束轰击17.2mg/cm²的Be靶,初步观察到了丰质子同位素⁶⁵As.采用由磁分析器^[1]、PPAC、电离室和PSSD组成的探测系统,成功地鉴别了反应产物的电荷态、原子系数和质量数.     

中能8B和9C与Si反应总截面的测量

能量为75MeV/u的¹²C初级束轰击2mm厚的初级Be靶,并利用RIBLL从弹核碎片中分离出54.2MeV/u质子滴线核束8B和61.1MeV/u的⁹C,再轰击Si靶,用透射法测量了它们与Si的反应总截面σ_R.并应用Glauber模型进行理论计算,分析结果表明⁸B和⁹C都可能具有质子晕结构.