集成单电子晶体管的研究动态

随着微电子器件集成度的提高，芯片上的功能元件尺寸不断减小．国外（如日本东芝公司）已建立０－１μｍ生产线，国内也正研制０－３５μｍ的集成电路．但进一步减小功能元件尺寸的更高集成度的芯片的性能将因量子涨落和散热等问题而非常不稳定，解决这些问题的出路在于选择功耗低并能抑制多种涨落的单电子晶体管．单电子晶体管因它的体积小、无引线集成和极低的操作功率等特点，其高度集成化可远远超越目前大规模集成化的极限并达到海森伯不确定原理设定的极限，是将来不可被取代的新型器件．单电子晶体管由一个量子点和两个分别与源和漏耦…     

对心碰撞的约束关系

题一，在光滑平面上，质量ｍ１＝１ｋｇ的小球，以ｖ１０＝５ｍ／ｓ的速度向前运动，与质量ｍ２＝２ｋｇ以ｖ２０＝２ｍ／ｓ的速度向前运动的小球发生正碰撞，设碰后ｍ２的速度ｖ２＝５ｍ／ｓ，求碰后ｍ１的速度ｖ１的大小和方向．图示．题二，同上题，设碰后ｍ２的速度ｖ...     

物理上册期末测试练习题答案

物理上册期末测试练习题答案一、填空题１．３ｍ／ｓ２．与原速度方向相反；２．２３．５４Ｎ，沿斜面向上；３．２ｍ／ｓ，１ｍ／ｓ，３ｍ；４．慢，快；５．２０ｍ／ｓ：６．１：；７．ｍｖ２；８．１：１，３：１；９．减少１４０Ｊ，增加１４０Ｊ；１０．ｌｍ／ｓ，０...     

多勒普加宽斯塔克效应调制分析

用半经典理论分析了含多勒普加宽的斯塔克效应调制，使用密度矩阵近似，导出了吸收线附近ＮＨ３分子的吸收系数和调制度表达式，实验研究了１０．７８４μｍ波长的斯塔克效应调制特性，调制频率１ＭＨｚ时，调制度达到３３％。     

物理学与新型(功能)材料专题系列介绍(V) 金刚石薄膜及其应用

金刚石薄膜的气相合成及应用研究近年来取得了飞速发展，气相合成金刚石薄膜的ＣＶＤ方法已达２０几种，最大的沉积速度已达到每小时９３０μｍ．硼掺杂金刚石薄膜的空穴载流子浓度已达到１０～（１８）ｃｍ～（－３），电阻率已达到１０～（－２）Ω·ｃｍ，在硅衬底表面实现了金刚石薄膜的选择性生长．金刚石薄膜热沉使半导体锁相列阵激光器的输出功率提高了１０％左右，金刚石薄膜作为刀具涂层使刀具的寿命得到提高，金刚石热敏电阻、发光管、场效应管等器件原型电子器件在实验上已获得成功．     

HL－1电子密度行为在各种条件下的实验研究

在ＨＬ－１装置电子密度测量中，进一步改进了密度相移信号的处理方法。在氘放电、氦补充送气条件下得到了ＨＬ－１最高电子密度１０．８×１０１３ｃｍ－３。总结了密度在各种实验条件下的行为，并对各种实验条件对密度的影响进行了分析。     

宽频带KrF激光在SF_6介质中的SBS实验研究

宽频带ＫｒＦ激光泵浦高纯度高气压ＳＦ＿６气体产生了受激布里渊背向散射（ＳＢＳ）。实验研究了ＳＢＳ的强度和反射率随泵浦光强和ＳＦ＿６介质密度的变化，测得在ＳＦ＿６气压为１ＭＰａ时，泵浦光能量为１２０ｍＪ，ＳＢＳ光最大能量为１３ｍＪ，反射率为１０％，产生ＳＢＳ的泵浦光阈值１．１８×１０￣４ＭＷ／ｃｍ￣２。实验验证了ＳＢＳ光与泵浦光相位共轭特性，近场均匀性有很大改善，远场光束质量有一定改善，在泵浦光能量１３３ｍＪ，脉宽２５ｎｓ时，得到了脉宽６．８ｎｓ的ＳＢＳ光输出。脉宽压缩比为４。     

激光烧蚀铝靶生成空气等离子体的机理

由Ｑ－开关Ｎｄ：ＹＡＧ激光器产生的１．０６μｍ、１０ｎｓ的脉冲激光辐射大气中的铝靶所产生的等离子体发射光谱的研究结果。当作用在铝靶表面的功率密度在１．０×１０￣９Ｗ／ｃｍ￣２－１．４×１０￣（１０）Ｗ／ｃｍ￣２范围时，测定了等离子体在２００至８８０ｎｍ波长范围内的空间、时间分辨发射光谱。实验发现，等离子体中Ｎ￣＋离子的辐射谱线与连续辐射同时出现并一起消失，随激光强度的增加Ｎ￣＋离子密度以指数关系增加，在激光源方向Ｎ￣＋离子的运动速度为零。从靶表面逸出的热电子与氮原子碰撞及随后发生的级联电离过程是产生Ｎ￣＋离子和空气等离子体的原因。     

HL—1M装置多发弹丸加料实验观测

首次在ＨＬ－１Ｍ装置上投放使用的多发弹丸加料系统，能一次注入多达４粒Φ１．０ｍｍ的氢弹丸，弹丸速度在５００－８００ｍ．ｓ＾－１之间。弹丸注入后，得到离子体密度峰化系数ｎｃ（０）／〈ｎｃ〉＝１．８能量约束时间与喷气加料放电的相比提高３０％以上的实验结果。观察到了弹丸注入等离子体引起弹丸消融物沿磁力线流动的图像变化，电子温度分布和ＭＨＤ行为的演变过程以及新的边缘等离子体特性。     

用光谱学方法研究不同放电等离子体粒子约束

本文用光谱学方法研究在ＨＬ－１装置上ＬＨＣＤ及ＥＣＲＨ等离子体，弹丸注入等离子体，偏压电极与偏压孔栏等离子体粒子约束特性。结果表明：在弹丸注入使用正向偏压电极与偏压孔栏期间，等离子体粒子约束行到改善，较低密度下（＾ｎｅ＜２．０×１０＾１＾３ｃｍ＾－＾３），ＬＨＣＤ脉冲期间粒子约束得到改善；而当密度＾－ｎｅ大于２．０×１０＾１＾３ｃｍ＾－＾３时，等离子体约束变坏。ＥＣＲＨ脉冲期间粒子约束得不到改善。     

对一道习题的看法

对一道习题的看法刘兆坤（广东省农机学校广州５１０５１５）在黄伟民主编的中专《物理》上册课本第１２６页的习题中，有这样一道题（第３题）：“一个中子以υ１０＝２．０×１０７ｍ／ｓ的速度与静止的氧原子核发生弹性碰撞后，以υ１＝１．７×１０７ｍ／ｓ的速度反弹...     

晶片融合产生长波低阈值垂直腔激光器

日本ＮＴＴ光电实验室的研究人员演示了一种以双ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ－ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ分布布喇格反射器为基础的１．５５μｍ输出垂直腔表面发射激光器（ＶＣＳＥＬ）。靠晶片融合进行的设计，其不匹配位错密度低于ＩｎＰ／ＧａＡｓ界面上的异质外延生长。这种直径为２５μｍ的器件在２３℃时的阈值电流为８．８ｍＡ，阈值电压为２．１Ｖ。在１０ｍＡ时实验了１．５５μｍ发射，最大输出功率为７μｗ。研究人员希望通过优化底部反射率提高最大输出功率。他们指出，长波ＶＣＳＥ有许多优点，包括在晶片融合前便于作谐振腔波长试验，以及…     

光学互连

芯片的集成度增大必将导致大规模集成电路和系统在传输上的困难，电磁性与平面分布引起严重的信号相互干扰和损耗，这样必然影响到数据的运行速度，限制数据的存储．本文通过同用于高速运行的电子系统的常规电互连的比较，介绍了光学互连的特点以及在不同水平、不同方面的应用．光学互连最有价值的应用在于对时钟分布问题的解决，即引导单一信号到达芯片的不同部位．而更为复杂的问题是对于数据传输问题的解决，即提高数据传输的速度和并行性能．     

脉冲激光导致的固体表面损伤研究

利用扫描电镜对波长为１．０６μｍ脉宽为１０ｎｓ的Ｎｄ：ＹＡＧ脉冲激光辐照金属Ａｌ和半导体ＧａＡｓ产生的表面形貌变化进行了观察，对不同背景气压下液体的溅射现象进行了分析。实验结果表明，液体的溅射速度和距离随着背景气压的降低而增加。在某些特定的实验条件下，在激光烧蚀ＧａＡｓ的表面上出现了等间距的波纹结构。理论分析发现，这些波纹是由横向表面声波造成的。这些周期性结构的出现与激光功率密度和背景气压密切相关。     

跨世纪物理学的几个活跃领域和发展趋势(Ⅱ)

跨世纪物理学的几个活跃领域和发展趋势（Ⅱ）１３纳米技术向我们走来所谓纳米技术就是在１０－９ｍ（即１０亿分之１ｍ）水平上，研究应用原子和分子现象及其结构信息的技术．纳米技术的发展使人们有可能在原子分子量级上对物质进行加工，制造出各种东西，使人类开始进...     

物理(上册)期末测试样卷

一、填空题请将正确答案填入题中空白处，只要求写出结果、单位及正负号，不写运算过程．１．使质量为１ｋｇ的物体产生加速度的力的大小规定为１Ｎ．２．质量为ｍ的物体在桌边外，且由高于桌面ｈ１处自由下落到地面，桌高为ｈ２，取桌面为零势能的参考面，则物体落到地面时的势能为，动能等于．３．绳子提升质量为１０ｋｇ的物体，使物体以１．２ｍ／ｓ２的加速度向上升高３ｍ，绳对物体作功Ｊ．４．一个静止的不稳定的原子核，其质量为Ｍ，当它放出质量为ｍ，速度为ｖ的粒子后，原子核剩余部分获得的反冲速度大小为．５．用线圈弹簧演示纵…     

MOCVD法在金属基体上制备YBCO超导带

本报道了用ＭＯＣＶＤ静态和动态沉积两种工艺制备ＹＢＣＯ超导带的实验结果。以Ｙ（ＴＭＨＤ）３、Ｂａ（ＴＭＨＤ）２和Ｃｕ（ＴＭＨＤ）２为挥发源，Ｏ２气为反应剂，高纯Ａｒ气为载流气体，在静止和以１０－１５ｃｍ／ｈ带速移动的金属银基体上，制出了有强烈ｃ－轴取向的ＹＢＣＯ超导带。静态沉积样品的Ｊｃ达到１．０４×１０＾４Ａ／ｃｍ＾２，动态沉积样品的Ｊｃ达到１．４×１０＾４Ａ／ｃｍ＾２（７８Ｋ，０Ｔ）。对改…     

金刚石镀膜装置中的等离子体参数测量

利用平行马赫探针和单探针对金刚石镀膜装置中的等离子体漂移速度、,离子密度及电子温度进行了测量,采用ＣｈｕｎｇＫｙｕ－Ｓｕｎ理论对平行马赫探针数据进行分析得到的马赫数为０．２８,电子温度为５ｅＶ,等离子体流速约为９８０ｍ．ｓ＾－１。单探针测行离子密度在１０＾１８～１０＾２０ｍ＾－３的范围内,电子温度在２－８ｅＶ的范围内。     

二安替比林间乙氧基苯基甲烷与钒（Ⅴ）的显色反应研究

合成了二安替比林间乙基苯基甲烷，研究了它和矾的显色反应。在磷酸介质中，Ｍｎ和吐温－２０的作用下，ＤＡｍＥＭ和钒反应生成橙红色产物，λｍａｘ＝４８０ｎｍ，ε＝１．１０×１０＾６Ｌ．ｍｏｌ＾－１．ｃｍ＾－１，钒含量在０．２０－１．５０μｇ内符合比耳定律，体系稳定性好。本法是一个测定微量钒的新方法．     

科学家试制三维计算机芯片

为了提高计算机的运算速度，中国和日本的科学家采取一种特殊技术，研制三维计算机芯片．