两类单负材料组成的一维光子晶体的光学特性研究

从光的电磁理论出发，导出了光在单负材料周期性结构的传输矩阵：利用光学传输矩阵法对由两类单负材料组成的一维光子晶体的光学传输特性进行了数值模拟和理论分析：结果表明，这种结构具有一类新型的光子带隙。与布喇格带隙不同的是，这类光子带隙不会随着品格常数的缩放而移动。     

紫外线波段一维Ag/MgF_2光子特性的理论研究

利用传输矩阵方法对一维Ag/MgF2光子晶体的带隙特性进行了研究。构建了由Ag和MgF2组成的一维光子晶体结构模型,以此模型为基础详细讨论了填充比、周期层数、入射角等参数对光子晶体带隙结构的影响,并讨论了造成吸收的原因。研究结果表明,与其他金属光子晶体的研究结果相比,该结构的金属光子晶体在紫外线波段具有高反射率的光子带隙,属于不完全带隙的一维光子晶体,适用于制作紫外线波段的光学反射镜。     

异质三周期光子晶体的光子带隙特性

利用传输矩阵法研究了由TiO₂和SiO₂两种材料构成的异质三周期一维光子晶体的传光特性,发现该结构能在波长为200~ 2 000 nm的范围内形成7处比较明显的光子带隙,并且波长越大,带隙的宽度越大。重点研究了这种结构的光子晶体的透射谱线与入射角度、介质层数及介质层厚度的关系,发现该结构形成的光子带隙的大小和位置对介质层的循环周期数不敏感,但对入射角度和介质层的厚度很敏感。     

一维铁磁材料光子晶体的光学传输特性

利用光学传输矩阵方法,模拟计算了由铁磁材料组成的一维光子晶体的光学传输特性.研究了能带结构随介质层厚度h(O ≤h≤0.5λ0 λ0=1.2×10-6m)变化的规律,并与相同周期结构的普通光子晶体的传输特性进行了比较.结果表明,当O.15λ0＜h＜0.165λ0时,铁磁光子晶体的带隙宽度略小于普通光子晶体的带隙宽度;在h取其他值时铁磁光子晶体的带隙宽度远远大于普通光子晶体的带隙宽度,并且在h=0.25λ0时存在最大值.这种结构的光子晶体通过掺杂有望在多通窄带滤波技术中得到广泛的应用.     

一维缺陷光子晶体温度的测量

采用Si和SiO₂两种介质材料构造一维缺陷光子晶体,缺陷层介质为Si,利用传输矩阵法对带有缺陷的一维光子晶体的传光特性进行了理论分析,并得到其带隙特性.由于缺陷的存在,使得光子晶体的透射谱中产生缺陷峰.当被测温度变化时,根据两种介质的热光效应和热膨胀效应,光子晶体介质和缺陷层的光学厚度和折射率发生变化,透射谱缺陷峰产生漂移,由缺陷峰的中心波长漂移量得到被测温度的大小.构建了一维缺陷光子晶体测量温度的实验系统,实验结果表明缺陷峰中心波长与光子晶体所受的温度呈线性关系,测量灵敏度为0—2 关键词： 温度测量 一维光子晶体 传输矩阵法 缺陷峰     

含特异材料一维超导光子晶体的带隙特性研究

利用传输矩阵法研究了含特异材料的一维超导光子晶体的带隙特性. 研究表明, 这类超导光子晶体同样具有由传统的电介质材料构成的超导光子晶体一样的低频带隙, 且在一定的参数下该低频带隙可以相当宽. 但在一定的结构参数下, 这类超导光子晶体同完全由传统的电介质构成的光子晶体一样不存在低频带隙. 还就超导光子晶体的偏振特性、光子晶体结构参数及环境温度的变化对光子带隙结构的影响进行了研究. 关键词： 超导光子晶体 传输矩阵法 特异材料 光子带隙     

一维缺陷光子晶体温度的测量

采用Si和SiO₂两种介质材料构造一维缺陷光子晶体，缺陷层介质为Si，利用传输矩阵法对带有缺陷的一维光子晶体的传光特性进行了理论分析，并得到其带隙特性.由于缺陷的存在，使得光子晶体的透射谱中产生缺陷峰.当被测温度变化时，根据两种介质的热光效应和热膨胀效应，光子晶体介质和缺陷层的光学厚度和折射率发生变化，透射谱缺陷峰产生漂移，由缺陷峰的中心波长漂移量得到被测温度的大小.构建了一维缺陷光子晶体测量温度的实验系统，实验结果表明缺陷峰中心波长与光子晶体所受的温度呈线性关系，测量灵敏度为0—2     

级联一维光子晶体全方位反射器的带宽最大化

理论研究了由级联一维光子晶体构成的光子异质结构的全方位透射(反射)特性.其中各级联光子晶体的高低折射率介质相同、光学厚度比不同.以两个光子晶体级联的结构为对象,利用传输矩阵方法系统研究了不同偏振态光在不同入射角时光子帯隙的变化,得出实现全方位光子带隙的最大展宽条件,即前一光子晶体的帯隙上限要和后一光子晶体的带隙下限在最大入射角时重合.分别给出了满足和不满足该最大展宽条件的级联结构的全方位带隙参量,通过对全方位带隙宽度的比较说明了满足最大展宽条件的级联结构具有最大的全方位带隙宽度.     

光学材料 光学晶体、液晶

O734 2005043065 含负折射率材料的一维光子晶体的光学传输特性= Transmission properties of one-dimensional photonic crys- tals containing negative refraction materials[刊,中]／尹承平(南昌大学物理系,江西,南昌(330047)),刘念华／／发光学报,-2005,26(2),-173-177 采用光学传输矩阵方法,模拟研究了由正折射率材料和负折射率材料交替组成的一维光子晶体的光学传输特性,计算了这种含负折射率材料的一维光子晶体的透射谱和色散关系。结果表明,在正入射时,含负折射率材料的光子晶体的带隙要比传统的光子晶体大得多,并具有狭窄的透射带,从光学薄膜理论的色散关系出发解释了形成上述现象的原因。讨论了在不同的偏振模式下,光以中心波     

一维函数光子晶体的研究

本文提出一种新型函数光子晶体, 其折射率是空间位置函数. 由费马原理, 我们给出光在一维、 二维和三维函数光子晶体中的运动方程, 以及一维函数光子晶体的色散关系、 带隙结构和透射率, 再利用传输矩阵理论研究函数光子晶体周期数、 入射角和介质层的厚度等对透射率和禁带结构的影响, 计算发现通过选择不同的折射率空间分布函数, 可以得到比传统光子晶体更宽或更窄的禁带结构. 这样为我们设计不同带隙结构的光子晶体提供理论依据.     

悬链曲面上的点粒子动力学及扩展空间约束系统量子化

扩张型正则量子化方案的核心内容是位置、动量以及哈密顿量同时量子化. 通过分析悬链面上粒子的扩张型正则量子化方案, 并且与薛定谔理论进行比较, 发现内禀几何中二维悬链面给不出与薛定谔理论相一致的结果, 而考虑将二维悬链面嵌入在三维欧氏空间之后, 还需要将正则量子化方案进行扩张, 可以得到体系的几何势能和几何动量, 并与薛定谔理论相一致.     

On the determination of the position of the energy level of surface recombination centres

A detailed analysis of the dependence of the surface recombination velocitys on the surface potential _s leads to the conclusion that the position of the surface recombination level with respect to the centre of the energy gapE _t -E _i does not coincide with the valueq _s *, while the surface recombination velocitys decreases to half its maximum value. The difference between the two quantities is negligible only when the width of the curves( _s ) between the points corresponding to the valuess=1/2s _max is greater than 8kT.

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s _s , E _t -E _{i s} , s . , s( _s ) , s=1/2s _max, 8kT.

     

Study of the XYZ states at the BESIII

With its unique data samples at energies of 3.8–4.6 GeV, the BESIII experiment made a significant contribution to the study of charmonium and charmonium-like states, i.e., the XYZ states.We review the results for observations of the Z_c(3900) and Z_c(4020) states, the X(3872) in e⁺e⁻ annihilation, and charmonium ψ(1³D₂) state, as well as measurements of the cross-sections of ωχ_cJ and ηJ/ψ, and the search for e⁺e⁻→ γχ_cJ and γY (4140). We also present data from BESIII that may further strengthen the study of the XYZ and conventional charmonium states, and discuss perspectives on future experiments.     

Study on the Effects of the Light CP-odd Higgs via the Leptonic Decays of Pseudoscalar Mesons

To explain the anomalously large decay rate of Σ⁺→p+μ⁺μ^-, it was proposed that a new mechanism where a light CP-odd pseudoscalar boson of m_A1⁰=214.3 MeV makes a crucial contribution. Later, some authors have studied the transition π⁰→ e⁺e^- and r → γA₁⁰ in terms of the same mechanism and their result indicates that with the suggested mass one cannot fit the data. This discrepancy might be caused by experimental error of Σ⁺→ p+μ⁺μ^- because there were only a few events. Whether the mechanism is a reasonable one motivates us to investigate the transitions π⁰→ e⁺e^-;η(η')→ μ⁺μ^-; η_c→ μ⁺μ^-; η_b→τ⁺τ^- within the same framework. It is noted that for π⁰→ e⁺e^-, the standard model (SM) prediction is smaller than the data, whereas the experimental central value of η→μ⁺μ^- is also above the SM prediction. It means that there should be extra contributions from other mechanisms and the contribution of A₁⁰ may be a possible one. Theoretically calculating the branching ratios of the concerned modes, we would check if we can obtain a universal mass for A₁⁰ which reconcile the theoretical predictions and data for all the modes. Unfortunately, we find that it is impossible to have such a mass with the same coupling |gl|. Therefore we conclude that the phenomenology does not favor such a light A₁⁰, even though a small window is still open.