研究类氦原子基态能量的参数微扰法

考虑了类氦原子中电子对核的屏蔽效应,建立了含有屏蔽效应参数的哈密顿算符,并应用微扰理论研究了类氦原子基态能量.通过参数微扰法计算的类氦原子一级近似基态能量与变分法得到的能量完全相同,比无参数微扰法计算的能量更加接近实验值.参数微扰法为研究多电子原子能级和原子能级精细结构提供了一种新的方法.     

等离子体屏蔽效应对类氢离子能级结构和辐射跃迁性质的影响

在Debye-Hückel屏蔽近似下,基于相对论Dirac-Fock方法,发展了包括等离子体屏蔽效应的自洽场计算程序.使用该程序研究了等离子体屏蔽效应对类氢离子能级结构和辐射跃迁性质的影响.结果表明,当原子处于等离子体环境中,所有束缚态能级向连续态移动, 移动量随着屏蔽长度的减小而增大.振子强度随屏蔽长度的变化也表现出了相同的规律.进一步分析了相对论效应和等离子体屏蔽效应的耦合,发现对于中Z元素,相对论效应和等离子体屏蔽效应存在较强的耦合.讨论了等离子体屏蔽效应对原子精细结构能级的影响.计算发现,由于等离子体屏蔽效应,原子的能级次序发生了变化,κ简并被消除. 关键词： 等离子体屏蔽 Debye-Hückel 模型 能级结构 跃迁概率     

用拟合的解析波函数计算高里德伯原子的l-混合跃迁截面

在冲击近似方法基础上，采用一种拟合的Xα波函数计算了高激发态 碱金属钠原子同稀有气体氦原子热碰撞的l-混合跃迁截面。同其它方法比较，计算结果在 低n(n＜12)范围有明显改善。     

(0—3/2)电磁束缚系统的库仑裂解与衰变

本文利用(0-3/2)电磁束缚系统相对论协变的近似B-S波函数和复合粒子量子场论的微扰展开理论,分别计算了(π~+(?)~-)原子的库仑裂解截面与衰变几率.高能(π~+(?)~-)原子在原子核屏蔽库仑场中的裂解截面为б=Z~(4/3)×2.9×10~(-18)cm~2,衰变几率的计算结果为     

X_α方法计算原子光离化载面研究

本文对X_α方法计算原子的光离化截面进行了系统的研究,同时还在计算中采用了两种对X_α方法的改进措施,所得到的结果同实验值以及单电子模型的理论计算进行了比较.计算结果表明,单电子近似模型在计算原子的光离化截面上存在着很大的局限性,但是对于部分原子X_α方法还是可以给出比较好的结果。为了说明文中所提出方法的适用性,对十种原子进行了计算,特别是对具有开壳层的Si原子进行了较为系统的计算。     

用无波函数微扰论和Padé逼近方法计算模型势中粒子的束缚态能级

本文借助於超维里定理和Hellman-Feynman定理推导了无波函数微扰论的递推公式.利用这些递推公式.快速逼近的Pade近似方法和简单的极化势模型,计算了锂原子高激发态(l=1)的能级.理论计算同实验结果符合很好。     

铍原子基态交换-相关能的多体理论计算

到目前为止,几乎所有的关于原子基态的多体计算都是以Hartree-Fock(HF)模型为零级近似。本文将零级哈密顿量取为Hartree-Fock-Slater(HFS)型的,在双激发(两体)近似下,对Be原子基态交换-相关能进行了多体理论计算,得到了与实验及别的作者以HF模型为零级近似所作多体计算相符合的结果。计算表明,以HFS模型为零级近似,对闭合壳层原子基态亦可成功地进行多体计算。 关键词：     

多电荷离子与C,Ne和Ar原子碰撞中K壳层电子俘获截面的计算

本文提出了一种计算多电荷离子与原子碰撞中K壳层电子俘获截面的新方法,称为模型势Oppenheimer-Brinkman-Krammer近似(MPOBK)。在该方法中我们用模型势来描述K电子所处的有效场,同时在波函数中考虑屏蔽效应。我们得到的K壳层总俘获截面是一个表解析达式。对H~ 、He~(2 )-Ne,H~ 、He~(2 )-C及O~(5 ,6 )-Ar体系的计算表明本文结果较好地与实验数据一致。     

原子内壳层双光子衰变的相对论效应和屏蔽效应

本文系统地计算了H原子,类H-Xe离子及Xe原子内壳层的双光子衰变速率。阐明其相对论效应和电子屏蔽效应。并与最新的实验结果和他人的理论计算结果进行了比较和分析讨论。 关键词：     

双原子分子非谐振转波函数和能级

从双原子分子简谐势近似波函数出发,运用微扰理论计算出了双原子分子在非谐振转相互作用下的一级、二级近似能级和一级近似波函数.     

锂原子能量的近似解

本文用屏蔽库仑势模型将锂原子的哈密顿量加以简化，然后用微扰法求解了锂原子一系列能级值，计算简洁，结果也与实验值符合得很好。     

共面双对称几何条件下电子碰撞Na原子单电离的三重微分截面

应用参数化的最佳有效势方法, 推广三体库仑波模型(3C)及动力学屏蔽的三体库仑波模型(DS3C模型)于Na原子, 计算了共面双对称几何条件下, 电子碰撞Na原子单电离的三重微分截面(TDCS), 与最近Murray的测量数据、Hitawala等人的扭曲波近似(DWBA)及考虑极化 的扭曲波近似(DWBAP)的理论结果进行了比较. 发现, DWBA在低入射能量反映了实验结果, 而3C计算在低入射能量时失效, DS3C计算对其有所改善. 入射能量较高时DS3C及3C结果的角度分布优于DWBA, 能够较好地定性描述上述碰撞过程. 说明对于共面双对称几何条件下的电子碰撞多电子原子单电离过程, 出射道三粒子间的动力学关联效应是比较强的.     

莫塞莱公式与屏蔽常数

本文分析了莫塞莱公式ｖ＝Ｒ（Ｚ－１）２（１／１～２－１／２～２）的近似性质，指出它只对Ｚ＝１７—２８区间的原子才是比较准确的．本文论证了公式中（Ｚ－１）里的数字１不是真正的屏蔽常数σ，从而认为不能把Ｒ（Ｚ－１）２／１～２和Ｒ（Ｚ－１）２／２～２理解成Ｋ与Ｌ光谱项．最后，计算出了Ｋ、Ｌ壳层的屏蔽常数σ、σ．     

以Si为联合原子的分子系列双原子分子的里德伯能级结构

本文在独立电子近似的基础上,利用多重散射自洽场理沦方法,计算一些以Si为联合原子的双原子分子N₂,CO,BF,AlH,LiNa,“BeNe”,“MgHe”的里德伯能级结构。根据分子的电子组态极限,确定了各里德伯系列初始态的主量子数。阐明了这些双原子分子里德伯能级结构的变化规津。理论计算结果与已有的实验数据符合得较好,从而为超越独立电子近似的计算打下基础。 关键词：     

低能质子在半导体材料Si 和GaAs中的非电离能损研究

非电离能损(NIEL)引起的位移损伤是导致空间辐射环境中新型光电器件失效的主要因素.由于低能时库仑相互作用占主导地位，一般采用Mott-Rutherford微分散射截面，但它没考虑核外电子库仑屏蔽的影响.为此，本文采用解析法和基于Monte-Carlo方法的SRIM程序计算了考虑库仑屏蔽效应后低能质子在半导体材料Si,GaAs中的NIEL，SRIM程序在计算过程中采用薄靶近似法, 并与其他作者的计算数据和实验数据进行了比较.结果表明：用SRIM程序计算NIEL时采用薄靶近似法处理是比较合理的，同时考虑库仑     

用屏蔽法计算较轻元素原子的高次电离能

考虑到离子的相对论效应,依据屏蔽方法,给出了原子第2、1壳层电子电离能的一种表达式.依据较轻元素原子低次(小于13)电离能实验数据,总结出原子(离子)电离第2、1壳层不同电子态电子时,相应的屏蔽系数与电子态及原子序数的函数关系,根据该函数关系,可求出相应原子的高次电离电子的屏蔽系数.计算了原子序数13至23的元素高电荷态离子基态电离能,计算结果与文献可提供的实验数据相符合.     

参数微扰法中基态能量与近似级数的关系

基于参数微扰法并使用满足空间交换对称性的波函数计算了氦原子的2到12级近似基态能量.计算表明,随着近似级数的增加,氦原子基态能量逐渐降低,改变量越来越小,基态能量与实验值的绝对误差存在一定起落.因此,选择合适的近似级数对氦原子基态能量的精确计算具有重要作用.     

钠原子能量的近似计算

用屏蔽库仑势简化了钠原子的哈密顿,用两次微扰法计算了钠原子的能量,结果与实验值符合得较好。     

开孔矩形腔体的近场电磁屏蔽效能研究

基于扩展的等效电路方法, 建立了电偶极子和磁偶极子天线近场照射下开孔矩形腔体电磁屏蔽效能计算的近似解析模型, 计算分析了场源–腔体距离对电场和磁场屏蔽效能的影响规律. 结果表明在近场区, 屏蔽效能随场源–腔体距离的减小而明显减小, 近场屏蔽效能小于远场屏蔽效能. 基于Bethe小孔耦合理论, 得出了描述近场和远场屏蔽效能关系的解析公式, 并用该公式检验了等效电路方法计算结果的可信性. 关键词： 电磁屏蔽 矩形腔体 近场 Bethe 理论     

原子质心运动与暗态原子

本文利用高阶量子绝热近似方法讨论了量子微腔驻波场中三能级暗态原子与光场相互作用中原子质心运动对电子,光场系统动力学的影响。文章分析了绝热近似成立的条件以及非绝热因子对动力学演化的影响。文中还计算了原子在腔中的非绝热跃迁几率及各部分能量分布的平均值。