1,4-bis[2-(4-pyridyl)ethenyl]-benzene衍生物热致变色研究（英文）

本文制备了三种在1,4-bis [2-(4-pyridyl)ethenyl]-benzene(bpeb) 上接枝不同烷基链长度的热致变色材料 DC8、DC12、DC16.在365 nm激发光下,随着温度升高,它们呈现出荧光颜色的改变,这种改变来自于晶体态与无定形态之间的转变.此外,DC16也呈现出光致变色的性质.通过差示扫描量热法测试得到的相转变温度高于实验过程中荧光颜色改变时的温度.因此,这种变色行为来自于光与热共同作用的结果.乙醇可以使粉末变回起始的晶体状态,从而使荧光颜色恢复,实现热致变色行为的可逆.本研究对理解热致变色分子的结构-性质关系,指导热致变色分子设计具有重要意义.     

一种新的有机光致变色及热致变色化合物间氨基苯甲酸缩3,5二氯水杨醛希夫碱

制备了间氨基苯甲酸缩3,5-二氯水杨醛希夫碱,利用红外(IR)、核磁(¹H NMR)、质谱(MS)和元素分析对化合物结构进行了表征。研究了它的荧光性质和热稳定性。对化合物的紫外可见(UV-Vis)光谱和荧光光谱的研究表明,该化合物在DMF溶液中具有较好的光致变色和热致变色性能。化合物的吸光度值和最大发射波长与时间或温度呈线性关系,进一步说明该化合物是性能良好的光致变色及热致变色材料。     

Bi2O3-Li2O玻璃的热致变色研究

发现氧化铋和氧化锂所形成的玻璃有着明显的热致变色现象.温度系数随氧化铋含量的增加而上升,反映了热致变色现象主要来源于氧化铋.这种热致变色现象与半导体同样,来源于玻璃中的电子声子相互作用而产生的随温度变化的光学能隙.氧化铋重金属氧化物玻璃中高电子密度和低声子能量的化学键是产生强电子声子相互作用的主要原因 关键词： 玻璃 热致变色 电子-声子相互作用     

Bi_2O_3-Li_2O玻璃的热致变色研究

发现氧化和氧化锂所形成的玻璃有着明显的热致变色现象 .温度系数随氧化含量的增加而上升 ,反映了热致变色现象主要来源于氧化 .这种热致变色现象与半导体同样 ,来源于玻璃中的电子 声子相互作用而产生的随温度变化的光学能隙 .氧化重金属氧化物玻璃中高电子密度和低声子能量的化学键是产生强电子 声子相互作用的主要原因     

热致变色材料辐射和光学特性研究

采用固相反应法制备了相变温度接近室温的热致变色材料,研究了不同掺杂元素和掺杂浓度对热致变色材料辐射和光学特性的影响,并利用K-K分析模型导出了热致变色材料的光学常数。结果表明:热致变色材料LCSMO和LSMO(x=0.175)的发射率在相变温度附近出现剧烈变化,并且光常数在很大的频域范围内可自主调制。     

热致变色材料的吸收控制研究

(La1-xSrx)MnO3型热致变色材料是一种新型热致发射率变化功能材料,该材料的最大不足在于对太阳辐射具有很大的吸收率.针对以上问题,本文将一维微结构光谱控制特性应用于(La1-xSrx)MnO3型热致变色材料的吸收控制研究,根据太阳辐射能量分布及热致变色材料的应用温度,分析了一维微结构与热致变色材料的匹配特性,确定了一维微结构的光谱特性及其带宽.采用遗传算法优化设计了一维微结构,计算了优化结构的光谱特性,根据其光谱特性分别评估和计算了吸收控制性能和发射率变化特性,并进行了深入分析.     

二乙胺四氯合铜相变的FTIR和2D-COS分析

具有热致变色性能的化合物二乙胺四氯合铜[(C_2H_5)2NH_2]_2CuCl_4在52℃附近发生从绿色变为黄色的热致变色现象。本文采用傅里叶变换红外光谱(FTIR)和二维相关性分析(2D-COS)研究在加热和冷却过程中相转变过程中有机部分的铵离子和乙基所起的作用。随着温度的升高,分子中产生N—H…Cl氢键的强度减弱和烷基链的热扰动两种作用。2D-COS分析表明N—H…Cl氢键首先对温度升高有反应,可能作为[CuCl_4]~(2-)阴离子结构变化的主导驱动力。     

3,5-二乙酰基-1,4-二氢吡啶热致变色性质的研究

研究了3,5-二乙酰基-1,4-二氢吡啶的热致变色过程中吸收光谱的变化,考察了溶剂、酸碱性、加热时间和温度等因素对热致变色现象的影响,并简要讨论了可能的变色机理。     

稀土配合物的配体PNIPAM塌缩诱导配位键断裂（英文）

通过一系列化学反应合成得到了Eu(ally-DBM)3-2TPPO和PNIPAM形成的大分子水溶性发光配合物.本文通过TGA、GPC、HNMR表征复合物的结构,并研究了配合物在水溶液中的荧光热响应性.研究发现,PNIPAM在低临界溶解温度以上塌缩引起配位键断裂,导致Eu~(3+)的荧光减弱和配体荧光增强.当温度降低时,发现Eu~(3+)的荧光增强,配体荧光相应减弱.推断当温度降低时配体再次与铕离子重新配位,并通过红外光谱进一步证实了.这种配合物的荧光热响应性具有可逆性,可用作分子探针应用在生物成像方面和研究PNIPAM塌缩.     

液晶热图象温度检测

液晶作为较低(250℃以下)温度检测的一种材料很有应用价值.本文主要对胆甾型液晶的彩色热图象显示原理和有关应用技术,作一简单介绍. 已知的液晶都是有机化合物,它是处于固相和液相之间的一个中间相——液晶相.液晶具有液体的流动性,不能承受切应力,可形成液滴.液晶分子在液晶中无位置长程有序性,但它又具有晶体的某些特性,如分子取向有序性和宏观的折射率、介电常数、电阻率、磁化率等的各向异性.这些各向异性来自液晶分子本身的几何各向异性,有长棒形,板条形或盘形.液晶大体可分为热致液晶和溶致液晶两大类. 热致液晶大体分为丝状液晶或向…     

Tb~(3+)掺杂方钠石荧光粉的制备及发光性质研究

采用高温固相法制备了一系列Tb~(3+)掺杂方钠石荧光粉样品Na_8Al_6Si_6O_(24)Cl_2∶Tb~(3+)。通过XRD、SEM、荧光光谱、热猝灭分析仪对样品的晶体结构及其发光性能进行研究。样品晶粒由大小不等、形状不规则的多面体块状颗粒构成。样品在242 nm(对应于Tb~(3+)离子自旋允许的7FJ→9DJ跃迁)激发下发出单色性能较好的绿色荧光,相应的色坐标为(0.324 0,0.587 2),色纯度为87.4%,发光量子效率为0.74。随着Tb~(3+)掺杂浓度的增加,出现浓度猝灭现象。当浓度为5%时,样品的绿色荧光最强。研究结果表明,样品满足PDP器件的使用要求,可作为三基色材料中的绿色组分。     

CaMgSi2O6:Eu的真空紫外光谱特性

采用高温固相反应利用原料CaCO3,MgO,SiO2和Eu2O3合成CaMgSi2O6:Eu3 样品,并研究了其结构特性、光谱特性.CaMgSi2O6:Eu3 属于单科晶系,基质掺入Eu离子后结构没有明显变化.CaMgSi2O6:Eu3 在147 nm真空紫外光激发下呈红色发射,发射主峰位于611 nm,是Eu3 的5D0→7F2跃迁的典型发射.当Eu3 的相对摩尔浓度在0.02到0.10 mol之间变化时,由相关数据可以发现有浓度猝灭现象发生.CaMgsi2O6:Eu2 在172 nm真空紫外光激发下呈蓝色发射,发射主峰位于452 nm,是Eu2 的5d→4f跃迁的典型发射.添加不同浓度的H3BO3后可大大提高样品的发光强度.     

人体血清血糖浓度对血清荧光强度的影响

血液在临床医学诊断和治疗中有着重要的价值,很多疾病都可能导致血液成分或性质发生特征性的变化。因此,对血液中的糖进行分析将是十分重要且有实用意义的。文章研究了正常血清与高血糖血清在光激发下荧光强度的差异。结果表明在365 nm处荧光图像的平均灰度值随血糖的浓度增大呈现明显增大的趋势;但在353,405, 369 nm处的荧光图像的平均灰度变化不大。这表明葡萄糖主要影响血清365 nm处的荧光强度。由于荧光强度与荧光物质的浓度有关,所以血糖浓度变化直接影响365 nm处的荧光强度。因此,可以根据365 nm处的荧光强度的大小来判断血清中的血糖含量是否超标,这为光学技术应用于血液疾病诊断方面提供实验依据。     

Mn2+∶BeAl2O4晶体的光谱特性

应用提拉法技术,采用BeO∶Al2O3∶MnO摩尔比为100∶99.85∶0.30的化学组分配比和二次化料过程,选用约60℃的固液界面温度梯度与1 mm/h生长速度等工艺参量,成功地生长出了Mn2 离子掺杂、无气泡、无云层和核心、尺寸约45 mm×80mm的粉红色Mn2 ∶BeAl2O4晶体。测定了不同部位晶体的激发光谱与荧光光谱。沿着晶体生长方向,晶体颜色逐步变深。在Mn2 ∶BeAl2O4荧光谱中观测到发光中心为543nm的荧光带,这归属于Mn2 的4T1(4G)→6A1(6S)能级跃迁所产生。在其激发光谱中观测到218nm的激发峰,这归属于电子从Mn2 基态到导带的电荷转移跃迁所致。从Mn2 离子的绿色发射情况可以推断Mn2 处于晶体中四面体场中,它取代晶体中Be2 离子的格位。从不同部位晶体的激发峰强度与颜色变化可以得到Mn2 在BeAl2O4晶体中的有效分凝系数小于1。     

Quantum trajectories of photoluminescence of <Emphasis Type="Italic">F</Emphasis> <Subscript>2</Subscript> centers in a LiF crystal

Single F₂ color centers in a LiF crystal are studied by means of fluorescence microscopy with analysis and statistical processing of the time trajectories of fluorescence intensity. It is shown that a color center subjected to photoirradiation can enter a triplet state with a subsequent transition to a mobile state in which the center is reoriented.     

Dy3+掺杂Sr1-xCaxMoO4的制备及发光性能研究

采用高温固栩法制备了Dy<'3+>掺杂的Sr1-xCaxMoO<,4>荧光粉.利用XRD、SEM、激发发射光谱以及色参数等研究了所制备荧光粉的结构和发光性能以及x值埘荧光粉性能的影响.XRD图像农明当x=1和x=0时样品为CaMoO<,4>和SrMoO<,4>单一相.SEM 图像表明在750℃下煅烧3 h制备的样品粒径为0.2～1.0μm,适合同态发光器件的要求.监测576 nm得到的样品的激发光谱由250～340 nm之间的一个宽带和340～460 nm之间的一系列尖峰组成.改变Sr/Ca的值,电荷迁移带激发峰位置发生变化,而窄带跃迁的激发峰强度发生变化.用350 nm波长激发样品得到的发射谱由峰值位于480和576 nm的两个窄带组成,它们是由和跃迁引起的.黄色发射峰和监色发射峰的强度比Y/B随着Sr/Ca比值的变化而变化.     

CaAl_2Si_2O_8∶Eu,Ce,Tb单基三元掺杂荧光材料的制备及其光谱学特征研究

采用高温固相法制备了CaAl_2Si_2O_8∶Eu,Ce,Tb单基三元掺杂的荧光材料。使用X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪(Raman)和荧光分光光度计(PL)等测试手段对该荧光材料进行表征。采用XRD表征了样品的物相组成,测试结果表明稀土离子Eu~(2+)置换Ca~(2+)并没有引起CaAl_2Si_2O_8基质晶格结构的变化。拉曼光谱分析证实了样品中硅氧四面体和铝氧四面体的存在,表明了Eu~(2+)替代Ca~(2+)的数量与晶体形态畸变程度有关,Eu~(2+)进入基质晶格的数量影响着硅(铝)氧四面体的数量。PL测试结果表明样品在325nm光激发下,其发射峰主要表现为426nm(蓝光区)的强宽带发射峰和541nm(绿光区)的弱发射峰,其中426nm处的宽带发射峰可通过高斯拟合成三个位于393,419和474nm的拟合峰;对比分析荧光性能以及同等合成条件下样品荧光强度的不同,确定了该荧光材料在三掺Eu∶Ce∶Tb的摩尔比为1∶1∶1.5时所发射荧光最强。CIE色度图坐标显示三种掺杂比例下制备的荧光材料均发射蓝色荧光,光显色性好,色温低,是一种适合作为紫外-近紫外激发的LED用蓝色荧光材料。     

纳米二氧化钛屏蔽紫外光法显现手印研究

鉴于彩色和强荧光客体上手印难以显现的实际,报道了利用屏蔽紫外光显现手印的新方法。金红石相纳米二氧化钛对紫外光有很强的屏蔽性能。实验用二氧化钛粒径约为30 nm,多为球形,对波长小于400 nm的光有强烈吸收。通过刷显或抖显的方法,使纹线吸附足量的纳米二氧化钛颗粒,而客体表面不吸附或少吸附。在365 nm紫外光照下,纹线呈暗色调,背景则为亮色调,拍照得到反差明显的影像。与传统的“502”胶熏显-罗丹明6G(或BBD)染色增显法比较,纳米二氧化钛屏蔽紫外光法显出的手印纹线流畅,细节特征清晰。研究表明：该法可以有效显现彩色或强荧光客体上手印,对于非渗透性客体上的陈旧手印也有比较理想的显现效果。该法具有简便、有效、快速和经济的特点,具有广阔的应用前景。     

LED白光源用Pr3+,Ce3+:YAG光纤制备与特性

采用激光加热基座法制备LED白光源用Pr3+,Ce3+:YAG单晶光纤荧光材料,对所制备材料的荧光光学特性进行了实验分析结果表明,在Pr3+和Ce3+共掺发光过程中,Pr3+离子的发光可以通过Ce3+敏化作用使得其610 nm谱线荧光强度得到有效增强|利用所制备Pr3+,Ce3+:YAG单晶光纤荧光材料与蓝色LED合成产生高效LED光纤白光源,光源的色坐标为(x＝0.322,y＝0.335),显色指数84.3,表明光源品质良好,有望用于未来高效大功率光纤白光源.     

LED白光源用Pr~(3+),Ce~(3+):YAG光纤制备与特性

采用激光加热基座法制备LED白光源用Pr3+,Ce3+:YAG单晶光纤荧光材料,对所制备材料的荧光光学特性进行了实验分析结果表明,在Pr3+和Ce3+共掺发光过程中,Pr3+离子的发光可以通过Ce3+敏化作用使得其610 nm谱线荧光强度得到有效增强;利用所制备Pr3+,Ce3+:YAG单晶光纤荧光材料与蓝色LED合成产生高效LED光纤白光源,光源的色坐标为(x＝0.322,y＝0.335),显色指数84.3,表明光源品质良好,有望用于未来高效大功率光纤白光源.