Al_2S_n~±(n=2—10)团簇结构特征和稳定性的密度泛函理论研究

采用密度泛函理论的B3LYP方法,在6-311G**水平上对Al2S±n(n=2—10)团簇的几何结构和电子结构进行了理论计算.讨论了铝硫二元离子混合团簇基态结构的变化规律、电荷转移和成键特征.结果表明,在S簇中掺杂Al原子会使Sn结构发生明显改变.Al2S±n团簇基态结构是以Al2S2四元环为骨架或桥梁,分别与S原子或S簇相结合形成单环到三环的平面和立体结构.结构中化学键键型和成键数目影响团簇的稳定性.通过对基态结构的解离能和能量二次差分值的分析得到了Al2S±n团簇的稳定性信息.     

AunXm(n+m=4,X=Cu,Al,Y)混合小团簇的结构和稳定性研究

采用基于密度泛函理论的B3LYP方法,优化了AunXm(n+m=4,X=Cu,Al,Y)二元混合团簇的稳定结构.计算了稳定结构的平均结合能、电离势、电子亲和势、最高占据轨道能级和最低空轨道能级及二者间的能隙.结合Mulliken集居数分析研究了二元混合团簇稳定存在的规律,得出掺杂可以增强团簇稳定性的结论.     

AunPd(n=1～5)团簇的第一原理研究

用基于密度泛函理论的第一原理方法研究二元混合团簇AunPd(n=1~5)的稳定结构,得到团簇各种稳定结构的几何构形和对应的电子态,与纯Aun团簇比较研究了混合团簇AunPd(n=1~5)的稳定性.结果表明:AunPd(n=1~5)混合团簇具有多种稳定的异构体,部分异构体具有较高的自旋多重性.在Aun团簇中掺入Pd原子后,Au-Pd间的强相互作用改变了团簇的稳定结构,这种变化随团簇体积的增大而减小.     

AunXm(n+m=4,X=Cu，Al，Y)混合小团簇的结构和稳定性研究

采用基于密度泛函理论的B3LYP方法，优化了Au_nX_m(n+m=4,X=Cu，A l，Y)二元混合团簇的稳定结构.计算了稳定结构的平均结合能、电离势、电子亲和势、最高占据轨道能级和最低空轨道能级及二者间的能隙.结合Mulliken集居数分析研究了二元混合团簇稳定存在的规律，得出掺杂可以增强团簇稳定性的结论. 关键词： 混合团簇 结合能 能隙 分子轨道集居数     

锰/磷、钛/磷二元团簇的激光溅射产生与光解

利用激光溅射法直接产生了锰／磷、钛／磷二元团簇正、负离子MxPy^±(M=Mn、Ti） ,并用串级飞行时间质谱仪研究了团簇离子的组成与激光光解规律。实验表明钛与磷间成簇的能力强于锰与磷间成簇的能力,且MPy^+(M=Ti、Mn)团簇离子系列表现出峰强度了胡所含磷原子数目的奇偶性变化,这可能与P4结构的特殊稳定性有关。激光光解实验表明,失去中性P2、P4的通道为主要光解通道。随着团簇离子的生长,锰／磷团簇正离子逐渐由富磷簇向富金属簇过渡,钛／磷则趋向于形成钛原子数目与磷原子数目接近相等的团簇正离子,而二者与磷形成的团簇负离子MxPy^-(M=Mn、Ti) 逐渐趋向于x ≈ y,随样品中磷含量增加,锰／磷易形成富磷簇,钛／磷的组成趋向不改变。     

InSi_n(n=2-15)团簇结构、稳定性与电子性质的理论研究

使用卡里普索(CALYPSO)结构预测程序并结合密度泛函理论,在B3LYP/GENECP基组水平上,对InSi_n(n=2-15)团簇的几何结构进行优化与计算.结构优化表明:InSi_n团簇的最低能量构型趋于立体结构(n2),且形成In原子戴帽InSi_(n-1)团簇结构.稳定性分析发现InSi_(12)团簇为幻数结构,In原子的掺杂降低了Si_(n+1)团簇的稳定性.团簇中的电荷总是由In原子向Si原子转移.最后讨论了团簇的电子局域密度函数、红外与拉曼光谱.     

金属硫族簇基半导体中的Mn2+发光

锰离子相对稳定的发光特性及锰掺杂荧光粉的成功使得人们对锰离子发光的研究热情不减。本文综述了Mn~(2+)掺杂金属硫族簇基半导体中团簇结构、组分关联的Mn~(2+)发光特性。金属硫族簇基半导体具有原子级的精确结构,为探究Mn~(2+)发光的精确"构效关系"提供了理想模型。在Mn~(2+)掺杂的金属硫族簇基半导体中,Mn~(2+)附近键长和团簇组装方式的差异决定了Mn~(2+)配位场强的变化,进而影响Mn~(2+)发光波长的变化。在Mn~(2+)掺杂的金属硫族纳米团簇中,Mn~(2+)的聚集形式和聚集体中Mn~(2+)的数量决定了Mn-Mn耦合相互作用的大小,直接影响Mn~(2+)发光效率、寿命及激发特性。     

中性和阳离子丁酮团簇的结构及稳定性的理论研究

使用密度泛函B3LYP方法,在6-31G*和6-311+G**基组水平上计算中性和阳离子丁酮团簇(CH_3COC_2H_5)_n和(CH_3COC_2H_5)_n~+(n 7)的稳定结构,并比较不同尺寸团簇之间的相对稳定性.中性和阳离子丁酮团簇的结构具有相似性:n=3—7时,组成团簇的丁酮的平均几何参数基本相同,单环结构最稳定;随着团簇尺寸的增加,双环结构的稳定性逐渐上升.通过平均结合能、一阶差分能、HOMO-LUMO能隙等计算分析可知:在所研究的各种尺寸团簇中,(CH_3COC_2H_5)_3是最稳定的中性团簇,与实验中的最强峰对应;(CH_3COC_2H_5)_4~+是最稳定的阳离子团簇.通过电离能计算得到丁酮分子的垂直电离能为9.535 eV与实验值相符,同时证明中性和阳离子丁酮二元团簇的结构变化较大.研究结果为实验中丁酮团簇碎片离子的形成机理提供一定的理论依据,并且为进一步研究酮类分子团簇的生长规律提供有价值的信息.     

Agn-1Si（n=5-10）团簇结构与性质研究

采用密度泛函理论研究了Agn-1Si团簇（n = 5-10）的几何结构和物理性质。首先得到体系最低能量结构，其中Ag5Si 和 Ag7Si团簇的结构比之前研究中结构能量更低。通过分析相应结构的能隙，平均结合能，二阶能量差可以发现Si原子的加入可以加强团簇结构稳定性，使团簇更加紧凑。在团簇尺寸n = 5-10的范围里，拥有八个价电子的Ag4Si团簇在以上三个方面都显示出非常稳定的特点。通过分析Agn-1Si团簇 (n = 5-10)的差分电荷发现，电荷的转移主要发生在Si原子与其相邻的Ag原子之间， Si原子和附近的Ag原子之间产生了强烈的共价相互作用，是团簇稳定性增强的重要原因。     

InCn（n =1-10）团簇的结构和稳定性的理论研究

采用密度泛函理论的B3LYP方法,在LANL2DZ水平上对团簇InC_n(n=1-10)的结构、稳定性和电子性质进行了优化和计算.最终得到了InC_n团簇体系的最稳定结构,同时计算出了各基态结构相应的电子态、包含零点能在内的总能量、偶极距、自旋污染期望值、转动常数和振动频率等.通过分析得出：铟原子位于碳链一端的直线型结构是相应团簇的最稳定构型;InC团簇除外,直线型系列团簇的基态都是二重态.通过计算和分析增量结合能以及能量二阶差分可以看出,随着团簇尺寸n的增加,InC_n团簇的稳定性呈现出明显的奇弱偶强振荡规律.通过碎片能的计算,找到了失去杂质原子的离解通道就是该系列团簇的形成通道.