Agn-1Si(n=5-10)团簇结构与性质研究 |
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引用本文: | 邹松霖,罗有华.Agn-1Si(n=5-10)团簇结构与性质研究[J].原子与分子物理学报,2024,41(1):012004. |
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作者姓名: | 邹松霖 罗有华 |
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作者单位: | 华东理工大学,华东理工大学 |
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摘 要: | 采用密度泛函理论研究了Agn-1Si团簇(n = 5-10)的几何结构和物理性质。首先得到体系最低能量结构,其中Ag5Si 和 Ag7Si团簇的结构比之前研究中结构能量更低。通过分析相应结构的能隙,平均结合能,二阶能量差可以发现Si原子的加入可以加强团簇结构稳定性,使团簇更加紧凑。在团簇尺寸n = 5-10的范围里,拥有八个价电子的Ag4Si团簇在以上三个方面都显示出非常稳定的特点。通过分析Agn-1Si团簇 (n = 5-10)的差分电荷发现,电荷的转移主要发生在Si原子与其相邻的Ag原子之间, Si原子和附近的Ag原子之间产生了强烈的共价相互作用,是团簇稳定性增强的重要原因。
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关 键 词: | 团簇 硅掺杂银团簇 密度泛函理论 |
收稿时间: | 2022/8/16 0:00:00 |
修稿时间: | 2022/10/3 0:00:00 |
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