GaP发光二极管中深能级对发光强度的影响研究

应用深能级瞬态谱(DLTS)技术,研究了GaP发光二极管中Zn-O对深能级,并计算出了其能级的激活能。GaP红色发光二极管经过γ射线长时间辐照后,其Zn-O对的浓度和发光管发光强度发生了变化。结果表明,经γ射线辐照后,GaP红色发光二极管中的Zn-O对的浓度增大,发光强度增强。它为提高GaP红色发光二极管的发光效率提供了一种新的方法。     

均匀块状磷砷镓的制造方法

自从美国蒙三托公司采用GaAs单晶做为衬底的气相外延生长法(PVE)工业生产GaAs_-xP_x单晶以来,便确立了大量使用Ⅲ—V族化合物半导体单晶的地位。红色发光元件用的GaAs_1-xGa_xP/GaAs生长技术,对于以GaP做衬底的黄色发光元件用GaAs_1-xP_x/GaP单晶、In_1-xGa_xP/GaP单晶和绿色发光元件用的GaP(N)~*/GaP单晶的生长技术带来了很大的影响。     

磷化镓单晶外延工艺及其自支撑薄膜的制作

采用Ga—PCI_3—H_2系统开管式汽相外延的方法,在GaAs衬底上生长掺Zn的GaP单晶。经化学腐蚀去掉GaAs衬底得到自支撑GaP单晶薄膜。 研究了在P型GaAs衬底上外延P—型GaP的生长条件,生长速度与温度的关系,生长速度与输运气体中的PCI_3浓度的关系,以及晶向偏差,清洁条件等对外延层质薄的(井彡)响。     

发光二极管电视、符号显示

国内外对发光二极管单片式、混合式矩阵显示装置正在进行活跃的研究。成为这种二极管显示装置的基本技术有:制备高效率p-n结;在单一晶体基板上制作多个发光元件的集成化技术;把多个发光二极管组装起来的电气联结技术以及最佳的取光结构等。 近年来,由于GaAsP、GaP发光二极管的效率显著提高;集成化技术、组装技术的进展以及结构上的巧妙设计;用发光二极管显示装置部分地取代阴极射线管显示的可能性日趋增大起来。 本文研究了发光二极管平面显示装置的电视图像显示及文字、数字——符号显示的特性;并论述了作者最近试制的GaP绿色发光二极管平面显示装置的结构、特性及在电视显示、符号显示上的应用。     

采用GaP多晶材料制作发光二极管显示器

据Elcctronics,1972,45(18)报导,日本宋宜公司的中心实验室采用GaP多晶材料做成发光二极管显示器,效果良好。比用单晶便宜得多。此外,他们还用多晶材料做成一单片数字显示器,不用连线,进一步降低了成本。     

GaP台面腐蚀研究

高效GaP绿色发光二极管制造中,器件的隔离和台面制作具有十分重要意义。本文介绍了用于GaP发光器件的隔离和台面制作的碱性铁氰化钾化学腐蚀技术。观察了腐蚀温度,腐蚀时间对腐蚀深度和表面形貌间关系。结果表明:碱性铁氰化钾对GaP台面腐蚀是一种优良的腐蚀剂,具有较高的腐蚀速率(2微米/分),并可获得光滑无凹坑或少凹坑的腐蚀面。对出现的实验现象从机理上作了解释。     

涂NaYF_4:Yb,Er磷光体的高效上转换绿色发光二极管的制作

红外发光二极管上涂复红外变可见光的上转换磷光体与其它种类发光二极管比较有如下优点: 1.主要发射峰位于540nm左右(图1(a)),发光颜色为纯绿色,与GaP:N发光二极管发射峰在570nm左右的黄绿色光     

磷砷化镓黄色发光二极管

采用掺氨砷压法在磷化镓衬底上外延生长掺碲n型的GaAs0.15P0.85:N/GaP材料,制成磷砷化镓黄色发光二极管,测量了其光学和电学性能.讨论了影响器件发光效率的因素.     

发光二极管的最新进展

一、前言 发光二极管近几年来在计算机、钟表、仪表的数字显示及分立的超小型灯等方面得到了广泛的应用,成为一种最成功的新型显示技术。这种器件具有亮度高、价格低、功耗小、坚固可靠,能与集成电路匹配等特点,因之有着商业生产的价值。 本文将对市场上出售的或正在研制的发光二极管的工艺现状作一评述。有关发光二极管的工艺,已经有了几篇出色的评述性文章。因此,本文的内容将限于介绍最近几年来所取得的新进展。在撰写这篇文章时,用GaAsP和GaP材料制成的红、橙、黄、绿几     

制备红色发光二极管用的GaP晶体的生长

生长制备发光二极管用的GaP晶体,最普通的方法,就是从Ga溶液中结晶的方法。这种方法的优点是:能保证晶体的高纯度,可以实现结晶与合成的结合,以及在晶体生长的同时完成掺杂。 本文研究了结晶条件和杂质对发红光的GaP从晶体溶液中生长的影响。 制备红色发光二极管用的GaP晶体,必须是完全掺杂的,并具有很强的光致发光和     

用作衬底的GaAs和GaP的合成和晶体生长

本文评论器件所用的GaAs和GaP单晶衬底的通用制备工艺。评论了化合物合成和晶体生长的主要方法。重点谈液封直拉法,因为所有大面积GaP单晶目前都是用这种方法生长的。     

液相外延生长磷化镓 采用离心倾斜技术

目前,液相外延生长法是制造高质量GaP发光二极管材料的最成功的方法。离心倾斜技术就是以液相外延生长法为基础的。用这种技术产生的发光外延材料具有     

高压液封直拉法生长GaP单晶

利用国产ZFL 018型高压单晶炉和液封直拉(LEC)法生长了掺碲(硫)GaP单晶,其常温电学参数为;nTe,s～(2～15)×1017cm-3;μn～(86～134)cm2/sv;位错密度(1～4)×104cm-2。     

制备绿色磷化镓发光二极管的液相外延生长法

用液相外延法可以制备出绿色场致发光磷化镓二极管。在密闭坩埚中装入Ga-GaP熔体,再将它放入垂直炉中。将GaP衬底片插入温度保持在约1110—1140℃的熔体中。从S、Se和Te中选择一种杂质加入熔体,然后缓慢地把温度冷到约1070—1100℃,就可形成n—型GaP薄层。此时用受主杂质(例如Zn或Cd)加入熔体进行反型掺杂,而制得p—型层。然后把衬底拉出熔体使之冷却到周围的温度。为降低串联电阻,对片子的衬底这边可进行磨薄,然后就可制备场致发光二极管。切割或解理下来的小片,分别在它的p侧和n侧制上Au—Zn和Au—Sn合金点。 用上述方法制备的绿色发光二极管的效率约为2.7×10~(-4),如把反反射环氧树脂帽加于二极管则效率可提高二倍以上。二极管可用作平面指示器。     

用汽相外延生长及锌扩散制造GaP发光二极管

最近几年,GaP被广泛地用于做发光二极管,特别是绿灯。GaP二极管绝大部分是用液相外延方法生长的,因为用这种方法能做出高效率的管子。 但汽相外延生长法却也有某些好的地     

发光二极管特性的测定

为了使人们进一步对发光二极管应用技术的发展有所了解,本文叙述了与用户和生产单位都有关系的元件特性测试法。作为具体的例子,主要以三菱电机制造的红色发光二极管ME112为例来说明。 发光二极管是利用半导体物质作为材料,伴随p—n结的少数载流子注入而发光的半导体元件。 作为这种料材的半导体物质有多种,但是,现在实用的料材有Ⅲ-Ⅴ族的GaAs、GaP,与此相同还有Ⅲ—Ⅴ族AlAs和GaAs的混晶     

GaP纯绿发光二极管的近红外发光研究

本文测量了GaP纯绿发光二极管在室温和液氮温度下的近红外发光光谱,观测到许多重叠的宽带发光.按高斯线型对光谱进行拟合,将其分解为6个发光谱峰,讨论了这些深能级发光的来源和它们对GaP发光二极管的发光强度的影响.     

ZnS衬底上GeC/GaP增透保护膜系的制备及红外光学性质

把GeC/GaP双层膜用作ZnS衬底的长波红外(8~11.5μm波段)增透保护膜系。采用射频磁控溅射法,以高纯Ar为工作气体、单晶GaP圆片为靶制备了GaP薄膜;用射频磁控反应溅射法在高纯Ar和CH4的混合气体中,以单晶Ge圆片为靶制备了GeC薄膜。分别用柯西(Cauchy)公式和乌尔巴赫(Urbach)公式表示折射率和吸收系数,对薄膜的红外透射率曲线进行最小二乘法拟合,得到了它们的厚度及折射率、吸收系数等光学常数。GaP膜的折射率与块体材料的相近,在波长10μm处约为2.9;GeC膜的折射率较小,在波长10μm处约为1.78。用所得到的薄膜折射率,通过计算机膜系自动设计软件在ZnS衬底上设计并制备出了GeC/GaP双层增透保护膜系,当GaP膜厚较大时,由于吸收增大膜系增透效果较差;当GaP膜厚较小时,膜系有较好的增透效果。     

介绍一种光谱能连续随外加电压改变的结型器件——金属-绝缘体-金属隧道发光二极管

众所熟知的一些结型发光器件是PN,MIS及MS结等,这些器件的发光光谱都是由半导体材料性质决定的,所以一种器件一般说只能发出一种颜色的光谱。对于直接跃迁型Ⅲ—Ⅴ族发光材料,例如GaAs0.6P0.4的PN结发光二极管,发光光谱取决于禁带宽度,所以只能发出红光;而直接带的Ⅱ-Ⅵ族材料,例如ZnSe:Mn肖特基二极管在反向偏压下的发光则利用杂质中心Mn的发光,只能得到黄色。目前人们已成功地制得了红色GaAsP,GaP、GaAlA以及黄色和绿色的GaP发光二极管。但这类器件的光谱并不随外加电压改变。     

GaP的缺陷随温度变化的PAT研究

我们对LEC法制成的掺S的GaP单晶,从室温至1000℃,每隔50℃恒温30分钟,在Ar气保护下进行热处理。用正电子湮没技术(PAT)对样品中的缺陷进行了分析研究。结果指出,随着热处理温度的升高,GaP中的点缺陷组态发生变化。测试结果表明,正电子湮没寿命可分解为两个寿命。其中捕获态寿命τ2随热处理温度的升高,由310ps变为330ps;进而在高温下变为280ps.相应地捕获强度I2随温度而发生变化,它反映出GaP单晶中的空位浓度也在随温度发生变化。