Nd：DL—ALa：L—GLu：TGS晶体的生长及热释电性能研究

选择Ｎｄ２Ｏ３、Ｌ－谷氨酸ＤＬ－丙氨酸为掺杂剂，生长出Ｎｄ：ＤＬ－ＡＬａ：Ｌ－ＧＬｕ：ＴＧＳ晶体，测定了其热释电性能。结果表明，Ｎｄ：ＤＬ－ＡＬａ：Ｌ－ＧＬｕ：ＴＧＳ晶体有希望成为性能优良的热释电新的晶体材料。     

Cr：KTP晶体生长机制的研究

本文采用激光Ｒａｍａｎ光谱与ＩＲ光谱对Ｃｒ：ＫＴＰ－Ｋ６（Ｋ６Ｐ４Ｏ１３），ＫＴＰ－Ｋ６高温溶液淬冷后的玻璃体进行了研究，指出由于掺质Ｃｒ２Ｏ３引入ＫＴＰ－Ｋ６溶液，使溶液中的焦磷酸根向正磷酸根转化，从而提高了溶液的溶解度，利用高温溶液缓慢降温法生长了光学质量的Ｃｒ：ＫＴＰ晶体，研究了晶体生长形态。讨论了晶体的生长机制。     

Nd^3^＋：La2Be2O5激光晶体的研究

掺钕铍酸镧－Ｎｄ＾３＾＋：Ｌａ２Ｂｅ２Ｏ５（Ｎｄ＾３＾＋：ＢＥＬ）激光晶体为单斜晶系，其荧光谱具有线性偏振特性。本文用提拉法生长了Ｎｄ＾３＾＋：ＢＥＬ单晶，并对晶体结构进行了分析，对其光谱特性（吸收，偏振荧光谱，低温谱及荧光寿命等）和激光二极管（ＬＤ）泵浦的激光特性进行了研究，并和Ｎｄ：ＹＡＧ晶体进行了比较。     

一种具有倍频疚的新型硼酸盐化合物La2SrB10O19

在ＳｒＯ－Ｌａ２Ｏ３－Ｂ２Ｏ３体系中合成出一种新的硼酸盐化合物Ｌａ２ＳｒＢ１０Ｏ１９。Ｌａ２ＳｒＢ１０Ｏ１９的晶体结构与Ｌａ２ＣａＢ１０Ｏ１９相同。Ｌａ２ＳｒＢ１０Ｏ１９的粉末倍频效应（ＳＨＧ）大约是ＫＨ２ＰＯ４（ＫＤＰ）的２倍。差热分析结果表明该化合物为非同发熔融化合物,转熔温度约为９８３℃,可以用助熔剂法进行晶体生长。反射光谱研究表明Ｌａ２ＳｒＢ１０Ｏ１９的紫外吸收边在３００ｎｍ左右。     

NaCl（OH）^—）色心激光晶体的单晶生长研究

采用ＮａＣｌ－ＮａＯＨ掺杂，控制晶体中ＯＨ＾－的含量在１０８０ｐｐｍ，排除Ｋ＾＋，Ｌｉ＾＋等杂质离子的影响，调整适当的生长工艺条件，在Ａｒ气氛中用Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ法生长晶体，获得了性质优良的ＮａＣｌ（ＯＨ＾－）单晶，为ＮａＣｌ（ＯＨ＾－）；（Ｆ２＾＋）Ｈ色心激光晶体的制备及激光运转奠定了良好的基础。     

掺钇钨酸铅晶体缺陷的理论计算

采用基于密度泛函理论的相对论性离散变分和嵌入团簇方法,计算了掺钇PbWO4晶体中多种相关缺陷的电荷分布和不同团簇缺陷结合能,并讨论了相关缺陷的电荷补偿机制.VPb是掺Y钨酸铅晶体中主要的电荷补偿方式.YPb3++VPb相关缺陷可能是晶体中存在的主要缺陷,其中[2(Y3+Pb)-VPb']在晶体中更稳定.缺陷态[2(Y3+Pb)-VPb']和[(Y3+Pb)-VPb']的态密度分布及其激发能的计算结果表明:掺Y晶体O2p→W5d的跃迁能量均为4.3eV,使周围WO42-禁带宽度增大,可改善420nm与350nm的吸收,并通过减少VPb-VO联合空位可有效抑制PbWO4晶体的本征吸收.晶体中掺Y与掺La对发光影响不同,掺Y可敏化PWO晶体的蓝发光.     

POM：TNP的混合晶体与二次谐波效应

从有机溶液中生长得到３－甲基－４－硝基吡啶－１－氧与２，４，６－三硝基苯酚的混合晶体，对该晶体进行元素分析和热谱分析；测定了晶体的红外光谱和晶体结构，并测试了该混合晶体的二次谐波效应；讨论了二次谐波效应与晶体结构的关系。     

助熔剂法生长片状硼酸铁单晶及其磁光性能

本文采用助熔剂法，从Ｆｅ２Ｏ３－Ｂ２Ｏ３－ｐｂＯ／ＰｂＦ２系统中生长出片状弱铁磁性ＦｅＢＯ３晶体。用磁光调制倍频法测出ＦｅＢＯ３单晶在可见光区的法拉第旋转谱，并用分光光度计测出该晶体的光吸收谱，得出表征材料磁光性能的优值与波长的关系，并对ＦｅＢＯ３晶体生长与磁光性能作了讨论。     

稀土离子掺杂氟化物激光晶体研究进展

稀土离子掺杂氟化物晶体具有宽透光波段高透过率、低声子能量、长荧光寿命、负热光系数等优良特性,可以产生从紫外到中红外波段激光,是一类重要的激光增益介质。本文综述了本团队在稀土离子掺杂LiLuF₄、LiYF₄、BaY₂F₈、LaF₃、PbF₂、CeF₃等氟化物晶体生长、光学和激光性能等方面的研究进展,总结了稀土离子共掺敏化、退激活、能级耦合调控以及多离子发光等方面的研究工作,展望了稀土离子掺杂氟化物激光晶体的研究发展趋势。     

Nd：YVO4杂质引入途径分析

运用ICP方法分析了一次蒸馏水和二次蒸馏水中的离子含量。应用二次蒸馏水合成钒酸钇原料，并生长出Nd:YVO4晶体。采用色谱对原料样品和晶体样品中的杂质元素和杂质基团进行分析，发现钒酸钇晶体内部含有VO，YO，NdO，YVO2，YVO3，Y2O2基团，含K、Na、Ca等碱金属和稀土元素，在晶体中含有杂质离子铯和铅。     

用KF助熔剂生长尺寸β—BaB2O4晶体

本文首次报告使用ＫＦ助熔剂生长大尺寸优质β－ＢａＢ２Ｏ４（ＢＢＯ）晶体的研究结果。适合的生长条件为；熔质与熔剂摩尔百分比为ＢａＢ２Ｏ４：ＫＦ在６６：３４到７０：３０范围内，籽晶方向平行ｃ轴；晶体转速０－１５ｒ／ｍｉｎ；生长周期为１２０天。     

掺质TGS晶体生长机制的探索研究

本文采用水溶液降温法生长了６种掺质ＴＧＳ晶体，掺质分别为有机小分子化合物：甲酸、乙酸、丙酸、丙醇、１，２－丙二醇和硫脲。研究了此６种掺质ＴＧＳ晶体的生长形态，Ｘ－射线粉末衍射和红外光谱以及主要的热释电性能参数等。最后从氢键形成的观点出发，探索研究了掺质ＴＧＳ晶体的生长机制。     

Nd：GdVO4晶体生长及其1064nm的激光特性

本文报道了用Ｇｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ方法生长Ｎｄ：ＧｄＶＯ４晶体,测量了该晶体的偏振吸收谱和荧光谱,表明晶体在８０８．５ｎｍ有吸收峰,其发现波长在１０６４ｎｍ。晶体中掺Ｎｄ浓度的原子分数为１．５６％的Ｎｄ：ＧｄＶＯ４的＾４Ｆ３／２荧光寿命为１００μｓ。用激光二极管泵浦１ｍｍ厚的Ｎｄ：ＧｄＶＯ４晶体,得到了超过１Ｗ１０６４ｎｍ的输出光,泵浦阀值为２０ｍＷ,光－光转换效率为５５．９％,斜效率为６３％。     

光折变Zn：Fe：LiNbO3晶体用于图象边缘增强的研究

用双掺杂Ｚｎ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体作全息记录介质，另一块Ｃｕ：ＫＮＳＢＮ晶体作自泵浦位相共轭反射镜，同全光学实时图象边增强。本文以Ｚｎ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体作作全息记录介质的性能进行了分析讨论。     

La:PbWO4晶体中La3+离子的分布及其对晶体辐照硬度的影响

对Ｌａ掺杂钨酸铅晶体从其头部到尾部逐点测量了透射谱及辐照诱导色心吸收谱,实验结果清楚地证实了Ｌａ掺杂改善ＰｂＷＯ４晶体辐照硬度的作用。根据晶体生长的分凝理论对晶体中Ｌａ的分布浓度进行了计算,得到了晶体３５０ｎｍ处光透过率与Ｌａ分布浓度的关系曲线,它可以作为选择最佳掺Ｌａ浓度的依据。     

高掺镁铌酸锂晶体OH-吸收光谱的低温研究

本文测量了纯铌酸锂和高掺镁铌酸锂晶体的低温红外光谱,观察了OH-吸收峰的温度依赖特性.研究发现纯铌酸锂的OH-振动吸收峰基本不随温度而变化,而高掺镁铌酸锂晶体的OH-振动吸收峰的主峰峰位随温度的降低向高波数方向移动.通过分析两种晶体中不同的缺陷模型以及H+在晶格中的占位,我们提出高掺镁铌酸锂晶体中的H+紧邻高电性杂质缺陷(MgNb)3-分布,直接参与缺陷集团,完全不同于纯铌酸锂晶体中H+的分布情形,这造成了高掺镁铌酸锂晶体中OH-振动吸收峰随温度的变化.而集团内部缺陷之间相互作用随温度降低而增强的趋势是OH-振动吸收峰右移的主要原因.     

V:Al2O3的电子及中子辐照改性研究

测量和分析了Ｖ：Ａｌ２Ｏ３晶体在电子辐照前后的吸收谱,发射谱和正电子湮没寿命及强度。结果表明：电子辐照可使Ｖ：Ａｌ２Ｏ３晶体中的Ｖ离子变价,而中子辐照在晶体中诱生Ｆ＾２＋２和（Ｖ＾＆３＋－Ｆ＾＋２）心。（Ｖ＾３＋－Ｆ＾＋３）心可发射４５０－５６０ｎｍ５ 连续荧光。     

LiF：Mg^2＋晶体中类F^＋2心的形成及稳定性研究

通过对吸收光谱及荧光强度的研究，本文讨论了几种不同掺杂浓度的ＬｉＦ：Ｍｇ＾２＋晶体中室温下Ｆ＾＋２心的热衰变及Ｍｇ＾２＋－Ｆ＾＋２－Ｖｃ心的形成过程和稳定性，并讨论了Ｍｇ＾２＋－Ｆ＾＋２－Ｖｃ心的形成速度与晶体中的Ｍｇ＾２＋离子浓度的关系。     

NaCl晶体中氧族离子稳定的(F+2)H心

描述了掺氧族离子（Ｏ＾２－，Ｓ＾２－，Ｓｅ＾２－）ＮａＣｌ晶体中（Ｆ２＾＋）Ｈ心的制备过程，报道了氧族离子稳定的（Ｆ２＾＋）Ｈ心的吸收光谱和发射光谱，测量了这些（Ｆ２＾＋）Ｈ心的室温避光稳定性。研究表明，氧族离子对Ｆ２＾＋心的稳定作用顺序为Ｏ＾２－〈Ｓｅ＾２－〈Ｓ＾２－，而受这三种离子扰动的（Ｆ２＾＋）Ｈ心的光谱峰位相对于纯Ｆ２＾＋心的移动大小亦为这一顺序。这一顺序与它们相应元素的电子亲合能顺序相     

稀土铕掺杂BaPbO3的研究

在ＢａＰｂＯ３中掺杂Ｅｕ２Ｏ３多晶粉末。通过ＥＸＡＦＳ、ＩＣＰ、ＸＲＤ等手段，研究了稀土铕掺杂ＢａＰｂＯ３体系的晶相种类，掺要工艺，以及铕的两种可能的存在形式。掺杂铕中，大部分铕占据面体中心位置，且伴随氧空间的产生；小部分铕进入八面本周围的空隙中，可能以间隙形式存在。