Nd:YVO4杂质引入途径分析 |
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引用本文: | 邹宇琦,李新军,等.Nd:YVO4杂质引入途径分析[J].人工晶体学报,2002,31(4):401-404. |
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作者姓名: | 邹宇琦 李新军 |
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作者单位: | 中国科学院上海光学精密机械研究所晶体中心,上海201800 |
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基金项目: | 国家自然科学基金(No.60047003)资助项目 |
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摘 要: | 运用ICP方法分析了一次蒸馏水和二次蒸馏水中的离子含量。应用二次蒸馏水合成钒酸钇原料,并生长出Nd:YVO4晶体。采用色谱对原料样品和晶体样品中的杂质元素和杂质基团进行分析,发现钒酸钇晶体内部含有VO,YO,NdO,YVO2,YVO3,Y2O2基团,含K、Na、Ca等碱金属和稀土元素,在晶体中含有杂质离子铯和铅。
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关 键 词: | Nd:YVO4 杂质引入途径 ICP 色谱 杂质分析 铯 铅 钒酸钇 晶体 |
文章编号: | 1000-985(2002)04-0401-04 |
修稿时间: | 2002年4月22日 |
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