维生素B2在银掺杂钠基蒙脱土修饰电极上的电化学行为及测定

用循环伏安法和方波溶出伏安法研究了维生素B2(VB2)在银掺杂蒙脱土修饰电极上的电化学行为。结果表明,在pH=6.05的磷酸盐缓冲溶液(PBS)中,VB2在银掺杂钠基蒙脱土修饰电极上发生的是受吸附-扩散混合控制的可逆电氧化-还原过程,转移的电子数n=2,传递系数α=0.3545、β=0.6455,电极的有效面积Aeff=7.11mm2,VB2在PBS中的扩散系数D=1.049×10-5 cm2/s。用方波溶出伏安法优化了测定参数,测定了浓度与峰电流的线性关系,VB2浓度在2.0×10-6～8.0×10-5 mol/L范围两者呈线性关系,检测限为5.0×10-7 mol/L,实际样品加标回收率为94.5%～105.0%。     

多菌灵在改性钠基蒙脱土修饰电极上的电化学行为及测定

制备FeCl3改性钠基蒙脱土修饰电极,循环伏安法研究多菌灵在该电极上的电化学行为,以及溶液pH值、扫描速率、修饰剂用量等影响因素,并测定电极反应的部分动力学参数.结果表明,该电极过程由扩散步骤控制,转移电子数n=2,电极的活化表面积A=0.027 cm2,扩散系数D=5.115×10-6cm2/s.在优化测定条件下发现,峰电流的一阶导数值与多菌灵浓度在2.00×10-5~8.00×10-4mol/L范围内呈良好的线性关系.ip′=-8.045×10-7-0.0237c,相关系数R=-0.9965,检出限为2.41×10-6mol/L.线性扫描伏安法测得BCM试样的回收率为95.73%~104.0%.     

改性钠基蒙脱土修饰电极上百草枯的电化学行为及测定

制备了十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)改性钠基蒙脱土修饰电极,用循环伏安法研究了百草枯在该修饰电极上的电化学行为,结果表明该电极过程受扩散控制。计算了电极过程的部分动力学参数：电极的电活化面积Aeff=2.108mm2,扩散系数D=5.73×10-4cm2/s。用方波溶出伏安法优化了测定参数,测定了浓度与峰电流ipa1的线性关系,发现ipa1与百草枯浓度在9.660×10-7~3.865×10-4 mol/L范围内呈线性关系,检测限为3.297×10–7 mol/L,用该方法测定了实际水样中百草枯的含量,增敏回收率为：94.55%~108.25%。     

聚磷钼酸/乙炔黑修饰电极上乙萘酚的电化学行为及测定

制备了聚磷钼酸/乙炔黑修饰电极(PMA/AB/GCE),用循环伏安法(CV)研究了乙萘酚(EN)在该电极上的循环伏安行为。在pH 5.5的HAc-NaAc缓冲液中,EN在该修饰电极上出现一明显的氧化峰。在60~300 mV/s扫速范围内,其氧化峰电流(I pa)与扫速平方根(v1/2)呈线性关系,表明该电极过程是受扩散控制的不可逆过程。计算电极过程的部分动力学参数:电极有效面积为0.122 cm2,质子数与电子数均为1,扩散系数为D为9.64×10-5cm2/s。运用方波伏安法测定不同浓度EN的方波伏安曲线,结果表明氧化峰电流与EN浓度在9.0×10-7~1.0×10-4mol/L范围内呈良好线性关系(r=0.992),检出限(S/N=3)为6.35×10-7mol/L,加标回收率为92.8%~102.8%。     

百草枯在氧化石墨烯修饰玻碳电极上的电化学行为及其差分脉冲伏安测定

将氧化石墨烯悬浮液(1g·L~(-1))10μL滴涂于玻碳电极表面,烘干后,在0.10mol·L~(-1)的KH_2PO_4溶液中于-0.9V还原600s制备了氧化石墨烯修饰玻碳电极,用扫描电子显微镜、透射电子显微镜和电化学方法对修饰电极进行了表征。用差分脉冲伏安法研究了百草枯在氧化石墨烯修饰电极上的电化学行为,发现此修饰电极对百草枯的还原有明显的电催化作用。百草枯在pH 7.5的磷酸盐缓冲溶液中,在氧化石墨烯修饰电极上产生催化还原反应,在差分脉冲伏安曲线上先后在-0.6,-0.1V处出现2个还原峰。因后者与底液的还原峰重叠,故测定中采用-0.6V处的还原峰电流为测量值。经试验,百草枯在修饰电极上的富集电位为-0.6V,富集时间为200s,选用的扫描速率为50 mV·s~(-1)。在最佳试验条件下百草枯浓度在9.00×10~(-7)～1.00×10~(-5) mol·L~(-1)和1.00×10~(-5)～5.00×10~(-5) mol·L~(-1)内与其在-0.6V处的还原峰电流呈线性关系,检出限(3s/k)为1.64×10~(-7) mol·L~(-1)。方法应用于农药中百草枯含量的测定,测定值与标示值相符,对土壤样品进行加标回收试验,回收率在89.5%～114%之间。     

铂/多壁碳纳米管修饰玻碳电极用于微分脉冲伏安法测定左旋多巴

采用微波辅助加热多元醇技术制备了载铂多壁碳纳米管复合材料,并将该复合材料分散在N,N′-二甲基甲酰胺溶液中得到悬浮液,取14μL悬浮液滴涂在玻碳电极表面,制备铂/多壁碳纳米管修饰电极(Pt/MWCNT′s/GCE)。循环伏安法研究了在0.05mol·L~(-1)硫酸支持电解质中,在0.30～0.70V(vs.SCE)电位范围内,左旋多巴在修饰电极上的电化学行为,结果表明:左旋多巴在Pt/MWCNT′s/GCE上于电位0.548V处可见明显的氧化峰,且氧化峰电流显著高于在MWCNT′s/GCE和裸玻碳电极上的氧化峰电流。提出了用微分脉冲伏安法测定左旋多巴的方法。左旋多巴的浓度在8.0×10~(-6)～2.0×10~(-1)mol·L~(-1)范围内与其氧化峰电流呈线性关系,检出限(3S/N)为1.9×10~(-6)mol·L~(-1),平均回收率为102.8%。     

多菌灵在羧甲基纤维素钠/蒙脱土修饰电极上的电化学行为及测定

制备了羧甲基纤维素钠/蒙脱土修饰电极,研究了多菌灵在该修饰电极上的电化学行为并用方波伏安法对其进行测定。实验结果表明,多菌灵在修饰电极上出现了一个不可逆氧化峰,该氧化过程受扩散控制,多菌灵浓度在2.0×10-6～6.0×10-5mol/L范围内,方波伏安法的氧化峰电流与多菌灵浓度呈现良好的线性关系,检出限为8.5×10-7mol/L,可用于检测溶液中多菌灵含量。     

SOD-PVP/Au电极的电化学行为及对H_2O_2的电催化

以聚乙烯吡咯烷酮K30为电催化剂,羧甲基纤维素为膜固定剂,将超氧化物歧化酶固定在电极上,制备了SOD-PVP/Au修饰电极.采用循环伏安法研究了该修饰电极的电化学行为,在pH7.0 PBS缓冲溶液中于0.305V和0.111V处出现一对明显的氧化还原峰,电极反应是一个受扩散控制的准可逆过程,扩散系数4.71×10~(-7)cm~2/s、异相电子迁移常数5.37×10~(-6)cm/s.修饰电极能够催化H_2O_2的电还原,还原峰电流与H_2O_2浓度在2.0×10~(-6)～2.0×10~(-4)mol/L范围呈线性关系,相关系数R=-0.99042,可用于H_2O_2的电催化检测.     

去甲肾上腺素和抗坏血酸在导电聚合物膜修饰电极上的同时测定

采用循环伏安法研究去甲肾上腺素(NE)和抗坏血酸(AA)在4-(2-吡啶偶氮)间苯二酚(PAR)导电聚合膜修饰电极上的电化学行为;以差示脉冲伏安法(DPV)对二者进行测定,发现PAR修饰电极对NE和AA有很强电催化作用,明显增强了电极反应的可逆性及峰电流。在pH 6.0磷酸盐缓冲液(PBS)中,NE氧化峰电流与其浓度在6.25×10-7~6.25×10-5mol/L范围内呈良好的线性关系,AA氧化峰电流与其浓度在1.0×10-6~3.0×10-4mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限分别为5.0×10-8mol/L和5.0×10-7mol/L。该PAR膜修饰电极可对NE和AA进行单独或同时的测定,并用于实际样品重酒石酸去甲肾上腺素针剂和维生素C针剂的检测。     

8-羟基脱氧鸟苷在壳聚糖/石墨烯修饰电极上的电化学及DNA氧化损伤检测

采用循环伏安(CV)、线性扫描伏安(LSV)和示差脉冲伏安(DPV)等方法研究了8-羟基脱氧鸟苷(8-OHdG)在壳聚糖(Chi)/石墨烯(GR)修饰的玻碳电极(GCE)上的电化学行为,8-OHdG在该修饰电极上氧化峰电流与其浓度在3.5×10-7~1.4×10-4mol/L范围内呈良好的线性关系,检测限为6.4×10-8mol/L(S/N=3)。将Chi/GR/GCE用于检测DNA氧化损伤,8-OHdG在修饰电极上的氧化峰电流与损伤的DNA质量浓度在10~300 mg/L范围内呈良好的线性关系,损伤DNA检出限为0.026 mg/L(S/N=3)。     

银掺杂聚L-天冬氨酸修饰电极的制备及对肾上腺素的测定

利用循环伏安法,研究了银和L-天冬氨酸在玻碳电极表面电化学聚合的条件,制备了银掺杂聚L-天冬氨酸修饰电极。研究了肾上腺素在修饰电极上的电化学行为,建立了循环伏安法测定肾上腺素的新方法。在pH=3.5的磷酸盐缓冲溶液中,扫描速率为50mV/s时,肾上腺素在修饰电极上产生一对明显的氧化还原峰,峰电位分别为Epa=0.447V,Epc=0.387V。用循环伏安法测定时,氧化峰电流与肾上腺素浓度分别在8.00×10-8～1.00×10-5mol/L和1.00×10-5～1.00×10-4mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限为8.0×10-9mol/L。     

阿奇霉素在多壁碳纳米管修饰电极上的电化学行为及其测定

运用循环伏安法与线性扫描伏安法研究了阿奇霉素在多壁碳纳米管修饰玻碳电极上的电化学行为,建立了一种直接测定阿奇霉素的电化学分析方法。结果表明,与裸玻碳电极相比,多壁碳纳米管修饰电极能显著提高阿奇霉素的氧化峰电流,阿奇霉素的电极过程完全不可逆,存在典型的吸附特性。在优化的实验条件下,氧化峰电流与阿奇霉素浓度在3.0×10-7～2.5×10-5 mol/L和2.5×10-5～5.0×10-4 mol/L范围内呈现良好的线性关系,检出限为1.0×10-7 mol/L。     

安乃近在蒙脱土修饰电极上的电化学行为及测定

制备了蒙脱土修饰电极,并采用循环伏安法研究了安乃近在该电极上的电化学行为。结果表明,该电极过程是一受扩散控制的不可逆过程。用方波溶出伏安法优化了实验参数,测定了浓度与峰电流Ipa的线性关系,发现Ipa与安乃近浓度在2.0×10-6~8.0×10-5mol.L-1之间呈良好的线性关系,其线性回归方程为:Ipa(μA)=-0.07784-15443.54c(μmol.L-1),r=-0.9993,检出限可达1.12×10-6mol.L-1,回收率为94.0%~108.25%。该方法可用于药物中安乃近含量的测定。     

氧氟沙星在乙炔黑修饰电极上的电化学行为及测定

本文制备了一种乙炔黑修饰电极,研究了氧氟沙星(OFL)在该修饰电极上的循环伏安行为。结果表明,在pH=5的PBS缓冲液中,氧氟沙星在该修饰电极上出现一不可逆的氧化峰,在40～360 mV/s扫速范围内,氧化峰电流与扫速呈线性关系,表明该电极过程受吸附控制。计算了电极过程的部分动力学参数:反应电子数为2,电极有效面积为0.067 cm2。讨论了修饰剂用量、缓冲液种类、溶液pH值对测定的影响。用方波溶出伏安法对OFL进行测定,在2.5×10-6～2.5×10-4mol.L-1的浓度范围内与氧化峰电流(Ipa)呈线性关系,Ipa(μA)=-1.6148+0.2169c(10-6 mol.L-1),相关系数为0.9951,检出限为1.332×10-7 mol.L-1,回收率为90.40%～101.06%。     

石墨烯/铁氰化钴复合膜修饰玻碳电极同时测定对苯二酚、邻苯二酚和间苯二酚

采用滴涂法和电沉积法制备了石墨烯/铁氰化钴复合膜修饰玻碳电极. 用扫描电镜对该纳米复合膜进行了表征.用循环伏安法研究了对苯二酚(HQ)、邻苯二酚(CT)和间苯二酚(RS)在修饰电极上的电化学行为. 实验结果表明, 相对于裸玻碳电极和石墨烯修饰电极, HQ, CT 和RS 在石墨烯/铁氰化钴修饰电极上的氧化峰电流显著提高. 利用差分脉冲伏安法测定, HQ, CT 和RS 分别在1.0×10^－6～1.5×10^－4 mol/L, 1.0×10^－6～2.0×10^－4 mol/L 和3.5×10^－6～2.5×10^－4 mol/L浓度范围内与氧化峰电流呈良好的线性关系, 相关系数分别为0.991, 0.993 和0.992. 信噪比为3 时, HQ, CT 和RS 检出限分别为2.0×10^－7, 2.1×10^－7 和3.5×10^－7 mol/L. 将该方法用于水样分析, 回收率为95.6%～106.1%.     

双氯芬酸钠在石墨烯和室温离子液体复合修饰电极上的电化学行为及其测定

运用循环伏安法研究了双氯芬酸钠(DS)在石墨烯(Gene)和室温离子液体1-丁基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐(BMIMPF6)复合修饰电极上的电化学行为。DS在该复合电极上于0.65V处有一不可逆氧化峰。在40～200 mV/s范围内,其氧化峰电流与扫描速率平方根(v1/2)呈良好线性关系,表明电极过程是受扩散控制。测定了部分电极过程参数,优化了方波溶出伏安法(SWSV)的实验参数,DS浓度在1.0×10-7～1.0×10-4mol/L范围内与峰电流Ipa呈良好线性关系,检出限为8.0×10-8mol/L(S/N=3),加标回收率为95.7%～101.7%。     

2-氨基酚在离子液体-壳聚糖复合修饰电极上的电化学行为及其测定

本文采用离子液体1-丁基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐(BMIMPF6)和壳聚糖(Chi)作为修饰剂,制备了新型修饰电极BMIMPF6-Chi/GCE,采用该修饰电极研究了2-氨基酚(OAP)的电化学行为,并对其进行了分析检测。实验结果表明,在pH=6.5的PBS缓冲液中,OAP于0.197V处出现一个明显的氧化峰,逆向扫描无还原峰,说明OAP在该电极上的电化学行为是不可逆的。OAP氧化峰电流与扫速的1/2次方在40～280 mV.s-1的范围内呈良好的线性关系,表明该电极过程受扩散控制。在最佳实验条件下,OAP峰电流与其浓度在4.0×10-7～2.0×10-4mol.L-1范围内呈良好的线性关系,Ipa(μA)=-0.534-18.424c(10-4mol.L-1),R=0.999,检出限1.4×10-7mol.L-1(S/N=3),回收率为96.8～103.7%。     

对乙酰氨基酚在纳米金/十二烷基苯磺酸钠修饰电极上的电化学行为研究

基于电化学沉积法制备了纳米金/十二烷基苯磺酸钠修饰玻碳电极(Nano-Au/SDBS/GCE),并采用扫描电子显微镜、X-射线光电子能谱和电化学方法进行表征。研究了对乙酰氨基酚在Nano-Au/SDBS/GCE上的伏安行为,结果表明,对乙酰氨基酚由在裸玻碳电极上的不可逆氧化过程变为准可逆过程,氧化峰峰电位由0.60 V负移至0.50 V,且在0.42 V处产生一个新的还原峰,表明nano-Au/SDBS膜能催化对乙酰氨基酚的电化学反应。在优化条件下,氧化峰峰电流与对乙酰氨基酚浓度在1.0×10-6mol/L～9.0×10-6mol.L–1和1.0×10-5～1.0×10-4mol.L–1间有良好的线性关系,检出限为8.0×10-7mol.L–1(S/N=3)。     

聚中性红/纳米二氧化硅复合修饰电极直接测定抗坏血酸

用滴涂法和电化学聚合法制备了聚中性红/纳米二氧化硅修饰电极(PNR/nano-SiO2/GCE),并用循环伏安法和交流阻抗法研究了修饰电极表面的电化学行为。实验表明,该修饰电极对抗坏血酸(AA)表现出良好的电催化氧化性能,探讨了复合修饰电极协同增效作用的机理。用线性扫描伏安法研究了AA浓度与峰电流之间线性关系,在pH2.0的磷酸盐缓冲溶液中,AA氧化峰电流在1.8×10-6～5.0×10-3mol/L浓度范围内呈良好的线性关系,检出限为5.4×10-7mol/L(S/N=3)。该修饰电极制备简单,可用于药品及果蔬食品中抗坏血酸的直接测定。     

亚硝酸根在纳米金修饰玻碳电极上的电催化氧化行为及其测定

采用直接电化学沉积法制备出纳米金修饰玻碳电极,研究了其对亚硝酸根的电催化氧化作用。结果表明,亚硝酸根在该修饰电极上于0.8 V处出现了一个良好的氧化峰。在最优实验条件下,亚硝酸根的峰电流与其浓度在2×10-6～2×10-3mol/L范围内呈一定的线性关系,检出限为6.0×10-7(S/N=3),提出了用循环伏安法测定亚硝酸根的方法。纳米金修饰电极用于东莞自来水水样中亚硝酸根的测定,回收率在98.1%～101.4%之间。对比本方法,用分光光度法对东莞自来水样中亚硝酸根进行了测定,结果满意。