激光加热基座（LHPG）法生长YVO4晶纤

采用激光加热基座（ＬＨＰＧ）法，用两束ＣＯ２激光加热生长ＹＶＯ４晶纤。源棒直接由Ｙ２Ｏ３－Ｖ２Ｏ３粉末压制、烧结制成。生长的晶纤开始一段是称约５－１０ｍｍ的浅黄色单晶，随着是灰黑色多晶。Ｘ射线结构分析表明，晶纤是ＹＶＯ４化合物，但含有少量Ｙ８Ｖ２Ｏ１７第二相微粒。文中讨论了生长的ＹＶＯ４晶纤中形成多晶段的原因。     

杂质对SnO2纳米小晶粒生长的影响

本文研究了杂质对ＳｎＯ２纳米晶粒生长的影响。结果表明，掺入Ｌｉ２Ｏ有利于ＳｎＯ２晶粒的生长，ＮｉＯ对ＳｎＯ２晶粒的生长没有明显的影响，Ａｌ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、ＺｒＯ２、Ｆｅ２Ｏ３在８００℃以下阻碍ＳｎＯ２晶粒的生长；在更高温度时，杂质相结晶，它们将不再阻碍ＳｎＯ２晶粒的生长。     

陶瓷靶材对铁电薄膜的成分,结构和性能的影响

本文研究了不同烧结温度的陶瓷靶材对溅射所得到的Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３薄膜的成分、结构和性能的影响。结果表明，由１２００℃时烧结的靶所制备的薄膜中ＰｂＯ的含量偏低，而９００℃时的薄膜中ＰｂＯ的含量却大于１；由这两种靶材都获得了结晶性较好的多晶钙钛矿结构，但９００℃时烧结的靶所制备的铁电薄膜的结晶性能更好，具有较好的铁电性能，其典型的矫顽场和剩余极化强度分别为７３．２ｋＶ／ｃｍ和２５．９μＣ／ｃｍ＾２     

ZrO2(Y2O3)团聚状态对ZrO2增韧金刚石-SiC超硬复相陶瓷结构、性能影响

用恒沸水解方法(BH)制备了颗粒度均一(0.1μm)的纳米晶(9nm)2.2mol;Y2O3-ZrO2(以下简称:2.2Y-ZrO2),用化学共沉淀方法(CP)制备了松散团絮状的纳米晶(20nm)2.2Y-ZrO2.对这两类ZrO2粉体增韧SiC中介金刚石超硬复相陶瓷进行了XRD、SEM、及韧性、耐磨性分析测定.结果表明,超高压烧结后,水解法ZrO2在SiC中介相内以均一的粒度(0.1μm)均匀分布,并以100;t相存在,断裂时t→m相变量达38vol;,冲击韧性达16.8J/cm2,磨耗比为5.5×104.而化学沉淀法制备的ZrO2在SiC中介相内呈不均匀粒度分布,t相存量62vol;,断裂过程t→m相变量为17vol;.耐磨性和韧性较低.     

低温化学气相沉积SiC的组成,组织结构及高温稳定性

利用Ｘ射线衍射、Ａｕｇｅｒ能谱、Ｒａｍａｎ光谱、扫描电和透射电等分析手段，对低温（１０００－１３００℃）化学气相沉积ＳｉＣ的化学组成、组织结构及高温稳定性进行了分析。实验结果表明，在本实验的沉积温度范围内，沉积物是由３Ｃ型β－ＳｉＣ和少量４Ｈ型的ａ－Ｓｉｃ组成，无游离Ｓｉ存在，这与高温条件下的实验结果存在明显差异。同时在沉积物的表面还有ＣＬ和Ｓ等吸附吸物等及ＳｉＯ２氧化膜存在。所得到的ＳｉＣ均为１     

一种具有倍频疚的新型硼酸盐化合物La2SrB10O19

在ＳｒＯ－Ｌａ２Ｏ３－Ｂ２Ｏ３体系中合成出一种新的硼酸盐化合物Ｌａ２ＳｒＢ１０Ｏ１９。Ｌａ２ＳｒＢ１０Ｏ１９的晶体结构与Ｌａ２ＣａＢ１０Ｏ１９相同。Ｌａ２ＳｒＢ１０Ｏ１９的粉末倍频效应（ＳＨＧ）大约是ＫＨ２ＰＯ４（ＫＤＰ）的２倍。差热分析结果表明该化合物为非同发熔融化合物,转熔温度约为９８３℃,可以用助熔剂法进行晶体生长。反射光谱研究表明Ｌａ２ＳｒＢ１０Ｏ１９的紫外吸收边在３００ｎｍ左右。     

2,5—二甲基—3,4—二乙酰基—1—（3—硝基苯基）吡咯的合成及晶体 …

在酸性介质中,３,４－二乙酰基－２,５－己二酮与硝基苯胺作用,满意地得到了２,５－二甲基－３,４二乙酰基－１－（硝基苯基）吡咯,用ＩＲ、＾１ＨＮＭＲ、高分辨质谱等对其进行了表征,并用Ｘ射线衍射测定了２,５－二甲基－３,４－二乙酰基－１－（３－硝基苯基）吡咯的晶体结构。该晶体属单斜晶系,Ｐ２１／Ｃ空间群。晶体学数据如下：ａ＝０．９３７５（ａ）ｎｍ,ｂ＝１．２８１４（２）ｎｍ,ｃ＝１．２９８５（１）ｎ     

NaCl晶体中氧族离子稳定的(F+2)H心

描述了掺氧族离子（Ｏ＾２－，Ｓ＾２－，Ｓｅ＾２－）ＮａＣｌ晶体中（Ｆ２＾＋）Ｈ心的制备过程，报道了氧族离子稳定的（Ｆ２＾＋）Ｈ心的吸收光谱和发射光谱，测量了这些（Ｆ２＾＋）Ｈ心的室温避光稳定性。研究表明，氧族离子对Ｆ２＾＋心的稳定作用顺序为Ｏ＾２－〈Ｓｅ＾２－〈Ｓ＾２－，而受这三种离子扰动的（Ｆ２＾＋）Ｈ心的光谱峰位相对于纯Ｆ２＾＋心的移动大小亦为这一顺序。这一顺序与它们相应元素的电子亲合能顺序相     

Sr：BaF2中的F型色心的电子结构及转型及理研究

本文运用嵌入原子簇的电荷自治离散变分方法（ＤＶＭ－Ｘα方法）分别对Ｓｒ：ＢａＦ２晶体中Ｆ,Ｆ＾＋和ＦＡ「Ｓｔ＾２＋」心的能级结构进行了计算,得到了Ｆ,Ｆ＾＋和ＦＡ「Ｓｉ＾２＋」心的光学吸收跃迁模式,其跃迁能量分别是１．９１ｅＶ,１．８９ｅＶ,２．１３ｅＶ。我们认为,经电子辐照后的Ｓｒ：ＢａＦ２晶体,在光吸收实验中测到的６４０ｎｍ（１．９４ｅＶ）,８４０ｎｍ（２．１５ｅＶ）两个峰分别是由于电子辐照过     

利用发射电子法经由热灯丝CVD在Si（100）上合成局域异质外延金刚 …

本文利用发射电子法经由热灯丝ＣＶＤ在Ｓｉ（１００）上获得了局域异质外延金刚石膜。由Ｒａｍａｎ背散射强度（在１３３２ｃｍ＾－１处）旋转角依赖关系表明，金刚石膜与Ｓｉ（１００）的定向关系为ｄｉａ（１００）∥Ｓｉ（１００）和ｄｉａ〔１１０〕∥Ｓｉ〔１１０〕。在金刚石膜的成核阶段，位于衬底和灯丝之间的电极相对于灯丝施加一负偏压，获得的金刚石膜用扫描电镜和Ｒａｍａｎ谱表征。对实验结果进行了简要的讨论。     

半导体激光泵浦非晶态La1—xNdxP5O14的激光特性研究

测量了非晶态五磷酸镧钕（Ｌａ１－ｘＮｄｘＰ５Ｏ１４，ＬＮＰＰ）材料在７９０￣１１００ｎｍ波长范围内的吸收光谱，并对其半导体激光泵浦下的激光特性进行了研究。采用平凹腔（Ｒ＝５０ｍｍ，Ｌ＝４０ｍｍ），输出耦合率为Ｔ＝１％，泵浦光斑半径为１８０μｍ时，其斜效率达３４．６％。其近共心腔时的阈值为２１μＪ。     

多节状SiC晶须的VS生长机理及晶体缺陷分析

本语文以稻壳为原料，对非金属催化剂合成的多节状ＳｉＣ晶须进行了研究，运用ＴＥＭ、ＸＲＤ等分析检测技术，对ＳｉＣｗ的形貌及显微结构进行了分析。研究表明：ＳｉＣｗ 直晶为主，表现粗糙、呈多节状；晶面以β－ＳｉＣ为主要晶型，少量α－ＳｉＣ孪晶、位错、层错等晶体缺陷形式存在。此外，机理研究表明，多主ＳｉＣｗ为ＶＳ生长机理。     

掺Cr^3＋,Tm^3＋,Ho^3＋离子的YAG晶体的光谱性能

作者测试了Ｃｒ＾３＋，Ｔｍ＾３＋和Ｈｏ＾３＋离子在ＹＡＧ晶体中的吸收谱、荧光谱及荧光衰减寿命。计算了Ｃｒ＾３＋向Ｔｍ＾３＋和Ｈｏ＾３＋及Ｔｍ＾向Ｈｏ＾３＋的能量转移效率。在（Ｃｒ，Ｔｍ，Ｈｏ）：ＹＧＡ晶体中由于加入Ｃｒ＾３＋，Ｔｍ＾３＋离了，使Ｈｏ＾３＋离子被敏化、荧光强度增大。（Ｃｒ，Ｔｍ，Ｈｏ）：ＹＡＧ晶体是制作－２μｍ（＾５Ｉ７－＾５Ｉ８）波长激光的优质晶体。     

K2Ln(NO3)5·2H2O(Ln=Pr,Nd)的晶体结构和非线性光学性质

本文采用水溶液中生长晶体的方法合成了ＫＬｎＮ的单晶,研究了ＫＰｒＮ的单晶结构及ＫＬｎＮ的非线性光学性质。ＫＬｎＮ均属正交晶系,Ｆｄｄ２空间群。ＫＰｒＮ的晶胞参数为：ａ＝２．１４１１（３）ｎｍ,ｂ＝１．２２１０（１０）ｎｍ,ｃ＝１．２２０８（２）ｎｍ,Ｚ＝６,Ｒ＝０．０２４０,ＫＬｎＮ（Ｌｎ＝Ｐｒ,Ｎｄ）的二次谐波光强与ＫＬｎＮ处于同样的数量级。     

光学透明陶瓷铝酸镁（MgAl2O4）的制备工艺和性能

本文报导了用金属醇盐法制备主同纯、随细铝酸镁粉末的合成工艺和透明铝酸镁陶瓷的制备工艺，测试了铝酸镁的光学性能、物理和机械性能。结果表明，作为光学材料，透明铝酸鲜具有非常好的机械强度的硬度，有适中的热膨胀系数，在０．３－０．５μｍ波段范围，其透过率不低于８１％，在３－５μｍ波段范围，其透过率达到８７％。     

在H2—CH4—CO2气相系统中沉积金刚石薄膜

研究了在Ｈ２－ＣＨ４－ＣＯ２气相系统中金刚石薄膜的沉积情况。随着ＣＯ２浓度的增大，金刚石薄膜二次成核现象减少，晶体形态趋于完整，薄膜质量变化；随着ＣＯ２、ＣＨ４２的同时增大，金刚石薄膜农渐从完整晶体形态变为菜花状聚晶体，薄膜质量变差；在较高的ＣＨ４（约１５％）、ＣＯ２（约２０％）浓度下，仍可获得昌体形态貌良好的金刚石薄膜；在Ｈ２＿ＣＯ２气相系统中，不能沉积金刚石薄膜。     

光激电流法测量掺锗CZSi中的深能级

用光激电流法研究了Ｇｅ作为杂质掺入到Ｓｉ中可能引入的深能级，发现掺锗量小于或等于１．０ｗｔ％（重量比）时，不会在ＣＺＳｉ中引入与锗有关的深能级；锗的引入硅中点缺陷的深度。     

NaCl（OH）^—）色心激光晶体的单晶生长研究

采用ＮａＣｌ－ＮａＯＨ掺杂，控制晶体中ＯＨ＾－的含量在１０８０ｐｐｍ，排除Ｋ＾＋，Ｌｉ＾＋等杂质离子的影响，调整适当的生长工艺条件，在Ａｒ气氛中用Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ法生长晶体，获得了性质优良的ＮａＣｌ（ＯＨ＾－）单晶，为ＮａＣｌ（ＯＨ＾－）；（Ｆ２＾＋）Ｈ色心激光晶体的制备及激光运转奠定了良好的基础。     

Nd：GdVO4晶体生长及其1064nm的激光特性

本文报道了用Ｇｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ方法生长Ｎｄ：ＧｄＶＯ４晶体,测量了该晶体的偏振吸收谱和荧光谱,表明晶体在８０８．５ｎｍ有吸收峰,其发现波长在１０６４ｎｍ。晶体中掺Ｎｄ浓度的原子分数为１．５６％的Ｎｄ：ＧｄＶＯ４的＾４Ｆ３／２荧光寿命为１００μｓ。用激光二极管泵浦１ｍｍ厚的Ｎｄ：ＧｄＶＯ４晶体,得到了超过１Ｗ１０６４ｎｍ的输出光,泵浦阀值为２０ｍＷ,光－光转换效率为５５．９％,斜效率为６３％。     

熔体生长3,4—二甲氧基,4‘—硝基芪（MOMONS）晶体

首次报道了３，４－二甲氧基，４＇－硝基芪（ＭＯＭＯＮＳ）化合物具有倍频效庆。用粉末法测得其有效倍频系数ｄｅｆｆ为０．２２－３倍ｄＫＤＰ用坩埚下降法生长出ＭＯＭＯＮＳ单晶体，并用直接法解出了的结构。从晶体结构讨论了ＭＯＭＯＮＳ晶体的性能。