抗菌素痢菌净的电化学分析

采用循环伏安法(CV)、差分脉冲伏安法(DPV)和方波伏安法(SWV)在玻碳电极(GCE)上对痢菌净进行了电化学研究.实验表明:在pH=6.6的B-R缓冲底液中,痢菌净在-0.85伏左右有一个明显的可逆氧化还原峰,考察了不同底液及pH值、扫描速度、富集时间和静止时间的影响.DPV法其线性范围为2.0×10-6mol/L～2.0×10-3mol/L,检出限为5.0×10-8 mol/L;SWV法其线性范围为2.0×10-6 mol/L～1.0×10-3 mol/L,检出限为2.0×10-8 mol/L.并对痢菌净的电极反应机理进行了初步探讨,该方法操作简单、灵敏,可用于实际药品测定.     

聚L-甲硫氨酸修饰电极的制备及对尿酸的测定

在pH9.5的磷酸盐缓冲溶液中,利用循环伏安(CV)法制备了聚L-甲硫氨酸修饰玻碳电极(PLMet/GC/CME)。研究了尿酸(UA)在该电极上的电化学行为,建立了伏安法测定UA的新方法。在pH5.0的磷酸缓冲溶液中,扫描速率为200 mV/s,循环扫描电位在-0.3~1.0 V时,UA在PLMet/GC/CME上产生一个灵敏的氧化峰,峰电位位于0.52 V(vs.Ag/AgCl)。用CV法、线性扫描伏安(LSV)法和示差脉冲伏安(DPV)法对UA进行测定,测定的线性范围分别为2.50×10-6~1.00×10-4mol/L、5.00×10-6~1.00×10-4mol/L和8.00×10-7~1.00×10-4mol/L;检出限分别为8.0×10-7mol/L(CV、LSV法)和5.0×10-7mol/L(DPV法)。用LSV法对尿样中的UA进行测定,结果满意。     

甘草苷在玻碳电极上的电化学行为及其测定

在pH 3.00的B-R缓冲溶液中,采用差分脉冲伏安法(DPV)、线性扫描伏安法(LSV)和循环伏安法(CV)研究了甘草苷在玻碳电极上的电化学行为, 建立了测定甘草苷的DPV法。实验结果表明,甘草苷于1.16 V (vs.Ag/AgCl)处产生一个氧化峰,峰电流和甘草苷的浓度在2.00×10-6~3.50×10-5 mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限为8.25×10-7 mol/L。该法用于实际样品甘草、胃康灵和逍遥丸中黄酮含量的测定(以甘草苷为对照品),平均回收率分别为97.1%、98.9%和102.0%。此外对电极反应机理作了初步探讨。     

SDS存在下肌红蛋白在乙炔黑电极上的电化学行为研究

基于十二烷基磺酸钠(SDS)存在下,研究肌红蛋白(Mb)在乙炔黑电极上的电化学行为,建立了一种简便灵敏的肌红蛋白电化学分析方法.采用循环伏安法(CV)和差分脉冲伏安法(DPV)进行分析,SDS能显著提高肌红蛋白在乙炔黑电极上的还原峰电流.在最佳实验条件下,峰电流与肌红蛋白浓度在5.6×10-10 mol/L～2.8×10-7mol/L范围内有良好的线性关系,检出限为4.5×10-10 mol/L.方法用于合成样品中肌红蛋白含量的测定.乙炔黑电极可以作为传感器,用于样品中Mb的舍量测定.     

氨基脲分子印迹电化学传感器的制备及应用

以氨基脲(SEM)为模板分子,邻苯二胺为功能单体,在0.1 mol/L NaAc-HAc缓冲液(pH 5.2)中,通过电聚合法制备分子印迹传感器.采用循环伏安法(CV)、差分脉冲法(DPV)、电化学阻抗谱(EIS)和扫描电镜表征了此分子印迹传感器的识别性能和表面形貌.结果表明,此传感器具有粗糙、多孔的形貌,对SEM具有良好的选择性识别.在0.5 mol/L KCl-0.005 mol/L K3[Fe(CN)6]溶液中,采用DPV方法考察了功能单体与模板分子的摩尔比、模板洗脱剂、洗脱时间和温育时间对传感器响应的影响.优化后的实验条件为:功能单体与模板分子的摩尔比1:2,洗脱液为0.2 mol/L NaOH,洗脱时间15 min,温育时间12 min.在优化的实验条件下,传感器的DPV峰电流差值与SEM的浓度在3.75～ 188 ng/L范围呈良好的线性关系,检出限为1.5 ng/L(S/N=3).将此传感器应用于市售新鲜虾肌肉及受污染虾肌肉中SEM含量测定,加标回收率为80％～97％.     

L-半胱氨酸和镍分层修饰电极的制备及对黄岑苷的测定

利用循环伏安(CV)法制备L-半胱氨酸和Ni分层修饰电极,用扫描电镜和交流阻抗方法对分层修饰电极进行了表征。研究了修饰电极上黄岑苷的电化学行为,建立了差分脉冲伏安(DPV)法测定黄岑苷的新方法。结果表明,在最佳实验条件下,用DPV法测定时,峰电流与黄岑苷浓度在5.0×10-7~1.0×10-5 mol/L和1.0×10-5~1.0×10-4 mol/L范围内呈线性关系,检出限为1.0×10-7 mol/L。该方法可用于药品中黄岑苷的测定。     

呋喃妥因分子印迹电化学传感器的制备及应用

以甲基丙烯酸为功能单体,呋喃妥因为模板分子,马来松香丙烯酸乙二醇酯(EGMRA)为交联剂,在玻碳电极表面制备了呋喃妥因分子印迹膜。采用循环伏安(CV)法、差分脉冲伏安(DPV)法及交流阻抗(EIS)法对印迹膜进行表征。实验表明,DPV法测定的氧化峰电流与呋喃妥因浓度在8.0×10-8~5.0×10-6 mol/L范围内呈良好的线性关系(R=0.9939),检出限为6.5×10-8 mol/L。该传感器用于呋喃妥因肠溶片的测定,其回收率为96.6%~101.6%。     

CdTe量子点标记的DNA电化学传感器的研究

利用碳纳米管和CdTe量子点(QDs)组装的电化学传感器,建立了一种识别DNA的新方法.将氨基修饰的单链DNA探针共价键合固定在带有羧基的碳纳米管修饰的金电极上,然后与CdTe QDs标记的目标DNA进行杂交.利用差分脉冲法(DPV)和循环伏安法对目标DNA的固定和杂交进行表征,通过电活性指示剂柔红霉素(DNR)的DPV峰电流变化,对互补DNA、非互补DNA和单碱基错配DNA序列进行识别.与未标记CdTe QDs的目标DNA相比,标记CdTe QDs的目标DNA序列的电流响应灵敏度明显提高.DNA电化学传感器检测的优化条件:DNR的浓度为1.67×10-5 mol/L,DNA杂交时间为80 min,杂交温度为55 ℃.在1.0×10-13 ～1.0×10-8 mol/L范围,目标DNA浓度的对数值与其响应的DPV信号(还原峰电流)呈线性关系,检出限为3.52×10-14 mol/L(S/N=3,n=9),线性方程为ΔI=50.22+3.567 lgcDNA,相关系数为0.996 6.对1.0×10-10 mol/L的目标DNA样品进行重复测定,相对标准偏差为4.8%(n=5),重复性良好.     

采用纳米金修饰的方法再生碳纤维微电极

采用电沉积法将纳米金(GNP)修饰到毒化的碳纤维电极表面制得再生碳纤维电极,用循环伏安法(CV)和差分脉冲伏安法(DPV)对神经递质在该再生电极上的电化学行为进行了研究。实验结果表明,在20 mmol/L,pH7.2的Tris-HCl缓冲溶液中,再生电极对多巴胺、去甲肾上腺素等神经递质具有良好的电化学响应。对纳米金的电沉积时间进行了优化,在优化条件下,采用DPV法,DA的氧化峰电流与其浓度在5×10~(-7)~1×10~(-4)mol/L范围内呈良好的线性关系,线性相关系数(R~2)为0.9979,检出限为5×10~(-7)mol/L。     

碳纳米管修饰电极检测特丁基对苯二酚

利用碳纳米管修饰玻碳电极(MWCNTs/GCE),对特丁基对苯二酚(TBHQ)进行了检测,采用循环伏安法(CV)和差分脉冲伏安法(DPV)考察了TBHQ在裸电极和修饰电极上的电化学行为。M WCNTs/GCE对TBHQ的氧化具有较好的电催化活性,在修饰电极上的氧化还原峰电位差从261 m V减小到30 m V。在0.10 mol/L磷酸盐缓冲溶液(p H 7.0)中,扫速为50 m V/s时,此修饰电极的DPV响应与TBHQ浓度在2~250μmol/L范围内呈线性关系,检出限为0.1μmol/L(S/N=3)。此修饰电极可应用于食用油中TBHQ的测定,回收率为92.0%~104.0%。