稀土发光材料的研究进展

稀土发光材料已在众多领域获得广泛的应用,并且已成为稀土应用的主要领域之一.本文归纳了白光LED用稀土荧光粉、稀土光转换材料、稀土上转换发光材料、稀土纳米发光材料、真空紫外发光材料、稀土配合物电致发光材料和稀土闪烁体等的研究最新进展,并对未来发展趋势进行了展望.     

高效氟代联蒽类深蓝光材料的合成及OLED性能

为了开发新型多功能的蓝光电致发光材料与器件,设计并合成了一系列氟取代联蒽类材料(BAnFs),通过改变吸电子基团的取代模式,进而调节其光物理性能、热稳定性和能级.以CBP为主体、BAnFs为掺杂的器件表现出高效的深蓝光发光性能,对应的色坐标为CIE (0.15, 0.08),特别是对BAn-(3,5)-CF3器件的电流效率为3.05 cd/A,最大外量子效率(EQE)高达5.02;.同时BAnFs材料可作为高性能的蓝光主体材料,其EQE为3.56;~5.43;.因此,BAnFs可作为新型高性能的多功能蓝光发光材料.     

福建物构所稀土掺杂无序结构晶体材料的光物理研究获进展

稀土掺杂无序结构晶体是一类庞大的发光和激光材料体系,因其优良的光学性能在激光、绿色照明光源、平板显示、生物探针等领域具有广阔用途,但是关于替代无序分布阳离子格位的稀土离子在其中的确切位置对称性长期以来一直存在很大争议,主要原因是实验观测到的稀土离子表现出的光谱学位置对称性远低于单晶X射线衍射确定的结晶学位置对称性。由于稀土离子的发光与所替代的基质阳离子格位有密切     

有机电致发光器件(OLED)的制备方法和工艺

有机发光器件经过40年的发展,特别是在近年,具有理想特性的有机电致发光器件(OLED)成为研究开发的热点.由于OLED具有超轻薄、低成本、低功耗、宽视角、全固化、自发光、驱动电压低(3～12V) 及可实现柔软显示等诸多突出的性能,OLED将成为很有前途的新一代的平板显示技术.本文首先回顾了有机电致发光显示器件的发展历史,对有机材料、发展现状和趋势等都做了简要的概括.然后对当前先进的OLED器件结构、显示的发光机理,特别是对实现全彩显示的方法及制备工艺进行了详细的描述.     

新型功能碳材料的高压截获

高性能功能材料在诸多领域具有广泛的应用前景,是人们一直关注的研究热点。高压可以有效地改变物质的原子间距和成键方式,是获得新型功能材料的重要途径。在碳材料的高压研究中,许多有趣的功能碳材料,如光学透明碳、高强度弹性碳和超硬非晶碳等,已经通过不同的碳前驱体合成。本文简要介绍了作者近年来在低维碳基纳米复合材料高压研究中取得的进展,基于设计的不同低维碳前驱体,高压下截获了具有超硬特性、新型压致共价聚合及发光增强的碳材料。     

红光发射GaN:Eu材料与器件研究进展

第三代宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)以其优异的电学和光学性能受到了产业界和科研界的重视.稀土离子Eu掺杂GaN材料,既具备了稀土元素优异的光学性能,又充分发挥了半导体材料的优势,可用于制备新型红光LED器件.因此,对GaN:Eu材料的制备方法,发光机理及器件研究进展进行了总结,并对其未来发展趋势进行了展望.     

Tb3+掺杂BaO-3SiO2发光材料的制备与发光性质

采用溶胶-凝胶法在室温下制备了稀土Tb3+掺杂的以BaO-3SiO2为基质的发光材料,通过DTA-TG、IR、XRD、SEM、激发和发射光谱图对材料的结构和发光性能进行了研究.DTA-TG测试表明,615℃时材料发生晶型转变;IR光谱显示,材料除形成Si-O-Si键外,主要形成Ba-O-Si和Ba-O键;XRD进一步测试证明,主要形成BaSiO3晶体结构.SEM显示,晶体呈四面体和多面体颗粒结构.激发和发射光谱图显示,Tb3+在BaO-3SiO2基质中的掺杂量为2.50mol;,退火温度为800℃,即材料主要以BaSiO3晶体存在时发光最好.即在544nm监测波长下,测得的最佳激发波长为紫外光248 nm,即在248 nm光激发下,材料发射强度高、单色性好的绿光.     

新型稀土无机荧光体Sr2CeO4的合成研究进展

Sr2CeO4既是一种有重要应用价值的新型蓝色荧光体,也是一种性能优异的稀土无机发光基质材料.本文结合自己的研究,综述了制备Sr2CeO4的主要方法的研究现状,并提出今后合成研究的设想.     

稀土卤化物/离子液体软发光材料的合成及其发光性能研究

利用[Bmim][Br]为溶剂,合成了新型稀土发光软材料Ce:[Bmim][LaBr4]/[Bmim][Br]([Bmim][Br]=1-丁基-3-甲基咪唑溴),探讨了温度、原料配比等因素对稀土配合物Ce:[Bmim][LaBr4]合成的影响.室温下测量了Ce:[Bmim][LaBr4]/[Bmim][Br]的光致发光光谱、光致发射衰减时间、X射线激发发射光谱等,结果表明:在320 nm紫外光激发下,350～450 nm的区间内有两个发射峰,发射峰的峰值分别位于377 nm和406 nm,其光致发射衰减时间为10 ns和31 ns,并且X射线激发下,具有较宽的发射光谱.     

Eu2+,Dy3+共激活铝酸锶发光材料长余辉发光机理探讨

文章探讨了Eu2+,Dy3+共激活铝酸锶发光材料长余辉发光机理.认为在Eu2+激活的铝酸锶发光材料中,被激发的电子与空穴的重新结合产生了发光(荧光)现象;在热扰动作用下陷入到陷阱中的电子和空穴的释放并重新结合过程是长余辉发光的根源;Dy3+掺杂到Eu2+激活的铝酸锶发光材料中创造了合适深度的电子陷阱与空穴陷阱,使得这种发光材料具有更强和更长的余辉发光.     

福建物构所光致变色材料研究获进展

<正>光电子的发展,是信息时代技术建立的基础,覆盖了信息产业的所有功能。非线性光学(NLO)材料是光电子技术中的重要材料,包括光开关、光通信、光信息存储、光计算机、激光技术等。近三十年来,激光、遥感、超大规模集成电路等高精尖新技术的飞速发展,急需新型信息存储与无损读取和显示材料与之相匹配。     

2015年《人工晶体学报》征订启事

《人工晶体学报》是由中材人工晶体研究院有限公司主办,是国内唯一一本专门刊登人工晶体材料这一高新技术领域研究热点的国际性刊物。它以论文和简报等形式报道我国在晶体材料、半导体材料、超导材料、红外材料、发光材料、     

《人工晶体学报》征稿简则

《人工晶体学报》(Journal of Synthetic Crystals)是由中材人工晶体研究院主办、我国专门刊登人工晶体材料这一高新技术领域研究成果的学术性刊物。主要报道我国在人工晶体材料、半导体材料、发光材料、新能源材料(太阳能电池材料、镍氢电池材料、锂离子电池材料、燃料电池材料等)、纳米材料、薄     

2015年《人工晶体学报》征订启事

《人工晶体学报》是由中材人工晶体研究院有限公司主办,是国内唯一一本专门刊登人工晶体材料这一高新技术领域研究热点的国际性刊物。它以论文和简报等形式报道我国在晶体材料、半导体材料、超导材料、红外材料、发光材料、新能源材料、太阳能电池材料、锂离子电池材料、固体氧化物燃料电池材料、纳米材料、超硬材料和和高技术陶瓷在理     

SiO2对Eu3+∶ZnO1-xSx红色发光材料的影响

采用溶胶凝胶-沉淀法,制备了掺杂Eu3+的ZnO1-xSx-SiO2发光材料,通过红外光谱、XRD、TEM、EDS以及激发光谱、发射光谱研究了材料的结构与发光性能,重点研究了SiO2的引入对发光材料发光性能的影响.结果 表明:材料中主要存在Si-O-Si键、Zn-S键和Si-O4基团,引入SiO2能改善材料的发光性能.并确定材料制备时最佳退火温度为800℃,当材料中S的含量为2.4at;,材料的最佳激发波长为395 nm.最后依据结构解释了材料的发光机理.     

掺铕铽钨酸锶荧光粉的制备与发光性质分析

通过化学共沉淀法制备了Sr0.95WO4∶xEu3+∶(0.05-x)Tb3+荧光粉.采用X射线粉末衍射仪、扫描电子显微镜和荧光光谱仪对样品材料的结构、形貌和发光性能进行了表征.分别讨论了在不同反应温度下及稀土离子Eu3+和Tb3+共掺比例变化对荧光粉的发光性能和形貌的影响.结果表明:所得SrWO4∶xEu3+∶(0.05-x)Tb3样品是由无规则棒组成的发光材料,它们在800℃时,发光性能最好;样品在223 nm紫外光的激发下,在543 nm和614 nm处,呈现出两个主要发光中心,分别归属于5D4→7F5和5D0→7F2跃迁,说明稀土离子Eu3+和Tb3具有良好的发光性能,同时随着Eu3和Tb3+掺杂比例的改变,荧光体的发光色度也在不断改变.     

上转换激光和上转换发光材料的研究进展

本文简单介绍了上转换材料的大致发展历史和形成上转换发光的4种机理。综述了上转换激光和发光材料的一些体系，并就基质材料，敏化发光以及单一波长和双波长泵浦对发光的影响进行了进一步探讨。     

稀土杂质对LaF3晶体本征热释光的影响

本文对纯净ＬａＦ３晶体及掺有０．１ｍｏｌ％稀土杂质的ＬａＦ３晶体进行了１８－２９０Ｋ热释光谱的测量和讨论。在所有样品中都预测到了位于２５０－４５０ｎｍ的本征发光峰，一次发光在７０－９０Ｋ，另一次在１２０－１３５Ｋ。峰温度与热激活能均与所掺的稀土杂质的离子半径有关。第一次发生主要为单纯的本征发光，第二次主要为受稀土杂质扰动的本征发光。     

中国科学院上海光学精密机械研究所

<正>激光与光电子材料研究发展中心中国科学院上海光学精密机械研究所激光与光电子材料研究发展中心从事晶体材料研究已有40多年的历史,研究方向主要包括:激光晶体、宽禁带半导体衬底晶体、大尺寸蓝宝石晶体、新型发光勺闪烁晶体、光学及光电功能晶体材料等。目前,中心可以提供的主要产品包括:1.激光晶体Ti:Al2O3,Nd:YLF,Nd:YAG,Cr:YAG,Nd:YVO4,Nd,GGG,Yb.YAG,Yb:GSO等;2.高温超导薄膜基片MgO,LaAlO3,SrTiO3,LAST,NdGaO3,YSZ等,3.磁性薄膜与铁电薄膜基片     

中红外氟化物激光晶体的生长和性能优化研究

中红外激光晶体材料作为激光技术核心增益材料之一,在军事光电对抗、激光医疗、卫星遥感、环境监测、基础科学等领域具有非常重要的应用.本文介绍了近年来在中红外氟化物激光晶体材料中,关于晶体生长、光学性能优化以及中红外激光性能等方面的研究工作,特别是在中红外光学性能优化调控方面,主要介绍基于稀土能级耦合的相互作用,有效抑制发光离子的自终止效应,以及为发光离子提供有效泵浦通道.