场致发光显示

1.引言 虽然今天对场致发光显示器件很感兴趣,然而在过去几年里,对它的重视程度是有过很大起落的。早在1937年,Destriau在磷光体粉末上进行了实验,发现直接施加电场可以产生发光。遗憾的是,在科学     

单泡声致发光过程的等离子体描述

对单泡声致发光过程采用等离子体描述,考虑了各种等离子体输运过程,假设了声致发光的轫致辐射机制,数值模拟的结果与实验很好地吻合,有力地支持了声致发光的热转向的解释,预言了声致发光中可能出现的极端电现象,对各物理量时空剖面的分析表明,强电场的出现中能产生的Ｒａｙｌｅｉｇｈ－Ｔａｙｌｏｒ不稳定性有制约作用,这可能是声致发光约１０＾１２能量汇集的原因之一。     

阴极射线致发光形貌术──一种研究晶体缺陷的新工具

一、引 言 固体发光根据其不同的激发方法,分为光致发光、场致发光、阴极射线致发光、化学发光、摩擦发光、辐射发光等.阴极射线致发光就是高速运动的电子打在稠密的物质上而发出光的现象.1879年,Crookes[1]首先应用阴极射线致发光现象观察多种矿物.自此以后,一个相当长时期,这     

《国外信息显示》一九七二年分类目录

期页一、场致发光显示器件和材料: 粉末状氧化铝的场致发光127 Cdse单晶的双注入、负阻效应和场致发光磷光体场致发光129 SrS一Cu,Eu磷光体场致发光的磷光现象132 延长场致发光屏寿命的几种方法一136 稀土激活的ZnS粉末的直流场致发光27 稳定的低压场致发光屏210 对未来场致发光平板电视的设计考虑214 直流控制的固体X光图象转换器425 场致发光理论(一)415 场致发光理论(二)31 场致发光理论(三)614 由于声电不稳定性引起的ZnS低压场致发光56 场致发光层的高温固化对其亮度的影响510 磁场对ZnS一Cu场致发光粉结构和光学性质的影响512 …     

第六章 电致发光材料

电致发光材料是一种在电场激发下发光的物质。电致发光现象不是由“效应”就是由“Destriau效应”引起的。 在第一种情况下,电致发光是在“注入到晶体”中的电荷作用下产生的。1923年在碳化硅上首先观察到了电场下固体物质的这种类型的发光。     

埸致发光

将一种发光材枓置于两个平行的平板电极间(其中一个电极必需是透明的),在两个电极上加上电压就能发出光来的现象称为场致发光。图1为场致发光的示意图。早在1923年,     

动态报导

一种新的低压场致 发光层的制备方法 苏联Светотехника杂志1973年第4期报导了一种新的低压场致发光层的制备方法,内容如下: 在工业中广泛采用的场致发光层的制备方法是喷敷法和浇敷法,用这两种办法可以制备出很均匀的屏,但是厚度较厚20—70微米。这一点就决定了在电压40—60伏,频率400—1000赫芝时,场致发光指示器的亮度很低。利用新的办法制备场致发光层,也就是被我们称为汲取的方法,能提高指示器的     

在ZnS场致发光磷光体形成过程中Cu_2S相的作用

硫化锌磷光体的场致发光性能是因为在这些磷光体中有第二相——硫化铜的存在,这一推测到目前为止,无论从间接的或是直接的方面都得到了证实。在制备ZnS场致发光磷光体的过程中形成Cu_2S,现在已是无可争议的事实。可是Cu_2S参与ZnS磷光体场致发光激发过程的性质还不太清楚。 磷光体中这个相的含量和它对场致发光的作用之间的关系等有关资料可能对查明Cu_2S在场致发光磷光体中的作用有促进作     

在反向偏压下肖特基二极管的场致发光

在半导体上用金属整流接触所构成的肖特基二极管,在反向偏压下可有场致发光。作者用硒化锌作了详细的实验,以阐明它的工作机理。电子从金属隧道进入半导体,在耗尽层场中被加速,然后通过在导带内产生辐射跃迁或者碰撞离化,碰撞激发发光中心而发光。 导带内热电子跃迁引起的发光能够给出关于带结构的数据,而这些数据用其他方法是难于得到的。这种发光过程可望制成有较快的上升和下降时间的场致发光二极管,虽然其效率比较低。 发光中心的碰撞离化可以通过倍增测量来研究,其结果与场致发光测量密切相关。本文提出了一种简单的碰撞激发场致发光理论,由此引伸的碰撞离化,已得到证实。这个理论对用作光源的二极管的有关过程和性能,作了定量的描述。 已经用ZnSe制成了在适当电压和电流下用于显示的具有足够光输出的发光二极管。对于用其他材料的有关的工作也进行了描述。     

新的场致发光显示屏

在现代电子设备中对信息显示器件的需求日益迫切。这种需要包括从数字显示器直到全标度图表显示。传统的显示器件是阴极射线管,或许还附带,例如,机械电气数字指示器。虽然阴极射线管在显示的尺寸和灵活性方面还没有受到挑战,但在电子设备中固体电路日益普及已使人们感到它很苯重而且工作电压很高等缺点。可以直接用固体电路驱动的平板组件(flat—pack)是非常可取的。这种显示器件之一就是场致发光屏。 1907年,马可尼有限公司的H.J.Round首先报导了场致发光现象,当时是用碳化硅晶体作无线电检波实验。但是这一现象一直没有被充分研究,直到二十年代,当时Lossev开始对这一现象进行了     

对未来场致发光平板电视的设计考虑

从平板场致发光显示整个系统的各个方面看来,制作场致发光电视屏是可能的。这种考虑的基础是采用大面积薄膜晶体管矩阵组成的寻址和驱动线路,把它直接蒸着在场致发光层的背面上。低压直流的场致发光最为理想,而为实现这一点,提出一种Ⅱ—Ⅳ族多晶异质结新原理(半势垒注入场致发光)。不过,现行的交流场致发光也可使用,但有待得到某些改进。     

《国外信息显示》一九七三年分类目录

一无机发光材料的一般问题: 发射光谱 余辉测量 光和颜色的测量 国外无机晶体发光研究概况 发光材料的能带结构 体效应场致发光 一种联合的发光中心 等电子陷阱二场致发光显示器件和材料: CdS:Cu粉末磷光体直流场致发光(DCEL)性质的研究 利用场致发光屏作发光天棚的可能性 粉末场致发光屏亮度的测量 粉末材料EL效率的测量 n一班族化合物粉末的直流场致发光 ZnS薄膜场致发光 粉末场致发光应用现状 薄膜PC一EL夹层型象加强器 碱卤晶体的场致发光简讯:一种硫化镐场致发光器件 ZnS:TbF3薄膜的直流场致发光 Mn注入的ZnS薄膜场致发光元件…     

近期外文资料索引

一、发光的一般问题: 对发光材料的光学和电学性质的研究 A D 778 413 某些n一VI族化合物的禁带宽度与温度的关系同前1974,(12)53含氧化锌发光材料的直流场致发光板日本特许74 011796高分辨率场致发光X射线象转换器日本特许74 01179734(12)Phys.Chem.Solids.,1973, 2167了 489二、场致发光:ZnS。.。S。。.‘晶体中的绿色场致发光Appl.Phys。Lett.,1974 25(9) 参加场致发光过程的陷阱光谱 J .Lumineseenee,19749(2)156 晶体光致发光和场致发光磷光体 PWN,1974,164 5.(波) 稀土场致发光溶液 美国专利3835345 介质与场致发光亮度/温度…     

“国外发光与电光”一九七四年分类目录

一固体发光的一般问题: 固体发光简介 发光材料的光谱特征(1) 制备荧光纯硫化锌原料的一种新方法 发光材料的光谱特征(2) 光度学简介 东芝磷光体 简讯: 用高压烧结法制备磷光体,51一5583一8753一5977一8786一9415一231 2 3 3 56二场致发光材料和器件: 场致发光的应用和固体显示前景 硫化锌和有关化合物的直流场致发光 直流场致发光材料与平板电视显示技术 场致发光磷光体 场致发光Zns: Er“ 薄膜的激发机理 固体X射线图象转换器 新的场致发光显示屏 场致发光体悬浮浓的电泳沉积 粉末材料的场致发光(1) 简讯: 关于场致发光器件的讨论 ZnS:…     

稳定的低压场致发光屏

在各种不同的技术领域中,作为指示器及光源用的场致发光屏,为了得到所需的亮度,一般都用较高的交流电压(100—220伏)激发。参考资料[1—3]指出了利用各种有机粘合剂制备在较低电压下有几十个尼特亮度的场致发光屏的可能性。但是这些场致发光屏的稳定性很差(特别是用细的场致发光粉时),并且在连续工作时亮度急剧下降。只有采用稳定过的细的荧光粉,情况才比较好。本文研究了解决这个问题的另一种途径,即利用玻璃介质制备稳定的低压场致发光屏。     

《国外信息显示》1971年分类目录

(一)综述期页 光电转换技术的最新动态1 34一39 台式计算机的显示装置328一31代侵越美军用微光器件及红外器件,46一7 图象通信48一18 显示器件的进展和各种显示设备的现状630一35 彩色电视基色的选定61一21 显示的意义及新的显示技术81一2 (二)显示方式 1。场致发光显示 场致发光显示器件工作电路的进展2‘27一28 值流场致发光光源3 47一49 场致发光层的电泳涂敷方法丫韶一30 具有隧道注入阴极的葱场致发光盒818一19 场致发光矩阵扫描装置的改进8 35一37 场致发光Z巧:Mn、Cu、Cl薄膜对道角脉冲激发的响应925一28 含澳加荆的慈的绿色场致发…     

近期外文资料索引

一发光的一般问肠对n一U族化合物的电子自旋共振的研究 ,\D 760803I一VI族化合物中的本征缺陷 AD 771797Yvo。、YAso‘、YpO;中稀土离子在激发 态的多声子弛豫 AD 772194测量在77和50OK之间发光的衰减时间的荧 光计 Nouv.Rev.Opt.,一973,4(2),57.36个字母的直流场致发光字符显小器 一973 SID,p30.多晶硫化锌驻极体的场致发光闪光 袱flC。,1973,19(4)641.ZnS:Mn薄膜自发与刺激场致发光理沦 水3T中,1973,(1)371。场致发光装置 日本专利72,27594。 二场致发光对老化的Z。S(Cu,CI)场致发光粉中浅陷 阱的研究 C .R。Aead。Bulg.Sc…     

ZnSe中Er~(3+)的光致发光和场致发光光谱比较

本文比较了 ZnSe中 Er~(3+)的光致发光和场致发光光谱。并确认,各种发射位置起源不同。对场致发光已观测到两种类型的希土位置,而光致发光却有六种。讨论了各种位置的缺陷结构。     

碱卤晶体的场致发光

碱卤晶体的场致发光只是最近才被确定下来和进行了研究(1、2)。这种现象对于研究表面势垒、强电场中的注入以及导电性差的材料中的输运过程都是有意义的,这些现象的解释还不完全,理论基础还没有最终建立起来(3、4)。如果利用大于10~(-4)伏·厘米~(-1)的交变场,那么不需辅加的放大就能很容易地用光电倍增管把发光记录下来。在液氮或更低的温度下可以观测到NaI、KI、RbI、     

近期外文资料索引

一、发光的一般问题一九七三年塞格德(匈)发光会议 Aeta Phys.et ehem,Szeged,1973, 19(4)P。321一459。晶体发光粉及其应用 BeeTR。AH CCCP。1974.4,112 一1 14。判定稀土磷光体中的辐射与无辐射过程 J .Eleetroehem.Soe.1974,121 (3),950。直流激发的场致发光粉末材料 英国专利1357420场致发光器件用的磷光粉一激活的磷光体上 镀有一层无阴离子金属 英国专利1353143二、场致发光场致发光材料和显示器的最新进展 European Conferenee on Eleetro- teehnies EUROCON,74.D呈gest, 22一26,April,74。掺稀土离子的场致发光ZnS薄膜…