Sol—Gel法和微波辐射法合成亚纳米级Zn2SiO4：Mn^2＋,Er^3＋高效绿色 …

用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法和微小法合成了亚纳米级Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ＾２＋,Ｅｒ＾３＋高效绿色荧光体,考究了Ｍｎ＾２＋单掺和Ｅｒ＾３＋敏化的荧光体的发光,探讨了掺杂浓度对发光性质的影响,发交Ｅｒ＾３＋可有效敏化Ｍｎ＾２＋的发光。ＳＥＭ表明Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ＾２＋,Ｅｒ＾３＋的粒度约为１５０～３５０ｎｍ。     

纳米(Y0.95Eu0.05)2O3及其SiO2气凝胶介孔组装体的制备与光致发光

采用尿素溶胶法合成（Ｙ０．９５Ｅｕ０．０５）２Ｏ３纳米粉,用超临界干燥技术制备了ｎ－（Ｙ０．９５Ｅｕ０．０５）２Ｏ３／ＳｉＯ２气凝胶介孔组装体。结果表明,当Ｙ＾３＋：Ｅｕ＾３＋＝２０：１,均相反应时间为４ｈ,且经６８０℃、４ｈ灼烧热处理后得到的ｎ－（Ｙ０．９５Ｅｕ０．０５）２Ｏ３中,光致发光强度最大（发光峰位于６１２ｎｍ）,以Ｓｉ与２Ｙ摩尔比为１：７的ｎ－（Ｙ０．９５Ｅｕ０．０５）２Ｏ３／ＳｉＯ２气凝胶介孔组装体,经同样条件热６１６ｎｍ）。对产生上述发光强度减弱和峰位红移现象进行讨论。     

含ZnS∶Mn~(2+)纳米晶玻璃中Mn~(2+)三种格位态的EPR研究

通过对ＺｎＳ∶Ｍｎ２＋ 不同含量的钠硼硅玻璃发光和激发光谱测量， 发现Ｍｎ 离子可能占据替位（Ｍｎ２＋ ）Ｓｕｂ 和间隙（Ｍｎ２＋ ）ｉｎｔ两种格位． 进一步的电子顺磁共振（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐａｒａｍ ａｇｎｅｔｉｃＲｅｓｏｎａｎｃｅ， ＥＰＲ）实验证实了这一判断， 并从ＥＰＲ谱确认（Ｍｎ２＋ ）Ｓｕｂ， （Ｍｎ２＋ ）ｉｎｔ和Ｍｎ 团三种格位态的存在． 观测到ｇ 因子和超精细结构（ＨＦＳ）常数随纳米晶粒径的减小而增大． 这可能是由于量子限域效应下ＺｎＳ的ｓｐ３ 和Ｍｎ 的３ｄ５ 电子态杂化和表面态所引起的．     

ZnAl_2O_4∶Cr~(3 )晶体~4 A_2基态ZFS及其三角晶格畸变研究

用对角化哈密顿矩阵的方法,借助Ｎｅｗ ｍａｎ 晶场叠加模型,研究了ＺｎＡｌ２Ｏ４∶Ｃｒ３ ＋ 晶体的基态零场分裂（ＺＦＳ） 及其电子光谱,理论结果与实验一致．定量研究表明,掺杂晶体ＺｎＡｌ２Ｏ４∶Ｃｒ３ ＋ 中,络离子（ＣｒＯ６）９ － 局域结构应有压缩的三角畸变（Δθ＝ ３ ．０６°） ．同时指出,自旋二重态对４ Ａ２ 基态ＺＦＳ参量ｂ０２ 的贡献不可忽略,而对ｇ 因子的贡献甚微．     

非晶纳米发光材料(Y,Eu)_2O_3-SiO_2发射光谱的分析研究

ＥＸＡＦＳ测定表明ｓｏｌ－ｇｅｌ方法制备的纳米非晶（Ｙ，Ｅｕ）２Ｏ３－ＳｉＯ２发光材料中，发光中心Ｅｕ３＋的局域环境和晶态Ｘ２型Ｙ２ＳｉＯ５Ｅｕ中Ｅｕ３＋离子的局域环境相似．以此结构为依据，用Ｍ．Ｆ．Ｒｅｉｄ的方案计算了晶场迭加模型中的能级参数及光谱强度参数，并得到了与实验结果基本一致的理论光谱图     

MAl2O4：Eu^2＋,RE^3＋,长余辉发光性质的研究

研究鳞石英结构碱土铝酸盐ＭＡｌ２Ｏ４：Ｅｕ＾２＋,ＲＥ＾＋（Ｍ＝Ｍｇ,Ｃａ,Ｓｒ,Ｂａ：ＲＥ＝Ｙ,Ｌａ,Ｃｅ,Ｐｒ,Ｎｄ,Ｓｍ,Ｇｄ,Ｔｂ,Ｄｙ,Ｈｏ,Ｅｒ,Ｔｂ,Ｄｙ,Ｈｏ,Ｅｒ,Ｔｍ,Ｙｍ,Ｙｂ,Ｌｕ）的荧光及长余辉发光性质。其发光由Ｅｕ＾２＋的４ｆ－５ｄ跃迁产生。ＲＥ＾３＋作为辅助激离子,提供合适的陷阱能级。即使用ＲＥ＾３＋的特性波长激发,在ＭＡｌ２Ｏ４：Ｅｕ＾３＋的发光中也观察不到ＲＥ＾３     

全色等离子体平板显示器用发光材料

本文介绍全色等离子体平板显示器目前水平，对真空紫外辐射激发荧光粉的要求，迄今使用的两种红色荧光粉ＢＯ：Ｅｕ和Ｙ２Ｏ３：Ｅｕ，两种绿色荧光粉Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ和ＢａＡｌ１２Ｏ１９：Ｍｎ，及蓝色荧光粉ＢａＭｇＡｌ１４Ｏ２３：Ｅｕ＾２－的晶体结构和发光特性。     

溶胶-凝胶法制备掺Er~(3+)玻璃及其光谱性质

本文描述了用溶胶－凝胶法制备掺Ｅｒ３＋的ＳｉＯ２干凝胶和玻璃，用差热分析（ＤＴＡ）和ＦＴＩＲ研究了干凝胶和玻璃的性质，测定了掺Ｅｒ３＋凝胶和玻璃的吸收光谱和荧光光谱。     

掺稀土离子的CaS：Bi荧光粉的发光性质

采用固相反应法合成了单掺和双掺稀土离子Ｔｍ３＋、Ｅｒ３＋的ＣａＳ：Ｂｉ荧光粉，测定了试样的荧光光谱和有效余辉。与ＣａＳ：Ｂｉ相比，掺入Ｔｍ３＋、Ｅｒ３＋的荧光粉，Ｂｉ３＋特征发射峰４４７ｎｍ增强，有效余辉延长。表明Ｔｍ３＋、Ｅｒ３＋对Ｂｉ３＋在ＣａＳ中的发光产生了敏化作用，Ｔｍ３＋、Ｅｒ３＋在基质晶格中造成了缺隙深能级，讨论了Ｔｍ３＋、Ｅｒ３＋对ＣａＳ：Ｂｉ发光敏化作用的大小和在基质中造成缺隙能级。的深浅。     

Ca3MgSi2O8中Ce3+的光谱及其晶体学格位

本文合成了发射蓝紫色光的镁硅钙石Ｃａ３ＭｇＳｉ２Ｏ８：Ｃｅ＾３＋荧光体。测试了该荧光体的激发和发射光谱。利用这些光谱结果和Ｖａｍ Ｕｉｔｅｒｔ经验公式,结合对Ｃａ３ＭｇＳｉ２Ｏ８晶体的结构研究,确认Ｃａ３ＭｇＳｉ２Ｏ３：Ｃｅ＾３＋中存在两种性质有差异的Ｃｅ＾３＋发光中心,它们分别占据基质中的两种八配位的钙格位。     

稀土离子Eu3+掺杂Y2SiO5晶体的光谱和结构研究

用５１４．５ｎｍ、４８８．０ｎｍ的Ａｒ＾＋激光和４４１．６ｎｍ的Ｈｅ－Ｃｄ激光激发Ｅｕ＾２＋：Ｙ２ＳｉＯ５晶体的获得了一系列窄带荧光谱线,其中双重谱线结构源于Ｅｕ３＾＋离子发光中在该材料中占据两种不等价的非对称光学格位,测得了Ｅｕ＾３＋：Ｙ２ＳｉＯ５的Ｘ射线多晶衍射谱的面间距数据;计算了晶格常数和晶在角度,通过和非掺杂Ｙ２ＳｉＯ５晶体数据的比较,探讨了Ｅｕ＾２＋和Ｙ２ＳｉＯ５格位的相互影响。     

发光体Mg_2Y_（8－x－y）（SiO_4）_6O_2：Eu_x~（3＋），B

采用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ方法首次在比较低的温度下制备了具有氧磷灰石结构的发光体Ｍｇ２Ｙ８－ｘ－ｙ（ＳｉＯ４）６Ｏ２：Ｅｕ，Ｂｉ（ｘ，ｙ≥０），利用ＸＲＤ、ＩＲ、ＴＧ－ＤＴＡ三种手段研究了发光体的形成过程。室温（２９３Ｋ）和液氮温度（７７Ｋ）的荧光光谱表明Ｅｕ３＋和Ｂｉ３＋在这种基质中分别发射红光和蓝光，每ｍｏｌ基质中其最佳掺杂浓度分别为０．１４ｍｏｌ和０．０３ｍｏｌ，并且其发光都存在温度猝灭。Ｅｕ３＋的激光感生荧光光谱中存在两条５Ｄ０－７Ｆ０跃迁线，表明Ｅｕ３＋同时进入４ｆ格位和６ｈ格位。在Ｅｕ３＋、Ｂｉ３＋共掺杂的发光体中，观察到了Ｂｉ３＋→Ｅ３＋的部分能量传递。     

纳米晶体ZnS∶Mn~(2 )发光寿命异常减缩机理的探讨

纳米晶体ＺｎＳ∶Ｍｎ２＋中Ｍｎ２＋粒子４Ｔ１→６Ａ１的发光寿命比晶体减缩了５个量级，这颇令人费解，因为通常解除自旋禁戒的磁作用远无如此强的效应．假定基质态的自旋不为零，且考虑了Ｍｎ２＋的ｄ电子和基质之间的交换库仑作用．若基质存在比Ｍｎ２＋的４Ｔ１激发态能量略高的某种激发态，则这种交换库仑作用将导致这两种激发态之间的混合，从而可解除发光能级弛豫中的自旋禁戒．这种混合随基质颗粒尺寸的减小而加强．我们并对此机制进行粗略的数值估计，给出了和实验相容的结果．     

SrAl2O4：Eu^2＋,Dy^3＋荧光材料的发光性质

我们在本文中制作了五种不同ＳｒＡｌ２Ｏ４：Ｅｕ＾２＋和Ｄｙ＾３＋的样品。样品分别是ＳｒＡｌ２Ｏ４基质的α相和β相的粉末和片状样品,以及单晶样品。我们对所有样品进行了形貌的ＳＥＭ研究。我们还对α相和β相粉末样品及片状样品以及α相单晶样品的荧光发射谱进行了测量。它们的荧光发射的中心波长为５２０ｎｍ,对应于ＳｒＡｌ２Ｏ４基质中的Ｅｕ＾２＋的４ｆ＾６５ｄ＾１的＾２ｅｇ激发态到４ｆ＾７的＾８Ｓ７／２的跃迁发     

Ca8Mg(SiO4)4Cl2中Ce3+和Eu2+的光谱性质和能量传递

首次合成了Ｃｅ＾３＋和Ｅｕ＾２＋共激活氯硅酸镁钙Ｃａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２：Ｃｅ＾３＋，Ｅｕ＾２＋高效绿色荧光粉，报道了它们的漫反射光谱、激发和发射光，观察到氯硅酸镁钙中Ｃｅ＾３＋ Ｅｕ＾２＋     

掺杂对铁黄合成过程及铁黄形态的影响

针对碱法铁黄制备过程，研究了掺杂Ｃｒ（ＮＯ３）３，ＺｎＳＯ４，ＭｇＳＯ４，ＭｎＳＯ４、Ｎａ２ＳｉＯ３，分散剂和柠檬酸钠等对铁黄形态和合成过程的影响。研究结果表明，掺杂不但可以改变铁黄粒子的形貌和过程速率，而且部分阳离子会进入晶格导致铁黄粒子结构变化，表现在铁黄粒子的晶胞常数的变化和热特性变化等方面。     

ZnS∶TM(TM=Mn,Cu)纳米微粒的光学性质研究

采用溶胶凝胶法合成ＺｎＳ∶ＴＭ（ＴＭ＝ Ｍｎ, Ｃｕ）水溶胶, 研究了它们的光学性质． 通过吸收光谱计算得到微粒的尺寸约为３～４ｎｍ ． 光致发射光谱中给出了所对应掺杂中心的发射带, 其能量来源于基质ＺｎＳ的吸收． 通过旋涂法制备了ＺｎＳ∶Ｃｕ 纳米微粒ＥＬ器件, 测定了其启动电压和耐压值以及ＥＬ光谱强度与电压的关系, 初步探讨了可能的发光机理     

发光体Mg2Y8—x—y（SiO4）6O2：Eux^3^＋,Biy^3^＋的形成过程及发光…

采用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ方法首次在比较低的温度下制氧磷灰石结构的发光体Ｍｇ２Ｙ８－ｘ－ｙ（ＳｉＯ４）６Ｏ２：Ｅｕｘ＾３＾＋，Ｂｉｙ＾３＾＋（ｘ，ｙ≥０），利用ＸＲＤ，ＩＲ，ＴＧ－ＤＴＡ三种手段研究了发光体的形成过程。室温（２９３Ｋ）和液氮温度（７７Ｋ）的荧光光谱表明Ｅｕ＾３＾＋和Ｂｉ＾３＾＋在这种基质中分别发射红光和蓝光，每ｍｏｌ基质中其最佳掺杂浓度分别为０．１４ｍｏｌ和０．０３ｍｏｌ，并且其发光都存在     

Ba^2＋对卤磷酸盐掺Eu^2＋荧光粉辐照特性的影响

在国家同步辐射实验室的时间分辨光谱站（Ｕ１０Ｂ光束线）研究掺杂Ｅｕ２＋的卤磷酸盐：（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）５（ＰＯ４）３ＣｌＥｕ２＋样品和（Ｃａ，Ｓｒ）５（ＰＯ４）３ＣｌＥｕ２＋的真空紫外辐照特性、反射光谱．前者在１８５ｎｍ光的激发下，６０分钟内没有观察到明显的发光强度下降；而后者在１８５ｎｍ光的激发下，１５分钟内就可以观察到其４５０ｎｍ发光的明显变化，从强到弱，直至完全消失．测量了两种样品的反射谱（１００ｎｍ至４００ｎｍ），并根据Ｋ－Ｋ关系计算得出的吸收谱，我们认为：由于Ｂａ２＋的加入，改变了晶格对称性，（Ｏ）－色心的能级发生变化，晶体对１８５ｎｍ附近紫外光的吸收明显降低，从而起到了耐１８５ｎｍ辐照的作用     

ZnS∶Tb薄膜电致发光的量子效率及过热电子分布

采用高频溅射的方法制备了高亮度的ＺｎＳ∶Ｔｂ薄膜电致发光器件．测量了发射强度比Ｉ（５Ｄ３－７Ｆ６）／Ｉ（５Ｄ４－７Ｆ４）随激发电压的变化关系、弛豫时间及发光的量子效率，计算了碰撞截面，分析ＺｎＳ∶Ｔｂ的过热电子的分布，并与ＺｎＳ∶Ｍｎ进行了比较．指出了ＺｎＳ∶Ｔｂ效率与ＺｎＳ∶Ｍｎ效率差异的可能原因．