Ag纳米颗粒表面等离子体共振增强DSSC电池的制备及性能研究

使用水热法制备了一系列不同含量Ag纳米颗粒掺杂的Ag-TiO2复合光阳极的染料敏化太阳能电池,同时,研究了不同含量Ag纳米颗粒掺杂对染料敏化太阳能电池的结构和性能的影响.实验结果表明：Ag的掺入增强了吸附在Ag-TiO2复合光阳极上的染料对光的吸收,显著地提高了对应电池的短路电流.在Ag掺入量为0.20%的时候,对应的电池具有最佳的性能,其短路电流为10.66mA/cm2,开路电压Voc为697mV,光电转换效率为5.59%,显著优于纯TiO2光阳极电池的效率.其性能的改善主要归因于掺入Ag纳米颗粒的表面等离子体共振吸收效应使电池光阳极对光的吸收增强所致.     

基于传输开关理论的电流型CMOS模糊控制表查询电路

针对硬件实现模糊控制表查询电路存在结构复杂、用数字式设计困难等问题,提出了将模糊控制表转换为多值K图,在此基础上结合传输开关理论采用电流型CMOS设计模糊控制表查询电路的方法,并用此方法具体设计了一个5元素-论域的电流型CMOS模糊控制表查询电路.通过对设计实例的PSPICE仿真,表明本文提出的设计方法简单易行,设计的电流型CMOS查询电路具有结构简单和高速推理的优点.     

基于硅双结色敏器件的光功率补偿算法

提出了一种用硅双结色敏器件自动测量光波长和功率时精确修正功率误差的方法．根据两个结的光谱响应曲线，利用补偿算法确定各个波长下每个结的短路电流在光功率计算中的权重；并利用两个结的电流比计算光的波长，根据波长确定的响应度、权重和短路电流，最后算出光功率．整个数据拟合、计算过程均用Mathematica4软件进行，数值分析的结果表明利用补偿算法可以使光功率测量的误差降低1％～5％，并使误差在光谱两端减少发散。     

高效单晶硅太阳电池的结构分析与设计

完成了对目前光电转换效率最高的商品单晶硅太阳电池的结构分析,并结合其结构特点得到了影响转换效率的关键因素.完成了全背电极太阳电池的版图设计,采用高少子寿命硅材料,进行了多项工艺实验,发现绒面制作前的硅片表面预处理条件对短路电流值有重要影响,预处理时间的不同造成短路电流值有显著差别.     

外延层质量与恒流器体特性关系的研究

目前国内外普遍采用水平沟道结构制造CRD(Current Regulator Diode)即在P型硅衬底上,外延生长3～5μm,电阻率为1～2Ω.cm的一个n型薄层,然后硼扩散在外延层上制作顶栅,底栅结是由n型外延层和P型衬底构成,参图1.为了减小导通电阻,在顶栅扩散后光刻 .源、漏接触窗口,通过浓磷扩散形成n~+区最后制作欧姆接触电极.工艺中关键是外延层生长和顶栅结制备.     

基于Pipelined结构的电流型CMOS模数转换器电路设计

低功耗设计在当前超大规模集成电路中越来越重要.以电流信号为转换对象,利用电流传输理论,结合电流型CMOS电路设计技术,设计了8位基于Pipelined结构的ADC电路.结果表明,利用电流型CMOS电路可方便地实现电流信号的加减与放大运算,避免了使用传统Pipelined电路结构中的运算放大器电路,因此电路结构简单,可显著降低电路的功耗,提高转换速度,计算机仿真结果表明,电路功能正确.     

阈算术代数系统及电流型CMOS电路设计

根据电流信号易于实现算术运算的特点,定义了阈算术运算、非负运算和阈算术函数,提出了和图为阈算术函数的图形表示,从而建立了阈算术代数系统.并通过具体的电流型CMOS电路的设计实例,阐述了算术意义明确的电流型电路设计方法及基于和图的电流型电路设计方法,实现了阈算术代数在二值电流型CMOS电路中的应用.计算机模拟结果表明,所设计的电路具有正确的逻辑.提出的阈算术代数系统为电流型电路的设计提供了一种新的简单有效的方法.     

模2~n剩余类环上线性变换的异或线性分支数

异或线性分支数是衡量分组密码扩散结构的扩散性能的一个重要指标,它对分组密码抵抗线性密码分析的能力有重要的影响.二元域上的非线性变换也常用作分组密码的扩散结构,本文给出了此类扩散结构的异或线性分支数的一个定义及其与分组密码抗线性逼近攻击能力的关系,证明了以模2n剩余类环上的线性变换为扩散结构的异或线性分支数等于将其奇系数换成1、偶系数换成0且将模2n加换成模2加所得的二元域上线性变换的异或线性分支数,从而将这类扩散结构的异或线性分支数归结为二元域上线性变换的异或线性分支数.     

一种可调式恒流源的特性分析

本文对一种含CRD的恒流电路进行了具体的讨论,从而导出电流稳定性参数的基本表示式。文中所作的分析和计算表明:该电路具有输出电流大,稳定性高,结构简单和调节方便等优点。可以期望,它将为恒流源的低温度系数问题提供一种新的解决途径。     

DH400型恒流模块的工作原理和特性

本文介绍了根据反馈调整原理研制的一种大电流恒流器件.它采用模块结构，输出电流可达1 0A.测试结果表明:它具有优良的电性能，同时具有体积小、功率损耗低等优点.该项研究为大电流恒流源的获得开辟了一条有效而简便的途径. 本文介绍了根据反馈调整原理研制的一种大电流恒流器件.它采用模块结构，输出电流可达1 0A.测试结果表明:它具有优良的电性能，同时具有体积小、功率损耗低等优点.该项研究为大电流恒流源的获得开辟了一条有效而简便的途径.     

表面复合速度和结深对硅扩散n十-p 结太阳电池性能的影响

假设扩散区的杂质分布为高斯分布,本文给出了扩散n~+-P结太阳电池扩散n~+区少子连续性方程一个形式简单的解。在此基础上对若干实例进行了计算和分析,以研究表面复合速度和结深对太阳电池性能的影响。 本文指出,为使太阳电池有高的收集效率,必须把表面复合速度控制在10~4cm/s以下。除了表面复合速度以外,也研究了杂质分布引起的内建漂移场对光生少子在表面复合的影响。内建漂移场与结深有关。本文指出,与较高的漂移场相应的浅结更有利于削弱光生少子在表面的复合。     

介孔网络电路

用二次阳极氧化法制备纳米多孔氧化铝板,然后用磁控溅射方式在纳米多孔氧化铝板表面镀金得到介孔网络电路,对该介孔网络电路进行输运测量,发现其具有非线性电阻.     

基于传输开关理论的电流型CMOS模糊控制表查询电路法

针对硬件实现模糊控制表查询电路存在结构复杂、用数字式设计困难等问题,提出了将模糊控制表转换为多值K图,在此基础上结合传输开关理论采用电流型CMOS设计模糊控制表查询电路的方法．并用此方法具体设计了一个5元素论域的电流型CMOS模糊控制表查询电路．通过对设计实例的PSPICE仿真,表明本文提出的设计方法简单易行,设计的电流型CMOS查询电路具有结构简单和高速推理的优点。     

短时间内Pt-SPE气敏电极上CO氧化电流的衰退研究Ⅰ.Pt表面氧化深度的影响

对短时间内Ｐｔ－ＳＰＥ气敏电极上ＣＯ氧化电流的衰退现象的研究表明，Ｐｔ表面无ＣＯ吸附态情况下，衰退主要与电极阳极极化后Ｐｔ表面氧化程度加深有关；采用动电势扫描法可使电极对ＣＯ氧化的催化活性基本恢复，但随着电极的进一步极化，衰退仍会继续．     

基于忆阻器的SIMON轮函数电路设计

忆阻器由磁通量、电荷、电压、电流之间关系对称性推导得出, 被认为是继电阻、电容、电感之后的第四大无源元件, 具有记忆功能和非易失性等特点. 通过对忆阻器工作原理和电路模型的研究, 提出了基于忆阻器的SIMON轮函数电路设计方案. 该方案首先分析忆阻器模型结构和SIMON算法, 设计基于忆阻器的与、或、非门电路; 并在此基础上实现基于忆阻器的SIMON轮函数电路, 利用忆阻器的非易失性特性实现断点记忆功能; 最后在Cadence Virtuoso环境下, 仿真验证所设计电路的断电保存功能. 与传统CMOS电路比较, 基于忆阻器的SIMON轮函数电路减少了27.8%的元器件数量, 低功耗特性明显.     

基于RTD的新型D锁存器设计

共振隧穿二极管（RTD）作为一种较成熟的量子器件,具有独特的负内阻特性,由RTD组成的单双稳态转换逻辑单元（MOBILE）能够很好地利用该特性进行数字电路设计.基于MOBILE,设计了一种新的RTD输出控制电路.该电路的优点是将RTD的正向和反向电流电压特性相结合,无须使用面积较大的三端器件,电路设计较便捷.采用RTD输出控制电路和HEMT器件,设计了一种新的D锁存器.该D锁存器采用高电平偏置电压,不仅可使MOBILE获得需要的高电平触发方式,而且电路具有自锁特性.HSPICE仿真实验证明,该D锁存器不仅电路结构简单,而且功耗低、速度快.     

基于可控阈开关的电路设计

本文讨论了可控阀开关的三种应用。建立了实现阈值控制电路的开关运算,设计了三值电流型ＣＭＯＳ施密特电路。在利用电流求和信号并引入阈值控制技术后,设计了具有简单结构的ＥＣＬ全加器。ＰＳＰＩＣＥ模拟证明了所设计的电路具有正确的功能和理想的特性。     

用MOS 结构同时测定少子复合寿命和产生寿命

本文报道了一种能同时确定半导体体内少子复合寿命和半导体表层空间电荷区少子产生寿命的实验技术。在处于强反型的MOS电容器上加一矩形脉冲,使其变为平带状态。此时,反型少子将注入半导体体内,并在那里复合。当脉冲结束时,尚未复合的反型少子被扫回半导体表面,MOS结构则进入深耗尽态。此后,在不变的栅压下,通过空间电荷区的少子产生,MOS结构将逐渐弛豫回到加脉冲前的强反型态。本文指出,由前一过程可确定少子复合寿命,而由后一过程可确定产生寿命,文中并分析讨论了界面态对测量结果的影响。