溴碘化银T-颗粒乳剂晶体的表面形貌研究

用原子力显微镜研究了T-颗粒卤化银晶体、掺杂有浅电子陷阱掺杂剂K₄[Ru(CN)₆]的掺杂乳剂晶体、经硫加金化学增感后的掺杂乳剂晶体的表面形貌以及曝光后表面形貌的变化.观察结果表明,T-颗粒晶体表面存在很多突起,经曝光后这些突起高度增加,更集中.掺入浅电子陷阱掺杂剂K₄[Ru(CN)₆]后,T-颗粒晶体对光更敏感,曝光后表面突起高度的增加幅度大于未掺杂乳剂光照后表面高度的变化.同时硫增感剂对表面突起的分布也有很大的影响.     

溴碘化银T-颗粒晶体中的电子和空穴行为研究

利用Wagner极化法研究了掺杂K₄[Fe(CN)₆]浅电子陷阱掺杂剂的溴碘化银T 颗粒晶体的电子电导率和空穴电导率,并与未掺杂的晶体样品进行对比,分别考察了实验温度、掺杂剂用量、掺杂位置等因素对实验结果的影响.结果表明,随掺杂剂用量的增加,晶体的电子电导率和空穴电导率都相应增加,这说明浅电子陷阱掺杂剂的掺杂有效地抑制了电子和空穴的复合.但其抑制作用却因掺杂位置的不同而不同,当掺杂量一定,掺杂剂掺在碘区附近时,晶体的电子电导率和空穴电导率的变化较明显.随着实验温度的增加,乳剂晶体的电子电导率和空穴电导率都下降.     

[Fe(CN)6]4-在溴碘化银T-颗粒乳剂中的掺杂

本文研究了K₄[Fe(CN)₆]掺杂对溴碘化银T-颗粒乳剂感光性能的影响.结果表明,掺杂剂的掺杂量以及掺杂位置对乳剂的感光性能都有影响.K₄[Fe(CN)₆]的掺杂量在每克乳剂31×10^-9-31×10^-11mol之间时,乳剂感光度都有提高.最佳掺杂量为每克乳剂31×10-10mol.掺杂位置接近表面时效果相对较好,表明K₄[Fe(CN)₆]是浅电子陷阱掺杂剂.当掺杂剂的掺杂量大于每克乳剂31×10^-8mol,且掺杂位置在乳剂颗粒较深内部时,乳剂的感光度反而下降.     

改善高氯卤化银乳剂的高照度性能

本实验制备了高氯卤化银立方体系列乳剂和高氯卤化银(100)晶面T颗粒乳剂,对高氯卤化银立方体乳剂进行了不同种类掺杂剂的掺杂试验.通过测定以上各乳剂在常规曝光和高照度曝光下的照相性能,表明了在高氯卤化银乳剂中掺杂碘化物、掺杂铱络合物和掺杂浅电子陷阱掺杂剂都可以不同程度地改善乳剂的高照度性能,几种改进措施的结合效果更好.     

掺杂剂对聚乙炔性质影响的理论研究

以多烯烃模拟聚乙炔链,用CNDO/2方法讨论了各种掺杂剂对聚乙炔性质的影响,掺杂剂使孤子宽度收缩变窄,且p型掺杂剂比n型掺杂剂的影响更大,掺杂剂影响聚乙炔链中的电荷密度波,使电荷主要集中分布于掺杂剂附近的碳原子上。掺杂碱金属时,掺杂剂原子的最高占据轨道与聚乙炔中孤子自旋轨道之间的作用由Li到K依次增强,解释了ESR实验结果。     

K4[Ru(CN)6]对T-颗粒溴碘化银乳剂感光性能及光电子寿命影响的研究

本文研究了K₄[Ru(CN)₆]掺杂剂对T-颗粒溴碘化银乳剂感光性能以及光电子寿命的影响,研究结果表明,掺杂剂的掺杂量、掺杂位置以及在乳剂颗粒内部的分布区域对乳剂的感光性能都有影响.掺杂位置接近表面或接近颗粒几何核心时效果明显,掺杂位置接近富碘区域时,乳剂的感光度变化不明显或是下降.掺杂位置决定了掺杂剂的最佳用量,在66%—92%位置掺杂时,感光度提高最为显著.与未掺杂乳剂相比,最佳掺杂位置和最佳掺杂量乳剂的自由光电子与浅束缚光电子的寿命都有所延长.     

内部增感的核壳乳剂制备及应用

本文制备了一种内部增感的核壳乳剂,其核经增感到一定程度后,表面形成堆积银原子作为空隙陷阱。该乳剂与表敏乳剂混合后,可提高感光度、反差和最大密度,本文研究了内增感乳剂制备过程影响因素,并对混合体系作用机理进行了初步探讨。     

掺杂剂对聚乙炔中电荷密度波的影响

用CNDO／2方法研究了各种掺杂剂对聚乙炔中电荷密度波的影响，在掺杂剂附近的碳原子上出现较大的电荷密度，且p型比n型掺杂剂的影响更大，讨论了电荷波与导电性的关系。     

硫增感AgBr I T颗粒乳剂光电子行为研究

本文利用微波吸收相敏检测技术,同时获得了硫增感AgBrIT颗粒乳剂,在不同增感条件下自由光电子和浅俘获光电子的时间衰减曲线,分析了不同的硫增感产物的陷阱效应.结果表明:开始时,增感产物起电子陷阱作用,至45 min时,浅电子陷阱作用最佳.如增感时间进一步增加,硫增感产物将变为深电子陷阱.本文还讨论了浅电子陷阱中浅俘获光电子衰减时间与阱深的依存关系.     

掺杂PEDOT：PSS空穴传输层在钙钛矿太阳能电池中的应用

钙钛矿太阳能电池(PSCs)因易于制备、生产成本低和能量转换效率高而受到广泛关注。聚乙撑二氧噻吩-聚(苯乙烯磺酸盐)(PEDOT∶PSS)由于具有易低温加工、透光度高和适宜空穴迁移率等特点而成为PSCs中空穴传输层的研究热点。本文简述了倒置PSCs的结构及工作原理,重点介绍了掺杂PEDOT∶PSS空穴传输层在PSCs领域的研究现状。分别从有机化合物掺杂剂、无机化合物掺杂剂和表面活性剂掺杂剂三个类别概述了掺杂PEDOT∶PSS空穴传输层对PSCs性能的影响。最后,对该领域存在的问题提出潜在措施以改善PEDOT∶PSS掺杂层在PSCs中的应用。     

新型中空卤化银颗粒乳剂的制备和性能研究V.中空卤化银T颗粒乳剂的制备和性能研究

８０ 年代以来,许多新型的卤化银微晶已在新开发的各种高质量感光材料中得到应用．近十年来在国内外文献中又出现新型中空卤化银微晶制备方法的报道．本文着重研究一种表面有许多小孔及凹坑的中空卤化银Ｔ颗粒的制备方法和感光性能．由于其独特的孔洞结构,使位错、缺陷增加,填隙银离子浓度增加和电子陷阱增多,潜影形成效率提高,从而达到提高乳剂感光性能的目的．     

新型中空卤化银颗粒乳剂的制备和性能研究 Ⅲ.中空卤化银颗粒乳剂感光性能的研究

本文应用表面显影、Dember效应、化学成熟、光谱增感等方法,对照实心立方体溴化银乳剂研究了中空卤化银微晶的结构与光物理性质及感光性能的关系。实验结果表明:(1)中空卤化银的潜影在孔洞处优先形成;(2)中空卤化银微晶中位错、缺陷较多,其填隙银离子浓度较大,电子陷阱较多;(3)中空颗粒表面反应活性高,感光度高,光谱增感效果好;(4)中空颗粒乳剂其反差较大,最大密度较高;(5)上述结果均可归因于中空卤化银微晶所特有的孔洞结构。     

卤化银感光乳剂的光致电子顺磁共振信号强度与成熟时间的关系

本文发现含染料的溴化银模型乳剂在g=2.0023下的光致ESR信号强度随化学成熟时间的增长而增强,与光敏度的变化呈平行关系。这一现象与文献中报道的^[1]在实用乳剂上得出的结果恰恰相反。假设化学敏化产物在潜影形成过程中既能作为电子陷阱,又能作为空穴陷阱,可以解释这种差异。     

染料增感AgBr乳剂的光电子衰减动力学研究

本工作利用微波吸收薄膜介电谱测量技术,测量了菁染料光谱增感后的AgBr晶体乳剂在脉冲激光曝光后产生的光电子衰减时间特性,分析了不同类型的染料及其增感条件对材料光电子时间特性的影响关系.通过比较增感后的T 颗粒乳剂和立方体乳剂的光电子衰减特性,实验验证了吸附在T 颗粒(111)晶面上的染料比吸附在立方体(100)晶面上的染料更有效、更有助于形成潜影的论据.     

用计算机模拟技术研究潜影形成机理 Ⅲ.化学增感对潜影形成的作用

继前文的潜影形成模型,对化学增感乳剂进行了计算机模拟研究。结果如下:(1)硫增感引入大的浅陷阱,可增加敏度与改善低照互易律失效;其空穴陷阱的作用则不是很有效。(2)金增感除了减小可显影中心的尺寸和增加抗氧化能力外,还应有另外的增感机理。Ag₂经金强化可以部分地转化为可显影中心。(3)还原增感斑与尺寸相同的曝光产生的银斑性质相同,曝光时大部分还原增感斑被破坏掉了,只有极少数有机会长大。还原增感斑的两个重要作用:提高了形成潜影的概率;消耗空穴或光解溴,使颗粒中的净剩电子增多。二者对潜影形成都有重要贡献。     

金属离子对溴碘化银乳剂微晶体的掺杂效应 Ⅲ.Cu2+的掺杂

在本工作中,用电镜法、介电损耗法和微波光导法研究了铜离子的掺杂对于卤化银乳剂微晶体的掺杂效应。试验结果表明,铜离子的掺杂使卤化银乳剂微晶体的颗粒变小,使微晶体的介电损耗峰向高频方向稍微移动0.3对数单位。使微晶体的光电导急剧地降低。实验证明,铜离子吸附在卤化银乳剂微晶体的表面,起着深电子陷阱的作用,是导致铜离子的掺杂使乳剂的感光度降低的主要原因。     

4-羟基-6-甲基-1,3,3a,7-四氮茚对以苯并三氮唑银为银源的PTG材料感光性能的影响

本文以水性聚乙烯醇(PVA)为粘合剂,原位法合成的AgBr或AgBrI为光敏元,考察了4-羟基-6-甲基-1,3,3a,7-四氮茚钠盐(NaTAI)对以苯并三氮唑银为银源的PTG材料感光性能的影响.实验结果表明:NaTAI对PTG材料具有增感作用,其增感程度随着NaTAI用量的不同而改变,并且感光度升高的同时,灰雾没有明显升高.通过Dember光电压衰减测量,并结合对PTG材料乳液pH值和pAg值的测定以及紫外可见吸收光谱分析,引入NaTAI可以延长光电子寿命,有利于提高潜影形成效率,从而提高感光度.     

荧光读取多层CD光盘(CDLROM)的研制原理

本文研究了在卤化银光敏层的基础上构建多层CD盘的原理,研制了将影像中的银转化为产生荧光产物的方法,从而在应用荧光读取信息时可极大地提高其信噪比.研究后作者得出结论,传统的卤化银照相术能在制造多层光盘CDLROM中得到应用.     

纳米科技的发展对卤化银技术进步的影响

纳米科技和纳米材料在过去的十几年得到了迅速的发展,并将继续发展并渗透到各个领域,给世界和人类生活带来不可估量的影响.“纳米技术”真的是一个新的概念 ?事实上,某些材料的制备和使用早已经涉及了这个长度范围.卤化银照相技术就是“老”的纳米技术之一.在早期,从事卤化银照相的人们凭经验和有限的能力控制材料的某些结构在纳米级范畴.随着纳米科学的发展,纳米技术在卤化银照相领域的使用走过了从无意识到有目的的过程,促进了照相科学的发展.本论文将结合卤化银技术在 21世纪的发展趋势,从三个方面 (在纳米级研究卤化银照相、卤化银微晶上的纳米结构、纳米卤化银微粒)探讨纳米科学对卤化银技术进步的影响.     

卤化银微晶体的光电子行为

卤化银乳剂微晶体的光电子行为是影响照相感光度的重要因素,本文就光电子研究方法、光电子衰减、电子陷阱、本征与外来带电中心对光电子衰减与寿命的影响以及光电子行为与其它物理性质的关系等方面加以综述.