Zn∶Fe∶LiNbO_3晶体四波混频效应的研究

报道了一种新掺杂铌酸锂晶体Ｚｎ∶Ｆｅ∶ＬｉＮｂＯ３，它具有优良的光折变四波混频性能，位相共轭反射率可达１００％。且与Ｆｅ∶ＬｉＮｂＯ３相比，抗光散射能力强，响应速度快。本文通过对高掺ＺｎＯ后晶体的抗光损伤能力和光电导值的测试分析，讨论了Ｚｎ∶Ｆｅ∶ＬｉＮｂＯ３晶体抗光散射和响应速度提高的机理。     

m线法研究掺杂LiNbO_3晶体波导基片的光损伤

采用ｍ线法研究了掺杂ＬｉＮｂＯ３晶体波导基片的光损伤，发现抗光损伤能力依次为Ｍｇ：ＬｉＮｂＯ３、ＬｉＮｂＯ３、Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３（氧化），Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３（还原）。对于同样材料，质子交换光波导的抗光损伤能力高于钛扩散光波导。     

Zn：LiNbO3晶体倍频性能的研究

在ＬｉＮｂＯ３晶体中掺入ＺｎＯ，生长ＺｎＯ：ＬｉＮｂＯ３晶体，当ＺｎＯ的掺入浓度高于６ｍｏｌ％时，晶体的抗光损伤能力提高两个数量级，与高掺Ｍｇｏ相似。Ｚｎ：ＬｉＮｂＯ３的倍频转换效率可达５０％左右，高于Ｍｇ；ＬｉＮｂＯ３。本文对Ｚｎ：ＬｉＮｂＯ３晶体中Ｚｎ＾２＋离子占痊以及抗光损伤增强机理进行了初步探讨。     

Zn∶LiNbO_3晶体倍频性能的研究

在ＬｉＮｂＯ３晶体中掺入ＺｎＯ，生长ＺｎＯ∶ＬｉＮｂＯ３晶体，当ＺｎＯ的掺入浓度高于６ｍｏｌ％时，晶体的抗光损伤能力提高两个数量级，与高掺ＭｇＯ（＞４．６ｍｏｌ％）相似。Ｚｎ∶ＬｉＮｂＯ３的倍频转换效率可达５０％左右，高于Ｍｇ∶ＬｉＮｂＯ３。本文对Ｚｎ∶ＬｉＮｂＯ３晶体中Ｚｎ２＋离子占位以及抗光损伤增强机理进行了初步探讨     

In:Fe:LiNbO3晶体的全息存储性能研究

在ＬｉＮｂＯ３中掺进Ｉｎ２Ｏ３和Ｆｅ２Ｏ３用恰克拉斯基法生长ｎ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体,测试表明,Ｉｎ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体抗光致散射能力高,响应速度快,存储保存时间长。研究了Ｉｎ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体全息存储性能的机理,测得的衍射效率最大值为７３％。     

Ce：Fe：LiNbO3晶体光衍射效应的研究

减小Ｃｅ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶片的厚度，扩大泵浦光束直径，时由光爬行应晶体产生衍射自增强。单光束辐照Ｃｅ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体时，出现变偏振现象等各向异性自衍射。本文对上述现象的形成机理进行了探讨。     

1000幅数字图像的晶体体全息存储与恢复

利用Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３光折变晶体和角度多重方法，在晶体人的一个公共体积内实现了１０００多幅数字图像的存储与重建。由于同时采用差分编码与纠错编码，因而系统抗噪能力细，误码率低。整个同计算机控制，自动化程度高。     

c向切割LiNbO3:Fe晶体薄片中的四波混频各向异性光散射

报道了在ｃ向切割ＬｉＮｂＯ₃：Ｆｅ晶体薄片的前向光散射中观察到的一种新的类似鸭蛋形的各向异性衍射光环图样，并且提出了由入射光、强的背向散射光而引起的四波混频各向异性光散射机制，圆满地解释了有关实验结果。 关键词：     

光色效应双掺杂(Fe,Mn):LiNbO3的光折变全息存储

采用双掺杂（Ｆｅ,Ｍｎ）：ＬｉＮｂＯ３晶体实现了光色效应光折变全息,实验上着重研究了不同氧化／还原状态晶体全息存储性能,结果表明,只有晶体具有较高的氧化程度才能实现全息的长期存储,与理论分析一致。     

体全息存储系统中光折变晶体动态范围的理论研究

基于晶体中线性偏振波的耦合波理论以及光折变效应的能带传输模型，求出了体全息存储系统中光折变晶体动态范围的解析表达式。以ＬｉＮｂＯ３：Ｆｅ和ＢａＴｉＯ３晶体为例，讨论了读写光束与晶体作用的几何结构形式，晶体掺杂量大小及其氧化还原状态等因素对动态范围的影响。研究发现，对两种晶体来说，掺杂浓度越大，氧化程度越深，则可获得的动态范围越大。     

在LiNbO_3∶Fe晶体中写入与存储圆形和环形波导

在光生伏打、自散焦光折变介质ＬｉＮｂＯ３∶Ｆｅ晶体中写入并存储了圆形与环形波导，并观察到了环形波导之间的相互作用．这种写入波导的方法和技术具有良好的应用前景．     

实时图像反转与实时图像高低通滤波

报道了以Ｃｅ，Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３薄晶体作记录介质，利用Ｔｉ，Ｃｕ：ＫＮＳＢＮ晶体猫式自泵浦位相共轭镜供反向读出光新型实时光学处理器，该处理器可以实现图像反转，图像高，低通滤滤等操作。文中还给出了基于全息记录与擦除、自衍射与尺寸效应等的机理解释。     

Fe：BSO晶体的缺陷能级及光折变效应的研究

在硅酸铋（Ｂｉ１２ＳｉＯ２０，ＢＳＯ）晶体中掺入少量Ｆｅ２Ｏ３，生长出Ｆｅ：ＢＳＯ晶体，由于Ｆｅ杂质在ＢＳＯ晶体禁带中造成了一些缺陷能级，使得晶体的衍射效率和四波混频位于共轭反射率等光折变性能指标有较大提高，文中根据吸收光谱，初步确定了晶体中缺陷能级。     

InvFevLiNbO_3晶体的全息存储性能研究

在 Ｌｉ Ｎｂ Ｏ３ 中掺进 Ｉｎ２ Ｏ３ 和 Ｆｅ２ Ｏ３ 用恰克拉斯基（ Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ）法生长 Ｉｎｖ Ｆｅｖ Ｌｉ Ｎｂ Ｏ３ 晶体。测试表明， Ｉｎｖ Ｆｅｖ Ｌｉ Ｎｂ Ｏ３ 晶体抗光致散射能力高， 响应速度快， 存储保存时间长。研究了 Ｉｎｖ Ｆｅｖ Ｌｉ Ｎｂ Ｏ３ 晶体全息存储性能的机理， 测得的衍射效率最大值为 ７３％ 。     

用有效折射率／有限元法设计1．55μmTi：LiNbO_3单模条波导及其方向耦合器

应用有效折射率／有限元法（ＥＩ－ＦＥＭ），考虑到ＬｉＮｂＯ３晶体和Ｔｉ扩散的各向异性，折射率增量与寻常光、非寻常光及波长色散的关系，设计了１．５５μｍ光波长下工作的ｚ切ｙ传播Ｔｉ：ＬｉＮｂＯ３单模条波导的制备参数，计算和分析了其单模特性、模式场分布及其变化规律．扩展了ＥＩ－ＦＥＭ，将其用于求解耦合波导系统，确定了方向耦合器的耦合长度及其波长色散特性．     

ZnO：LiNbO3质子交换光波导层内应变的测定

报道了利用Ｘ射线双晶衍射法精确确定ＺｎＯ：ＬｉＮｂＯ３质子交换光波导的晶格常数变化，结果表明，波导层内含有均匀分布的三维应变场，晶格常数的变化随着波导取向的不同而呈现各向异性特点。     

光折变Fe:LiNbO3晶体中质子与热激发电子之间的竞争

研究了Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体的光折变性能随晶体温度变化的动态性质,实验结果显示,质子与热激发电子之间存在着强烈的竞争,在较低的温度下（低于１２０℃）,在晶体光折变响应时间内,质子对晶体的光折变性能的很小,而电子的热激发速率Ｂ随晶体温度的变化将是影响晶体光折变性能的主要因素;而在较高温度时（高于１２０℃）,质子地迁移率的增大而开始显著地影响晶体的光折变性能。     

Fe：KNbO3光折变晶体温度效应研究

介绍Ｆｅ：ＫＮｂＯ３光折变晶体温度效应（２９０～３８０Ｋ）的实验研究，分别给出了在不同实验配置下的两波耦合和特殊切割晶体的自泵相位共轭的测量结果。     

利用猫式自泵浦位相共轭镜的光学联想存储器

报道了以快速响应（１５０ｍｓ），成像质量高（分辨率＞５０ｐｌ／ｍｍ）的１６°切掺铜钾钠铌酸锶钡（Ｃｕ：ＫＮＳＢＮ）晶体猫式自泵浦位相共轭境作为取阈反馈器件，以低吸收薄晶体Ｃｅ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３作为存储介质的光学全息联想存储器，利用２５％原信息寻址，可得出完整的联想输出．     

利用Fe：LiNbO3晶体的多波混频实时实现并行图象相减运算

我们在研究Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体的多波混频基础上，把ｍａｃｈ－Ｚｅｈｎｄｅｒ光路和相位共轭反射镜结合起来，建立了一个并行实时图象相减和逻辑“异或”操作系统．这种光学运算系统有着不受Ｍａｃｈ－Ｚｅｈｎｄｅｒ光路各臂长差和光路中介质扰动等影响的优点．这为光学信息处理提供了一条重要的实时途径．