用KF助熔剂生长尺寸β—BaB2O4晶体

本文首次报告使用ＫＦ助熔剂生长大尺寸优质β－ＢａＢ２Ｏ４（ＢＢＯ）晶体的研究结果。适合的生长条件为；熔质与熔剂摩尔百分比为ＢａＢ２Ｏ４：ＫＦ在６６：３４到７０：３０范围内，籽晶方向平行ｃ轴；晶体转速０－１５ｒ／ｍｉｎ；生长周期为１２０天。     

Bix（PrGdYb）3—x（FeAl）5O12晶体薄膜的助熔剂液相外延生长

本文介绍了采用助熔剂法和液相外延技术生长单晶薄膜的工艺技术。使用这种方法生长出了Ｂｉｘ（ＰｒＧｄＹｂ）３－ｘ（ＦｅＡｌ）５Ｏ１２磁光晶体薄膜，并测试了薄膜的磁光性能。     

助熔剂法生长片状硼酸铁单晶及其磁光性能

本文采用助熔剂法，从Ｆｅ２Ｏ３－Ｂ２Ｏ３－ｐｂＯ／ＰｂＦ２系统中生长出片状弱铁磁性ＦｅＢＯ３晶体。用磁光调制倍频法测出ＦｅＢＯ３单晶在可见光区的法拉第旋转谱，并用分光光度计测出该晶体的光吸收谱，得出表征材料磁光性能的优值与波长的关系，并对ＦｅＢＯ３晶体生长与磁光性能作了讨论。     

一种具有倍频疚的新型硼酸盐化合物La2SrB10O19

在ＳｒＯ－Ｌａ２Ｏ３－Ｂ２Ｏ３体系中合成出一种新的硼酸盐化合物Ｌａ２ＳｒＢ１０Ｏ１９。Ｌａ２ＳｒＢ１０Ｏ１９的晶体结构与Ｌａ２ＣａＢ１０Ｏ１９相同。Ｌａ２ＳｒＢ１０Ｏ１９的粉末倍频效应（ＳＨＧ）大约是ＫＨ２ＰＯ４（ＫＤＰ）的２倍。差热分析结果表明该化合物为非同发熔融化合物,转熔温度约为９８３℃,可以用助熔剂法进行晶体生长。反射光谱研究表明Ｌａ２ＳｒＢ１０Ｏ１９的紫外吸收边在３００ｎｍ左右。     

Cr^3＋：BeAl2O单晶的特性及生长工艺的改进

描述了掺Ｃｒ＾３＋离子的紫翠宝石（Ｃｒ＾３＋：ＢｅＡｌ２Ｏ４）单晶的晶体结构、物理性质、晶体的吸收光谱与发射光谱及其激光特性。讨论了用引上法生长Ｃｒ＾３＋：ＢｅＡｌ２Ｏ４晶体的一些工艺问题中。引上法晶体生长过程中选用较慢的提拉速度、较快的转束客生长较大直径的晶体的工艺参数,能够生长出高质量的Ｃｒ＾３＋：ＢｅＡｌ２Ｏ４单晶本。我们的实验表明,采用温梯法也能生长出高质量的Ｃｒ＾３＋：ＢｅＡｌ２Ｏ４单晶     

晶体生长过程的分子动力学模拟研究

本文采用晶液两层构型方法,分子动力学模拟研究了ＲｂＣｌ和β－ＢａＢ２Ｏｒ（ＢＢＯ）两种晶体的生长过程,模拟ＲｂＣｌ的晶体生长,可以清晰地观察到结晶时固液界面的运动过程,表明对于简单离子晶体、Ｆｕｍｉ－Ｔｏｓｉ势和由宏观压缩模量得到的势参数很好的反映了离子间相互作用。ＢＢＯ的晶体生长模拟使用与ＲｂＣｌ环束缚约束时,实现了ＢＢＯ晶体模拟生长。模拟结果表明,ＢＢＯ结晶可能仅在熔体中存在一定量（Ｂ３Ｏ６）     

热液条件下BGO微晶粒结晶习性形成机理

本文研究了热液条件下ＢＧＯ（Ｂｉ１２ＧｅＯ２０．Ｂｉ４Ｇｅ３Ｏ１２）微粒结晶习性形成机理。根据热液条件下晶体生长基元为负离子配位多面体结构的理论模型，设计了生长ＢＧＯ晶粒时Ｂｉ－Ｏ６八面体和Ｇｅ－Ｏ４四面体的比例和生长工艺，制备出结晶完好的晶粒，提出Ｇｅ－Ｏ４四面体结晶方位与各个面族之间的显露规律。Ｂｉ１２ＧｅＯ２０晶体中（１１１）面族顽强显露，晶粒呈三次对称，表现出极性晶体的生长特征。Ｂｉ４Ｇｇ     

三硼酸锂（LBO）晶体生长基元与形貌

本文采用称重法研究了ＬＢＯ晶体中的生长速率与溶液过饱和度之间的关系，在盯同过饱和度的条件下，同一晶体的不同界面上出现了粗糙化相变和二维成核的不同生长机制，这种现象用负离子配位体生长基元的观点得到了圆满的解释。通过对溶液结构的测定，证实了溶液中存在着Ｂ－Ｏ３三角形和Ｂ－Ｏ４四面体结构。它与晶体中的配晶位结构相同喧两种配位体形成的（Ｂ３Ｏ７）＾５－与晶体中的络阴离子环相当。环状络阴离有两个非对称分布的     

熔体生长3,4—二甲氧基,4‘—硝基芪（MOMONS）晶体

首次报道了３，４－二甲氧基，４＇－硝基芪（ＭＯＭＯＮＳ）化合物具有倍频效庆。用粉末法测得其有效倍频系数ｄｅｆｆ为０．２２－３倍ｄＫＤＰ用坩埚下降法生长出ＭＯＭＯＮＳ单晶体，并用直接法解出了的结构。从晶体结构讨论了ＭＯＭＯＮＳ晶体的性能。     

RbTiOAsO4晶体中的生长缺陷和生长机制

采用溶盐法生长了大尺寸ＲｂｉＯＡｓＯ４晶体。利用同步辐射形貌术和化学腐蚀法，研究了ＲｂＴｉＯＡｓＯ４晶体中的生长缺陷。发现该晶体中的生长缺陷主要生长位错和生长扇界。大部分位钷沿「１００」方向，Ｂｕｒｇｅｒｓ适量为「００１」。在扫描电镜下，对原生ＲｂＴｉＯＡｓＯ４晶体的表面形态进行了观察，根据其表面二次电子像的特征，对不同晶面的生长控制机制进行了讨论。     

NaCl（OH）^—）色心激光晶体的单晶生长研究

采用ＮａＣｌ－ＮａＯＨ掺杂，控制晶体中ＯＨ＾－的含量在１０８０ｐｐｍ，排除Ｋ＾＋，Ｌｉ＾＋等杂质离子的影响，调整适当的生长工艺条件，在Ａｒ气氛中用Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ法生长晶体，获得了性质优良的ＮａＣｌ（ＯＨ＾－）单晶，为ＮａＣｌ（ＯＨ＾－）；（Ｆ２＾＋）Ｈ色心激光晶体的制备及激光运转奠定了良好的基础。     

激光加热基座（LHPG）法生长YVO4晶纤

采用激光加热基座（ＬＨＰＧ）法，用两束ＣＯ２激光加热生长ＹＶＯ４晶纤。源棒直接由Ｙ２Ｏ３－Ｖ２Ｏ３粉末压制、烧结制成。生长的晶纤开始一段是称约５－１０ｍｍ的浅黄色单晶，随着是灰黑色多晶。Ｘ射线结构分析表明，晶纤是ＹＶＯ４化合物，但含有少量Ｙ８Ｖ２Ｏ１７第二相微粒。文中讨论了生长的ＹＶＯ４晶纤中形成多晶段的原因。     

β—BaB2O4晶态和熔态的分子动力学模拟研究

采用分子动力学模拟方法研究了β－ＢａＢ２Ｏ４晶态和熔态的结构。模拟得到的径向分布函数与配位数和已报道的实验结果相符。在模拟产生的一系列瞬态构型型基础上，采用键序参数方法研究了熔体结构，结果表明，熔体中大量存在ＢＯ３平面三角形基团，而ＢＯ４四矶体基团也少量存在。同时也对熔体中的环和链进行了统计分析，分析表明，体系中Ｂ原子和Ｏ原子构成一一种网络结构。此外，对ＢＯ３基团、ＢＯ４基团和网络结构对晶体生长的     

相图计算在BBO晶体生长中的应用

本文基于所计算的部分含BBO晶体的硼酸盐体系,研究了相图计算CALPHAD技术在BBO晶体生长过程中的一些应用.利用计算结果,阐述了BBO晶体生长过程中的助熔剂的选择、成分配料以及提拉法生长过程中等径条件的控制等环节.本工作结合CALPHAD技术为BBO晶体的生长提供了理论支持.最后,讨论了CALPHAD技术在晶体生长领域所具有的优势和潜力.     

YBaNa(BO3)2晶体的助熔剂法生长与表征

采用助熔剂自发成核法,探索了生长YBaNa(BO3)2晶体的不同助熔剂体系,从中选出2Na2CO3-4H3BO3-BaCO3做助熔剂,生长了YBaNa(BO3)2晶体.采用X射线衍射(XRD),红外吸收光谱和透过光谱,差热失重分析对生长的晶体进行了表征.结果表明,晶体属于六方晶系,空间群为R3,晶胞参数为a=0.53382(2) nm,c=3.58303(19) nm.BO3-3基团存在于晶体结构中,晶体的紫外截止波长在208 nm左右,晶体在800℃时有明显的相变点.     

Nd：GdVO4晶体生长及其1064nm的激光特性

本文报道了用Ｇｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ方法生长Ｎｄ：ＧｄＶＯ４晶体,测量了该晶体的偏振吸收谱和荧光谱,表明晶体在８０８．５ｎｍ有吸收峰,其发现波长在１０６４ｎｍ。晶体中掺Ｎｄ浓度的原子分数为１．５６％的Ｎｄ：ＧｄＶＯ４的＾４Ｆ３／２荧光寿命为１００μｓ。用激光二极管泵浦１ｍｍ厚的Ｎｄ：ＧｄＶＯ４晶体,得到了超过１Ｗ１０６４ｎｍ的输出光,泵浦阀值为２０ｍＷ,光－光转换效率为５５．９％,斜效率为６３％。     

熔体生长4‘—硝基亚苄基—3—丙酰胺基—4—甲氧基苯胺（MNBA—Et）晶体

用引上法第一次从熔体中生长了有机晶体４－硝基亚苄基－３－丙酰胺基－４－甲氧基苯胺（ＭＮ－ＢＡ－Ｅｔ）讨论了生长条件并对ＭＮＢＡ－Ｅｔ熔体的性质进行了研究。     

高质量非线性光学晶体三硼酸锂(LBO)的熔盐生长

利用助熔剂法,采用顶部籽晶生长技术,氧化硼为助熔剂,KF为添加剂,成功地生长出激光照射下无散射颗粒的非线性光学晶体三硼酸锂(LBO),同时,对本实验中常见的工艺问题:籽晶炸裂、原料外溢、坩埚膨胀等进行了报道,并针对上述问题,提出了合理的解决方案.     

下降法生长的PbWO4晶体中黄色芯的形成及消除

本文报道了以ＷＯ３和ＰｂＯ粉末为原料采用改进的Ｂｒｉｄｇｍａｎ法长的ＰｂＷＯ４晶体中的黄色芯。借助于电子探针和Ｘ射线粉末衍射仪对黄色芯进行了研究,发现黄色芯主要为Ｐｂ２ＯＷ５和ＷＯ３颗粒。分析了产生黄色芯的原因,提出了消除此种宏观缺陷的一些措施。     

Nd^3^＋：La2Be2O5激光晶体的研究

掺钕铍酸镧－Ｎｄ＾３＾＋：Ｌａ２Ｂｅ２Ｏ５（Ｎｄ＾３＾＋：ＢＥＬ）激光晶体为单斜晶系，其荧光谱具有线性偏振特性。本文用提拉法生长了Ｎｄ＾３＾＋：ＢＥＬ单晶，并对晶体结构进行了分析，对其光谱特性（吸收，偏振荧光谱，低温谱及荧光寿命等）和激光二极管（ＬＤ）泵浦的激光特性进行了研究，并和Ｎｄ：ＹＡＧ晶体进行了比较。