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采用在圆柱坐标系中分离变量的方法,推出填充多层互易手征介质的金属同轴线各层电磁场之间的关系,得到其模式特征方程和圆波导模式特征方程,给出了填充两层手征介质金属同轴线部分模式的色散特性的数值计算结果,分析了手征介质参量及两层手征介质厚度变化等对手征同轴线传播特性的影响。如果互易手征介质的手征参数等于零,可得填充普通介质的同轴线的模式特征方程。与填充普通介质的同轴线中的模式相比,手征同轴线中的模式发生了分叉。当同轴线中所填介质的折射率增大时,其模式归一化截止频率和进行基模单模传输的带宽归一化频率都将减小。 相似文献
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手征参数对光纤中模式特性的影响 总被引:10,自引:2,他引:8
对圆芯和包层都是手征介质的阶跃型手征光纤进行了解析求解,导出了模式特征方程,给出了手征光纤中模式场,光强和光功率分布的表达式。分别研究了纤芯和包层中的手征参数对模式特性的影响.。 相似文献
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对手征特异材料介质与陈绝缘体材料界面附近二能级原子的自发辐射特性进行了研究.推导计算了手征介质界面及其与陈绝缘体材料界面的反射系数矩阵,并根据并矢格林函数求得此环境下二能级原子自发衰减率的表达式.对手征介质和陈绝缘体材料特性参数影响下的原子自发辐射进行了数值计算,分别对平行和垂直于界面的偶极子自发衰减率进行讨论,并对辐射模式和消逝模式下的自发辐射进行了分析.结果表明,由于手征参量的存在,手征介质界面附近的原子自发衰减率与普通介质相比被增强.陈绝缘体则使得界面附近原子的自发辐射被明显抑制,且当手征参量较大时,陈绝缘体的抑制效应更加显著. 相似文献
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在对W型阶跃双包层手性光纤进行解析求解的基础上,对几个低阶导模的功率特性进行了仔细的研究.对典型的内包层厚度,计算了几个低阶模留在纤芯中的光功率随纤芯和内外包层的手性参数的变化关系曲线,讨论了纤芯和内外包层的手性参量以及内包层厚度对不同符号模式的功率特性的影响.内包层厚度越大,功率越被限制在纤芯中.随着纤芯中手性参量的增大, HE-11模和HE-21模(HE01模)限制在纤芯中的光功率缓慢增加,而HE11模和HE21模(HE02模)限制在纤芯中的光功率则逐渐减小.包层手性参量的作用正好与此相反. 相似文献
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单模光纤偏振模色散设计特性的分析 总被引:2,自引:1,他引:1
用琼斯矩阵本征分析法对偏振模色散各参量的统计特性进行了分析,得到了一阶和二阶偏振模色散的统计规律,并给出了二阶偏振模色散各参量与一阶偏振模色散各参量之间的比例关系,对二阶偏振模色散的获取,补偿和系统设计均有指导意义。 相似文献
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转移矩阵法在负折射率介质材料平板波导中的应用研究 总被引:3,自引:3,他引:0
利用严格电磁理论,推导出了适用于负折射率介质材料光波导的转移矩阵,分析讨论了转移矩阵的性质和应用.利用转移矩阵方法,推导出导波层为负折射率介质材料、覆盖层和衬底为右手材料的三层对称介质光波导的本征色散方程.用图解法研究了负折射率介质波导中TE波的异常色散特性.在负折射材料介质波导中没有零阶模,最低阶为1阶模,并且有截止频率,只有波导参量满足一定条件的时候才会存在,导模的横向波数可以为实数和纯虚数,而正折射率介质波导导模的横向波数只能为实数. 相似文献