X波段极低噪声低温放大器

介绍了X波段极低噪声低温放大器的研制。在≤15K的环境温度下,X波段100MHz带宽内,实测放大器的等效噪声温度:≤8.8K;增益:>36dB;带内起伏:<0.4dB;输入反射损耗:<-22dB;输出反射损耗:<-20dB。它的研制成功,将可以替代进口产品满足X波段低温接收机的研制需要。     

具有陷波电路结构的P波段低温低噪声放大器

该文的工作是设计和制作了一种具有陷波电路结构的P波段低温低噪声放大器。在低温75K环境下,工作频段为250-350MHz的范围内,该低温低噪声放大器具有优异的性能,噪声系数小于0.4dB,增益为14.4dB,增益平坦度小于0.05dB,输入反射损耗S11<-20dB,输出反射损耗S22<-20dB。同时在工作频段外的高温超导滤波器寄生通带内,该低温低噪声放大器成功实现了传输陷波响应,加强了系统对前端高温超导滤波器产生的寄生通带的衰减和抑制。     

S波段低温低噪声放大器

中介绍了S波段低温低噪声放大器的研制.在15K左右的环境温度下,300MHz带宽内,实测放大器的等效噪声温度≤4.6K,增益≥35dB,增益平坦度≤1.0clB,输入、输出回波损耗≤-20dB.它已经成功运用于射电天文等领域.     

C波段宽频带低温低噪声放大器的设计与测量

本文介绍了C波段宽频带低温低噪声放大器的研制.放大器采用的是Avago一款赝高电子迁移率晶体管,用不对称十字型结微带线的输入匹配网络进行宽频带的匹配,采用源极微带线负反馈和输出端串联电阻来提高稳定性.本文介绍的宽频带低温低噪声放大器工作频段为5~6.5GHz,在常温下测量增益为30.7±1dB,输入输出反射损耗均小于-10dB,噪声系数小于1.6dB.在4K的条件下测试,调整放大器的偏置电压后,其增益能达到34.3±1.3dB.     

深空测控系统X波段低温接收组件

为满足探月工程及火星探测等深空测控的需求,开展具有极低噪声和发射频率功率强抑制双重要求的X波段低温接收组件的研制。采用隔热技术和阻抗匹配技术实现了隔热传输线从常温(300K)到低温(12K)的良好隔热和极低损耗;采用超导滤波器实现低的引入噪声的同时实现对发射频率的强抑制,避免其对接收频段的干扰;通过场效应管参数提取及源极负反馈等电路设计方法实现了极低噪声低温放大器的研制。通过热仿真设计将低温工作部件降至所需温度,以降低其引入的噪声温度。通过以上关键技术的解决,实现了接收组件在8.4-8.5GHz频率范围内:噪声温度≤11.4K;增益≥56.1dB;发射频率抑制≥141dB。很好满足了深空测控系统极低噪声和发射频率强抑制的需求。     

S波段低温低噪声放大器技术研究

介绍了低温低噪声放大器使用的HEMT(高迁移率晶体管)器件噪声模型的建立,对HEMT用S参数和噪声参数讲行仿直,获取适合的模型.给出了实例,放大器在低温10K工作,增益≥30dB,噪声温度≤4K.     

X波段低温低噪声放大器的研制

介绍了X波段低温低噪声放大器的设计和实验结果。该放大器采用HEMT器件三级级联,频率范围为8 500MHz~8 850 MHz,在环境温度大约20K的环境下,噪声温度小于11K,输入输出回波损耗小于-25dB,功耗小于25mW,0~40GHz内无条件稳定。     

Ku波段低温低噪声放大器设计

本文采用插指电容新结构设计了一个Ku波段低温低噪声放大器(LNA),并通过优化的封装工艺制备了放大器样品,分析了隔离器对LNA性能的影响.在77K温度下测试结果表明,放大器增益约10dB,噪声系数小于2.0dB,反射系数小于-17dB.     

Ka频段低温限幅放大器设计

通过对核心低温器件进行低温参数测试的方式进行选型和设计,制作了一款MMIC集成结构的Ka频段低温限幅放大器,测试结果表明,在物理环境温度20 K下,工作频带32 GHz~38 GHz范围内,其噪声温度T_e≤73 K,增益≥16.8 dB,限幅耐功率电平≥2 W,能够有效提升接收机系统灵敏度和抗烧毁能力。     

Ka波段低温低噪声放大器的研制

介绍了Ka波段低温低噪声放大器的设计和试验结果。在物理温度小于20K的环境下,噪声温度小于23K,输入输出回波损耗小于-12dB,0¹00GHz内无条件稳定。该组件将用于接收系统中的低温接收前端,能提高雷达的灵敏度和有效作用距离。     

深空探测用超导滤波器及滤波放大组件

研制了针对深空探测的超导滤波器和超导滤波放大组件,该超导滤波器在无需后期调谐的情况下,回波损耗大于25.16dB,驻波比小于1.12,插入损耗约0.04dB,阻带抑制达到了115dB以上;超导滤波放大组件的增益为30dB±0.2dB,回波损耗约为20dB;而组件的噪声温度仅为8K~9K。     

L波段低温限幅器的研制

介绍了L波段低温限幅器的设计和分析,并给出了测试结果.该限幅器具有插入损耗小、驻波低、限幅电平低及体积小等特点.在12K,限幅器插入损耗小于0.2dB,端口驻波比小于1.25,限幅性能较好.     

High Doping Density Schottky Diodes in the 3MM Wavelength Cryogenic Heterodyne Receiver

The paper describes a 3mm cryogenic mixer receiver using high doping density (“room-temperature”) Schottky diodes. The measured equivalent noise temperature T_eq of the diodes is 109 K at 20 K, which is much higher than the T_eq of the low doping density (“cryogenic”) diodes. In spite of this, the double-sideband (DSB) noise temperature of the cryogenic receiver developed is 55 K at 110 GHz, owing to the low conversion loss of the mixer and ultra-low noise of the PHEMT IF amplifier. This is the lowest noise temperature ever reported for a Schottky diode mixer receiver. The results obtained are useful for the development of submm receivers in which high doping density Schottky diodes are used.     

X波段放大混频组件的研制

介绍了X波段放大混频组件的研制情况。该组件由限幅器、低噪声放大器、镜像抑制混频器及中频放大器四部分组成。该组件具有噪声系数低、镜频抑制度高、输出功率1dB压缩点大、抗烧毁功率大等特点。