GaN量子点基于电磁感应透明的慢光效应

通过分析介质的有效复极化率,研究了GaN球形量子点基于电磁感应透明(EIT)的慢光效应.分别用一带和六带有效质量理论计算了GaN量子点的能级结构,模拟了探测光的吸收谱、色散谱以及放慢因子随耦合光强的变化,并考虑了失相率和耦合光失谐对放慢因子的影响.研究结果表明,慢光因子存在最大值,取最大值时所对应的耦合光强与失相率相关,耦合光越强电磁感应透明现象越明显,耦合光失谐不影响放慢因子的大小.     

用B样条方法计算球冠状量子点内的电子结构

在有效质量理论的框架内,使用B样条方法,分别计算得到了球冠状InAs自组织量子点的高度和底面半径对电子能级的影响关系,且与实验结果和其他理论方法计算的结果进行了比较.结果表明：当量子点高度增大时（从1 nm到10 nm）,其能级降低,能级间距减小.与底面半径对电子能级的影响相比,量子点高度是影响电子能级的关键因素,尤其是对基态能级几乎有决定性作用.同时,计算过程及结果也证明B样条方法在计算球冠状量子点电子能级方面是行之有效的.     

CuO/ZnO量子点异质结及同轴纳米线异质结构的研制

采用离子束溅射技术和热氧化工艺,对预先制备的ZnO纳米线表面进行纳米CuO修饰,研究了不同溅射工艺条件下对形成的CuO/ZnO纳米线异质结构的影响,通过控制溅射参数成功地合成出不同CuO量子点尺寸和分布密度的CuO/ZnO量子点异质结和CuO为壳层的CuO/ZnO同轴纳米线异质结构.将X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）用于研究样品的结构和形貌.实验结果表明,溅射在ZnO纳米线表面的Cu膜的厚度对形成的CuO/ZnO异质结构起着重要的作用.在Cu膜适度较薄时,获得了直径仅5 nm、分布较均匀的高密度（2.05×1010mm-2）CuO/ZnO量子点异质结;而Cu膜较厚时,形成的是CuO/ZnO同轴纳米线异质结构.利用高分辨透射电子显微镜（HRTEM）进一步对量子点异质结和同轴纳米线异质结的界面晶体结构进行了研究.     

InGaN／GaN量子阱动力学特征分析

采用单最子阱近似模型,对InGaN/GaN量子阱中的激子和电子在带子带间跃的光吸收效应进行了理论分析和数值计算。结果表明,In是含量对激子的能量影响较大,而量子阱宽度的变化也对激子的能量有着微调作用,导带中电子从基态至第一激发态跃迁的吸收峰比较明显,随着In的含量增加,量子阱中的激子能量间隔增大,吸收谱线的峰值位置会发生蓝移。     

InAs/AlAs/GaAs量子点的光致发光光谱研究

采用分子束外延技术生长InAs/AlAs/GaAs量子点,用透射电镜观察量子点的截面形貌,用光致发光光谱仪测试量子点的发光光谱.透射电子显微镜及光致发光光谱结果表明,量子点底部观察不到InAs浸润层,室温下样品的光致发光峰值波长达1.49 μm,为研制光纤通讯中的半导体量子点激光器提供了实验依据.     

准一维导体钾蓝青铜的光电子发射谱研究

钾蓝用青铜Ｋ０．３ＭｏＯ３的导带延拓到Ｆｅｒｍｉ能级以下约３．５ｅＶ，价带位于４～１０ｅＶ之间，除了导带与价带间的能隙不显著外，所测结果基本上符合Ｔｒａｖａｓｌｉｎｉ的模型．氧的Ｉｓ和钾的２ｐ芯能级谱中存在着弱的台阶，被理解为小能量的等离子激发．晶体结构中不等价的氧位置，导致了Ｏ－１ｓ能级谱不对称的线形式．Ｍｏ－３ｄ芯电子能谱揭示在Ｋ０．３ＭＯＯ３中存在着两种屏敝效应，以及Ｍｏ＋６，Ｍｏ＋５两种价态．     

多种形态Au/Pd核-壳纳米粒子的制备与表征

在反相微乳液十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)中用单步法合成Au纳米棒和Au纳米球形颗粒作种子,再通过抗坏血酸还原Pd盐的方法制备了多种形态的Au/Pd核-壳结构纳米粒子.通过透射电子显微镜(TEM)、紫外-可见-近红外(UV-vis-NIR)分光光度计对Au/Pd复合粒子的形貌和光学吸收特性进行了表征.结果表明,通过调控Au核的形态,以Au纳米棒和Au纳米球形颗粒作种子,可分别得到棒状和类球状的核-壳Au/Pd纳米粒子.棒状粒子中,Au核(纳米棒)的平均长度为31 nm,宽为7 nm,Pd壳的平均厚度为8 nm;类球状粒子中,Au核(纳米球形颗粒)的平均粒径为35 nm,Pd壳的平均厚度为9 nm.该反相微乳液法简单易行,对于制备其他核-壳纳米粒子具有借鉴意义.     

采用B样条计算量子点量子阱中氢原子能谱

介绍了一种被称为量子点量子阱 (Quantum- dot quantum wells简称 QDQWs)的新型半导体材料 ,并为其建立了合适的计算模型 .再以 B样条为展开基函数 ,采用变分法对其进行了计算 ,得到了量子点量子阱中氢原子能谱 .计算结果表明 ,当 QDQW的半径 (或核半径 )增大时 ,给体能级随之减小并逐步陷入小阱深度内 .因此只要适当地改变这种新材料的周期性 ,则施主粒子的波函数、能量等性质就可以人为控制 ,从而可进一步控制半导体材料的光学性能 .同时 ,B样条基函数对于计算局限在有限范围内量子体系的波函数和能量是十分有效的     

实现多通道滤波功能的一维光子晶体三量子阱结构

利用传输矩阵法研究了一维光子晶体（AB）m（CD）n（AB）m（CD）n的透射谱.结果发现：在归一化频率0.30ωa/2πc、0.55ωa/2πc和0.42ωa/2πc处,光子晶体（CD）n的两个能带分别处于光子晶体（AB）m（AB）m的两个禁带中,光子晶体（AB）m的能带处于光子晶体（CD）n（CD）n的禁带中,构成连续频率分布的一维光子晶体三量子阱结构.量子阱透射谱亦出现连续频率分布的3组共振透射峰,产生明显的量子化效应,透射峰的总数目为2n＋m或2m＋n,数目和位置均可调.透射峰频率位置出现很强的局域场,并且随着垒层光子晶体厚度的增加而增强.该光量子阱结构透射谱特性可实现连续频率分布的可调性多通道滤波功能.     

用Zn/F离子先后注入和热退火法实现ZnO量子点的可控生长

将Zn/F离子先后注入到非晶二氧化硅中并分别在400,600,700 ℃下进行了退火.用光学吸收谱、透射电子显微镜(TEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对退火的样品进行分析,发现在600 ℃退火后ZnO量子点已经形成.二次离子质谱仪(SIMS)测试发现在溅射时间为2 s时Si,Zn元素同时出现,说明没有在衬底的表面形成ZnO薄膜.从原子力显微镜(AFM)图像看到有少量的颗粒被蒸发到衬底的表面,说明在衬底的内部形成了ZnO量子点.F离子注入的作用为在衬底的内部形成ZnO量子点提供了O2分子.     

OP-10/n-C4H9OH/c-C6H12/H2O体系W/O微乳液稳定条件

对OP-10／n—C4H9OH／c—C6H12／H2O体系W／O微乳液的相组成和性质进行研究，并分析了液晶相出现的原因。结果表明，当OP-10／n—C4H9OH质量比为3：2时，具有较宽范围的W／O微乳相区域，且该微乳液体系对整个pH变化不敏感，在10℃-32℃范围内，温度变化对微乳液稳定区无太大的影响。     

丢番图方程1/w＋1/x＋1/y＋1/z＋1/wxyz＝0的一种解法

本文用初等方法研究丢番图方程的整数解问题。证明了时任何非零整数ｗ，方程总有解，只要ｗ．ｘ给定，即可用公式求出方程的一切解．     

独立型风光柴储微电网的电源容量优化与配置

为准确配置独立型微电网容量,针对独立型风光柴储发电系统,给出一种以供电可靠性为约束,以系统全寿命周期成本净现值为目标函数的分布式发电单元容量优化方法.利用NASA气象网站的风速和日照辐射资料,生成单位容量风光电源的年度出力曲线;根据各分布式电源的寿命和购置运行维护成本,建立了微电网系统寿命周期内各分布式电源的成本净现值计算模型.在实例分析中,针对2种不同的负荷曲线,通过遗传算法求解,验证了该方法的有效性和正确性.     

一类M/M/2排队模型研究

首先运用C0-半群理论证明M／M／2排队模型有惟一的概率瞬态解。然后通过研究对应于M／M／2排队模型的主算子的谱特征得到解的渐近性质．     

伪球面Sv^n上的常（负）曲率极小曲面

运用作用在伪欧氏向量值Able形式上的微分算子δ与δ^-,证明了伪球面Sv^n上不存在高斯曲率K＜0的常曲率极小曲面。     

蓝青铜单晶Rbo.3MoO3和Rbo.15Ko.15MoO3的热电势特性

在90～290K范围内对蓝青铜单晶Rb     

La0.33Ca0.67MnO3钙钛矿中的电荷有序

La     

M／M^2／1算子的另一个特征值

证明当：λ/μ〈1/4时,3（λ/2）;2/3μ1/3-λ-μ是M／M^2／1排队模型的主算子的几何重数为2的特征值．     

高吸水性聚丙烯酸/壳聚糖/蒙脱土复合树脂的合成

利用丙烯酸、壳聚糖和蒙脱土为原料，采用溶液聚合法合成了高吸水性聚丙烯酸／壳聚糖／蒙脱土复合树脂，通过红外光谱对树脂的结构进行了表征，并系统研究了引发剂、交联剂、蒙托土的用量以及丙烯酸与壳聚糖的投料比对复合树脂吸水率的影响．结果表明，当丙烯酸和壳聚糖质量比为10：1，蒙脱土用量为2％，引发剂和交联剂用量分别为3．2％和0．16％时，所合成的聚丙烯酸／壳聚糖／蒙脱土复合树脂吸（盐）水率最高，分别达到425倍与65倍．