NaF:Mg~(2+)晶体中(F_2~+)~*心的研究

本文报道了对NaF:Mg~(2+)晶体中(F_2~+)~*心进行的实验研究,实验中观察到在F_2~+心和(F_2~+)~*心之间存在着一个转型的过程.其转型的速率与掺杂的二价金属种类有关,而当掺杂浓度不太低时同掺杂的浓度无关.实验还发现(F_2~+)~*心的热漂白产物同Z_4心有相同的性质.根据实验结果本文提出了(F_2~+)~*心是由一个F_2~+心同一个杂质-空穴对联接而成的可能模型.     

F_2心光致电离的研究

本文对LiF、NaF晶体中的F_2心光致电离为F_2~+心作了初步研究。实验表明:有F、E_2与F_3~+心的LiF晶体用汞灯、脉冲氙灯和直流碳电弧直接照射后,均可产生F_2~+心;有F、F_2与F_3~+心的NaF晶体用脉冲氙灯和钨灯照射后,也可产生F_2~+心。并对这些现象进行了讨论。本文还讨论了两步电离的效率问题,计算结果表明:提高两步电离效率的途径是寻找频率条件和功率密度都适当的光源和陷阱杂质,并给出了两步电离效率的表达式:η=k‘/(k‘+1/τ‘).     

氮分子激光照射增大了LiF:F_3~+心浓度

在液氮温度下采用氮分子激光(337nm)照射已着色的LiF晶体,能有效地产生高浓度的F_3~+心.文中详细地描述了着色LiF晶体中F_3~+心的产生方法、光谱特性及其形成机理.     

LiF晶体中F3^＋—F2混合色心激光器

本文报道了室温下LiF晶体中F_3~+-F_2混合色心激光器.利用一块晶体和单一泵光,输出激光波长范围从510～580nm、640～710nm.总带宽140nm.     

LiF晶体中F_2~+心的研究

本文从实验上探讨了LiF晶体中F_2~+心的产生过程,证明用辐照剂量与辐照时间这两个参量作为辐照条件是恰当的,比只用一个辐照剂量参量更能清楚地说明F_2~+心产生的过程。实验发现,F_2~+心存在一个极值密度,它与辐照源及晶体内在因素有关,理论计算证明了这一点,并给出了极值密度的表达式:N_(max)=krτ。从残余荧光现象出发,提出了F_2~+心具有自由态与束缚态。并测定了国产LiF晶体中F_2~+心的寿命与荧光光谱.     

(OH)~-离子对F_2~+心的稳定作用

基于我们的实验结果,本文讨论了(OH)~-离子在LiF晶体中对F_2~+心的稳定作用,给出了样品在室温下放置九个月时,其中的F_2~+心吸收峰,此时F_2~+心仍达到实现激光振荡所要求的浓度。     

LiF晶体F_3~ 色心的实验研究

本文从实验上系统地研究了在不同条件下电子束辐照LiF晶体所形成的F_3~ 色心的光学特点。并且由荧光光谱分析了F_3~ 心和F_2心,的相对密度关系。实验表明,辐照温度对于色心的形成和密度的相对大小起着关键的作用。主要实验结果包括:1)在液氮温度下辐照,然后在暗处加热至室温可形成高密度的F_3~ 心,表现在发射光谱中F_3~ 心荧光占绝对优势。吸收光谱表明没有N心和R心。2)由动力学荧光谱可以看到低温辐照的样品在F_2~ 心衰变的同时,F_3~ 心密度迅速增加。而室温辐照的样品则是F_2心,与F_3~ 心的密度以近似相等的速率增加。3)详细观察了F_3~ 心530nm荧光激发带与F_2心670nm荧光激发带半宽度的变化和双峰结构。由此对M吸收区的发光特点作了解释。     

低温下电子束辐照产生F_2~+心及其荧光发射

用自制的低温装置保持LiF晶体的温度为77K,同时用电子束辐照,产生了浓度高达10~(17)cm~(-3)的F_2~+心。并对F_2~+心荧光发射特性进行了实验观测和理论分析。     

微量MgO掺杂对GAGG∶Ce晶体光学和闪烁性能的影响

共掺杂离子是优化晶体闪烁性能的重要手段之一,本文采用提拉法生长了GAGG∶Ce和GAGG∶Ce,0.1%Mg晶体。通过测试硬度、透过率、X射线激发发射(XEL)谱和符合时间分辨率等方法研究了微量MgO掺杂对GAGG∶Ce光学及闪烁性能的影响。GAGG∶Ce和GAGG∶Ce,Mg的维氏硬度平均值分别为1 430 kg/mm~2和1 420.4 kg/mm~2,表明Mg~(2+)的掺杂几乎没有对GAGG∶Ce的硬度产生影响。XEL谱结果表明,共掺杂Mg~(2+)后GAGG∶Ce晶体的发光峰值波长约为540 nm,但5d_1→~2F_(5/2)及5d_1→~2F_(7/2)发射峰红移了12～24 nm,Mg~(2+)的引入可能改变了Ce~(3+)的5d_1激发态向~2F_(5/2)和~2F_(7/2)跃迁几率分布。通过共掺杂Mg~(2+),发现尽管光产额由5.8×10~8 lx/MeV(58 000 ph/MeV)降低为4.15×10~8 lx/MeV(41 500 ph/MeV),但GAGG∶Ce,Mg符合时间分辨率得到了显著改善,达146 ps。此外,比较不同尺寸样品的光产额,发现GAGG∶Ce,Mg对闪烁发光的自吸收程度小于GAGG∶Ce。以上结果表明,微量MgO掺杂是优化GAGG∶Ce晶体闪烁性能的有效途径。     

Y2O3：Eu^3＋纳米棒的微乳液-微波法制备、表征与发光性能

用简单的微乳液-微波法合成大小和形貌可控的Y2O3:Eu3+纳米棒晶体.XRD结果表明,所制备样品为Y2O3:Eu3+纯相,属于体心立方晶系.TEM结果表明,随着水乳比ω0从5变化到35时,粒子发光粉的形状由纳米颗粒状变为纳米棒,纳米棒的直径约为30~50 nm,纳米棒长约为200~300 nm.激发光谱和发射光谱分析表明,最大的激发带是位于254 nm的Eu3+-O2-电荷迁移带.最大发射峰位于611 nm,属于Eu3+的特征发射.Y2O3:Eu3+纳米发光粉的发光强度随着ω0的增加而增强.发光寿命分析表明Y2O3:Eu3+纳米棒中Eu3+的发光寿命为2.03 ms.在阴极射线发光真空装置中测得的I-V曲线表明Y2O3:Eu3+纳米棒薄膜的启动电压仅1 300 V.同时,在2 000 V外加电压下可以清楚地观察到Y2O3:Eu3+纳米棒的阴极射线发光为Eu3+离子的特征红光.     

NaF及其掺杂晶体F2心的二向色性研究

给出了ＮａＦ及其掺杂质Ｌｉ＾＋、Ｍｇ＾２＋、Ｃｕ＾２＋和ＯＨ＾－五种样品的Ｆ２心在偏振的氮分子激光照射下的二向色性吸收特性，对各种样品中Ｆ２心的转向效率进行了比较，并对结果进行了机理性的分析。     

Vacuum ultraviolet spectroscopy of U:LiF, Cu, and U:NaF, Cu crystals

Luminescence and excitation spectra of doped LiF and NaF crystals are studied by time-resolved optical and luminescent vacuum ultraviolet (VUV) spectroscopy (2–40 eV energy range, T=10–295 K) with the use of synchrotron radiation of the X-ray and the VUV ranges and pulsed electron beams. Spectral kinetic parameters of luminescence and energies of excited states of U⁶⁺ ions are determined. The dominant role of the electron-hole mechanism for energy transfer to impurity centers is established. The effect of multiplication of electronic excitations is clearly manifested for E > 25 eV in NaF:U, Cu crystals and determines their high scintillation yield (137% relative to Tl:CsI when detected in the current regime).     

NaF：OH~－晶体色心及其在氮分子激光照射下的光谱特性

对ＮａＦ晶体和ＮａＦ：ＯＨ－晶体在电子束辐照前后及在氮分子激光作用下的红外和紫外光谱进行了研究。认为激光强度能否使ＯＨ－分解，决定着Ｆ２＋心的再生或退电离。     

NaF薄膜的脉冲激光沉积法制备与结构研究

 采用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(100)衬底上制备了NaF薄膜。在激光重复频率2 Hz，能量密度3 J/cm²，本底真空度5×10^-5 Pa的条件下，研究衬底温度对薄膜沉积速率及结构的影响。台阶仪分析表明：薄膜的沉积速率随衬底温度增加呈指数函数增加，算出NaF薄膜的反应激活能为48.67 kJ/mol。原子力显微镜分析表明：薄膜致密而光滑，均方根粗糙度为0.553 nm。扫描电镜截面微观形貌分析表明：薄膜呈现柱状结构。X射线衍射分析表明：NaF薄膜为面心立方晶体结构，并具有显著的择优取向；当衬底温度约为400 ℃时，平均晶粒尺寸最大(129.6 nm)，晶格微应变最小(0.225%)。     

钼酸铅晶体中F型色心电子结构的理论计算

运用相对论性的密度泛函离散变分(DV-Xα)方法模拟计算PbMoO₄晶体中可能存在的F型色心的电子结构.结果表明,F,F⁺心在PbMoO₄晶体的禁带中引入了施主能级,其光学跃迁能分别是2.141,2.186 eV,即F,F⁺心能分别引起PMO晶体中581,567 nm的吸收,该吸收与PbMoO₄晶体中580 nm的吸收峰对应.因此,可推断F型色心能引起PMO晶体中由光色效应引起的580 nm吸收.     

Eu^2＋：Sr9Ca（PO4）6Cl2中的新型色心及其光激励发光

本文报道了Ｅｕ＾２＋：Ｓｒ９Ｃａ（ＰＯ４）６Ｃｌ２的新型色心。它的吸收带主峰分别位于７０８，７８５，８４５及９９０ｎｍ。用对应于Ｆ心吸收带和这些吸收带波长的光束分别激励样品时得到相同的光激励发光。通过对比研究表明，这些吸收带是由Ｆ心的缔合中心，即由ＦＡ心产生的。由于这些色心的吸收带偏离Ｅｕ＾２＋的发射波长（４５０ｎｍ）更远，故更适应于Ｅｕ＾２＋：Ｓｒ９Ｃａ（ＰＯ４）６Ｃｌ２光波励发光的研究和开发。     

A novel hole-blocking layer NaF between the α-naphthylphenyliphenyl diamine and ITO

Organic light-emitting devices (OLEDs) with the hole-blocking layer NaF between the α-naphthylphenyliphenyl diamine and ITO were fabricated using a vacuum evaporation method. Compared to the different thickness of the hole-blocking layer, the OLEDs with the 1.0 nm thickness layer showed the maximum efficiency. The enhancements in efficiency were resulted from an improved balance of hole and electron injections. After comparing different hole-blocking layer density, NaF was a good candidate for the hole-blocking layer, and 1.0-nm thickness NaF layer showed better operational durability and life.     

采用Gauss 94量子化学程序实施团簇嵌入离子晶体

在Gauss 94基础上提出了一种团簇嵌入晶格技术,团簇中的电子和核都处于周围无限大晶格产生的库仑场中,库仑势由Ewald方法计算.对相应的单电子Hamilton算符及团簇系统总能量进行了修改.应用此嵌入技术对NaF:Cu⁺系统及NaF中F心缺陷进行了研究,计算出的NaF:Cu⁺系统的垂直激发能及F心光学激发能均与实验值符合得较好,说明了此种嵌入技术是切实可行的.